深圳先进院构筑二维黑磷面内异质结
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组在二维黑磷领域取得新进展，通过控制钴原子在黑磷不饱和位点上的选择性沉积，制备出黑磷/磷化钴面内异质结，展现出优良的电催化活性。相关成果以In-Plane Black Phosphorus/Dicobalt Phosphide Heterostructure for Efficient Electrocatalysis为题，发表在《德国应用化学》上。 非贵金属催化剂是催化领域的重要研究课题之一。黑磷作为一种具有二维层状结构的直接带隙半导体，在能源催化领域展现出巨大的应用潜力。然而由于孤电子对的存在，黑磷在水或空气中容易氧化，导致性能下降，这极大地限制了黑磷的实际应用。喻学锋课题组以往的研究，发展了系列抑制黑磷氧化的方法，如有机包覆、化学配位、共价修饰、离子掺杂等，有效提高了黑磷纳米片的稳定性。然而，黑磷纳米片通常需要通过液相剥离制备，在制备过程中难免产生表面缺陷（特别是边缘......阅读全文
深圳先进院构筑二维黑磷面内异质结
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组在二维黑磷领域取得新进展，通过控制钴原子在黑磷不饱和位点上的选择性沉积，制备出黑磷/磷化钴面内异质结，展现出优良的电催化活性。相关成果以In-Plane Black Phosphorus/Dicobalt Phosphide Heterostr
深圳先进院构筑二维黑磷面内异质结
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组在二维黑磷领域取得新进展，通过控制钴原子在黑磷不饱和位点上的选择性沉积，制备出黑磷/磷化钴面内异质结，展现出优良的电催化活性。相关成果以In-Plane Black Phosphorus/Dicobalt Phosphide Heterostr
深圳先进院成功制备出黑磷/铂异质结光催化剂
近日，中国科学院深圳先进技术研究院喻学锋研究员课题组成功制备出黑磷/铂异质结光催化剂，在太阳光驱动的有机催化反应中展现出极好的光催化活性。相关成果“黑磷/铂异质结：一种高效广谱光催化剂”在线发表于材料领域顶级刊物《先进材料》。论文共同第一作者是白力诚博士和王欣博士，通讯作者是喻学锋研究员。 催化反应
异型异质结单异质结激光器的结构特点
特点：P-N结区较大，且电子或空穴向结区外扩散严重，使形成粒子数反转较难，要求泵浦电流较大，且只能以脉冲方式工作。是早期的半导体激光器，目前已不采用此类结构。
什么是同质结与异质结
1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。2、异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半
固体所在二维垂直异质结的自旋极化输运研究中取得进展
近日，固体所郑小宏研究员小组与加拿大麦吉尔大学、山西大学等单位合作，在基于二维垂直异质结构获得完全自旋极化电流的研究中取得新的进展，相关结果发表在Nanoscale（Nanoscale 10, 174-183 (2018))上。图1. (a) h-BN/graphene/h-BN垂直异质结构；(
上海微系统所准二维超导/石墨烯异质结研究取得突破
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所超导研究再获重要突破。信息功能材料国家重点实验室、超导实验室姜达、胡涛等人通过机械剥离实现石墨烯/超薄超导Bi2Sr2CaCu2O8+x(Bi2212)异质结，在单层晶胞乃至半层晶胞厚的Bi2212材料中发现了高于液氮温度的超导转变。研究论文High-T
什么是半导体异质结
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
什么是半导体异质结
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
同型异质结的结构特点
特点：（1）同质PN结两边具有相同的带隙结构和相同的光学性能。（2）PN结区完全由载流子的扩散形成。
光伏驶入“异质结”新赛道
提升电池转化效率、降低发电成本一直是光伏企业的必修课题。不久前，爱康科技长兴基地第一片异质结电池试样生产正式下线，电池片转换效率达到了24.59%，高于目前光伏主流技术产品PERC（发射极和背面钝化电池）的近2%。 异质结电池全称为晶体硅异质结太阳电池，由于其在晶体硅上沉积了非晶硅薄膜，因此具备
HIT异质结电池的技术优点
HIT异质结电池的优点1．应用范围广泛：大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域，HIT异质结电池都具有了不能缺失的重要作用。2．效率提升潜力高：HIT异质结电池采用的N型硅片具有较高的少子寿命，非晶硅钝化处理的对应结构同样也可以取得较低
HIT异质结电池是什么电池？
HIT异质结电池是指采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到25%以上，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT异
异质结激光器的功能介绍
中文名称异质结激光器英文名称heterostructure laser定 义有源区为窄直接带隙半导体材料，限制层为宽带隙半导体材料所形成的三层结构二极管激光器。应用学科材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），半导体微结构材料及器件（三级学科）
异质结激光器的结构功能
中文名称异质结激光器英文名称heterostructure laser定 义有源区为窄直接带隙半导体材料，限制层为宽带隙半导体材料所形成的三层结构二极管激光器。应用学科材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），半导体微结构材料及器件（三级学科）
科学家制备范德华异质结
北京高压科学研究中心研究员李阔、郑海燕课题组通过偶氮苯分子晶体的高压拓扑聚合反应，首次合成了有序的范德华碳氮纳米带异质结。相关结果3月16日发表于《美国化学会志》。图片来源：《美国化学会志》范德华异质结是由两种或两种以上具有不同化学成分、结构或性质的材料通过范德华力结合而成的人工纳米结构，因其独特的
搭建异质结会调低带隙吗
异质结特点: 1)界面处出现能带的突起和凹陷,可以促进或阻挡载流子。 2)界面处存在局域态,起到复合和俘获中心的作用。 3)两侧材料带隙宽度不...
