中科院合肥研究院发表单质二维纳米材料主题综述文章
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心双聘研究员陈乾旺和博士后孔祥恺等的综述文章Elemental two-dimensional nanosheets beyond graphene 作为杂志封底发表在《化学会评论》（Chemical Society Reviews）上。 近年来，科学界对二维（2D）纳米材料的研究兴趣很浓，已成为材料科学的热门领域之一。被减薄成超薄纳米片后，大量的原子暴露在表面上，使得表面和界面相变得极其重要。减薄后表面积的增加不仅加强了物理化学反应，而且还通过量子限域效应对二维波函数产生影响。故它们与大多数同类体相材料相比表现出新颖的光、电、磁和催化性能。在传感器、超级电容器、铁电和热电性的应用上占据着重要地位，成为设计新型器件的基础。 该综述文章总结和讨论了除石墨烯以外其它单质二维材料的最新研究进展，结合实验和理论模拟两方面内容分析了它们的基本结构和物理化学性质，并展望了具有二维结构的单......阅读全文
全球首个单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作，首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管，相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。 过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。为了避
中科院合肥研究院发表单质二维纳米材料主题综述文章
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心双聘研究员陈乾旺和博士后孔祥恺等的综述文章Elemental two-dimensional nanosheets beyond graphene 作为杂志封底发表在《化学会评论》（Chemical Society Reviews）上。 近年来，
我科学家成功制备二维黑磷场效应晶体管
记者从中国科学技术大学获悉，该校微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作，在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得重要进展，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。研究成果日前在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。 单层原子厚度的石墨
中国科大合作制备出二维黑磷场效应晶体管
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得进展。研究组与复旦大学教授张远波、封东来和吴骅课题组通力合作，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。该研究成果于3月2日在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。 单层原子厚度的石墨烯的发现标志着二维晶体作为一
倒置范徳华堆垛开展隧穿晶体管器件研究获突破
近日，中科院金属所研究人员利用范徳华人工堆垛技术，在少数原子层硫化钼与金属电极之间插层高质量六方氮化硼（h-BN）隧穿结构，成功制造出能够通过门电压调制的双极反向整流器件。 该项研究工作由沈阳材料科学国家（联合）实验室磁学与磁性材料研究部研究员张志东与韩拯主持，国内外多家科研单位共同合作完成
氧化物界面二维电子液体的光电协同场效应研究获进展
研究发现，当条件合适时，在电子关联氧化物异质界面LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）附近可形成二维电子液体。与常规半导体二维电子气不同，势阱中的电子具有d电子特征，可以占据不同的d轨道，从而带来了一系列新特性，例如磁场依赖的输运行为、铁磁性和超导电性等。 由于维度限制，二维电
清华举行“纳米材料科学的跨学科发展”论坛
本月1日，清华大学“纳米材料科学的跨学科发展”博士生学术论坛专题论坛在文科馆大同厅和新水利馆举行。论坛由主论坛和两个分论坛组成，主论坛包括2场专家特邀报告和1场学生特邀报告，分论坛包括3场教师特邀报告和12场学生口头报告，涵盖了清华纳米材料领域的知名专家以及纳米材料领域当前的关键问题。 此次论
中国科大在黑磷低维原子晶体中实现高迁移率二维电子气
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组与复旦大学教授张远波课题组合作，继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后，再次在薄层黑磷晶体研究中取得新进展，成功在这一体系中实现高迁移率二维电子气。相关研究成果发表在5月18日的《自然·纳米科技》上。 2014年5月，陈仙辉课题组与复旦大学张远波等课题组
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
深圳先进院等研发出新型柔性铁电场效应晶体管
近日，中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究中心在柔性铁电场效应晶体管领域取得新进展，相关成果以Highly robust flexible ferroelectric field effect transistors operable at high temperature
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497096.shtm 本报北京3月26日电（记者晋浩天）北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基鳍型晶体管，并将二维晶体管的工作电压降到0.5V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。该研究成果以《二维硒化铟弹道晶体管》为
化学所在二维材料自组装研究中取得进展
二维过渡金属二硫族化合物(TMDs)，由于量子限域效应，展示了许多与其块体材料不同的光、电、磁性质。具有本征带隙的二维TMDs，作为零带隙石墨烯材料的互补材料，为新型场效应晶体管与光电器件提供了新的可能。最近关注的焦点集中于它们本征的或者平面异质结结构的制备及其性质、应用的研究，尤其是在二维尺度
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
苏州纳米所非层状结构二维单晶纳米片的研究取得进展
单晶超薄膜是拥有宏观横向尺寸和纳米级甚至原子级厚度的二维单晶材料，由于其在厚度维度上的尺寸远远小于另外两个维度，造成了该类材料的电子能级和态密度与体相材料相比会发生显著变化，从而表现出独特的物理和化学性质。对单晶超薄膜物性的深入研究及其应用的开发探索依赖于发展可控的、高质量的各种类单晶超薄膜的制
场效应管简介
场效应管（Field Effect Transistor，缩写FET）是场效应晶体管的简称，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 它主要有两种类型：结型场效应管和金属 -氧化物半导体场效应管，具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集
物理所二维胶体晶体刻蚀法制备石墨烯纳米带研究取得进展
最近，中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）表面物理国家重点实验室白雪冬研究组的王文龙副研究员及其合作者在石墨烯纳米带的可控制备研究方面取得重要进展，相关工作发表在Adv. Mater. 23，1246 (2011) 上。 石墨烯（Graphene）自2004年发
超高催化活性的超薄二维MOF纳米片
近日，暨南大学化学与材料学院教授宁国宏/李丹团队结合金属有机框架（MOF）、共价有机框架（COF）和二维材料化学，开发出具有超高催化活性的超薄二维共价金属有机框架纳米片。相关研究以封面文章的形式发表于《美国化学会志》（J. Am. Chem. Soc.）。暨南大学博士后危荣佳为该论文第一作者，宁
二硫化钼纳米片功函数相关研究获进展
哈尔滨工业大学的研究人员在二维二硫化钼(MoS2)纳米片功函数及载流子浓度调控研究方面取得进展，相关论文日前在《美国化学会·纳米》刊发。 据介绍，与石墨烯相比，二维MoS2纳米片具有合适的带隙，适用于光检测等功能器件。金属电极与MoS2纳米片之间的电接触行为对器件性能的影响很大，研究者需要
沈阳自动化所纳米操作机器人研究取得新进展
近日，国际学术期刊Small 以封面刊载的形式，邀请刊载了中国科学院沈阳自动化研究所机器人学研究室微纳米课题组在类生命机器人使能领域的最新成果。该研究利用与超声加工、检测协同设计的纳米操作机器人实现了亚微米尺寸的二硫化钼场效应管的制造，为建立工程化细胞的多维信息同步获取接口提供了有效途径，为实现
沈阳自动化所纳米操作机器人研究取得新进展
近日，国际学术期刊Small 以封面刊载的形式，邀请刊载了中国科学院沈阳自动化研究所机器人学研究室微纳米课题组在类生命机器人使能领域的最新成果。该研究利用与超声加工、检测协同设计的纳米操作机器人实现了亚微米尺寸的二硫化钼场效应管的制造，为建立工程化细胞的多维信息同步获取接口提供了有效途径，为实现
沈阳自动化所纳米操作机器人研究取得新进展
近日，国际学术期刊Small 以封面刊载的形式，邀请刊载了中国科学院沈阳自动化研究所机器人学研究室微纳米课题组在类生命机器人使能领域的最新成果。该研究利用与超声加工、检测协同设计的纳米操作机器人实现了亚微米尺寸的二硫化钼场效应管的制造，为建立工程化细胞的多维信息同步获取接口提供了有效途径，为实现
摩尔定律难以为继？新型二维材料有话说
近年来，半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明，新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后，这次发表在《纳米通讯》上的研究，通过
中国科大在二维器件范德华接触研究中取得进展
近日，我校合肥微尺度物质科学国家研究中心曾华凌教授、物理学院乔振华教授和化学与材料科学学院邵翔教授在二维电学器件范德华接触研究中取得新进展，展示了一种制备二维电学器件的“全堆叠”技术，优化了二维材料与金属电极之间的界面接触，为二维电学器件的制备提供了一种高效、高质量且高稳定性的普适方法。相关研究成果
场效应管的特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电
什么是光学近场效应
在菲涅耳衍射范围内的都可以称为近场，不过各个具体应用范围不同可能指称的实际数值上会有差异，有的领域，譬如近场显微可能只在微米以下甚至于纳米量级的尺度上的光学效应才称为近场光学效应的
场效应管的作用
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关
VMOS场效应管概述
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～1
MOS场效应管概述
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟
我国利用压电材料实现对MoS2场效应晶体管动、静态调控
自2004年Geim等人第一次在实验室得到单层石墨烯以来，二维材料的出现为传感器领域的进一步发展提供了可能，相对于传统的三维材料，二维材料的层状结构决定了其器件厚度可以达到单原子层，为实现更轻、更薄、体积更小的电子器件提供了可能。相较于其他二维材料，以单层二硫化钼 (MoS2) 为代表的二维半导