搭建异质结会调低带隙吗
异质结特点: 1)界面处出现能带的突起和凹陷,可以促进或阻挡载流子。 2)界面处存在局域态,起到复合和俘获中心的作用。 3)两侧材料带隙宽度不...
异质结材料拉曼峰分裂原因
振动或转动。异质结材料拉曼峰分裂原因是由于分子之间振动，转动造成的。利用拉曼光谱研究了四碘化锗分子晶体在高压下的变化，发现压力导致了拉曼峰的分裂。
怎样判断构成z型还是异质结
Z型异质结的结构为n型半导体和p型半导体交替排列。Z型异质结的主要输运方式是漂移运动。通常形成异质结的条件是:两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。
怎样判断构成z型还是异质结
Z型异质结的结构为n型半导体和p型半导体交替排列。Z型异质结的主要输运方式是漂移运动。通常形成异质结的条件是:两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。
弹道和雪崩成功“邂逅”
弹道是量子物理的概念，雪崩是半导体物理中的基本现象，两者貌似无关。但南京大学电子科学与工程学院教授王肖沐/施毅课题组与该校物理学院教授缪峰课题组合作，让二者“邂逅”，首次在二维材料垂直异质结中提出和实现了一种新型PN结击穿机制——弹道雪崩。 基于传统雪崩反向击穿机制的光电探测器，是实现单光子探
研究团队在超高真空机械剥离和堆垛技术研究中取得进展
近年来，二维材料及其异质结构在电子、光电及自旋器件领域颇具应用潜力而得到广泛关注。然而，制备表面高度洁净的二维材料以及界面原子级平整干净的二维异质结较为困难，尤其对于表面敏感的二维材料而言更是如此。制备二维材料的方法主要分为两类：以分子束外延（MBE）和化学气相沉积为代表的“自下而上”法和以机械
双异质结激光器的结构特点
中文名称双异质结激光器英文名称double hetero junction laser定 义用多次外延法在砷化镓基片的两侧各生长一层砷化镓铝单晶(一层为p型，一层为n型），分别形成一个砷化镓铝-砷化镓异质结而制成的半导体激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备
形成异质结真空能级为什么会弯曲
1.上升下降是相对的,当电势在p和n两边都有降低时（一般都是这样,单边突变结某一边将的更多）,那接触时就是p上升,n下降2.真空能级未变3.异质结看费米能级,保持接触点能级位置升降到两边费米能级一致即可
双异质结激光器的功能介绍
中文名称双异质结激光器英文名称double hetero junction laser定 义用多次外延法在砷化镓基片的两侧各生长一层砷化镓铝单晶(一层为p型，一层为n型），分别形成一个砷化镓铝-砷化镓异质结而制成的半导体激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备
什么是双异质结(DH)激光器
下图为双异质结(DH)平面条形结构，这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。图中标出所用材料和近似尺寸。结构中间有一层厚0.1~0.3 μm的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射
沈阳生态所在二维黑磷环境行为研究方面取得进展
黑磷作为后石墨烯时代光、电性能最优良的二维材料之一，自2014年出现以来，短短几年内即迅速吸引了世界各国研究人员的关注。目前，黑磷不仅在光电器件和生物医学领域备受青睐，同时在环境污染治理等领域也表现出非凡的应用潜力。 中国科学院沈阳应用生态研究所研究员赵青及学科组近年来一直致力于二维黑磷环境行
这个领域4天内连续发表Science、Nature－Nano.和Nature－Electronics
范德华异质结作为一种新型的结构，在光电器件领域展示出无限的魔力，在经历过2019年的狂欢之后，2020年刚刚开始，又开始展露实力。 2020年1月31日，东京大学首先在Science发力，报道了渴望已久的一维范德华异质结。2月3日，苏黎世联邦理工学院在Nature Nanotechnology
深圳先进院等在2D2D二维超薄异质结研究方面取得新进展
近日，中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究中心在2D-2D二维超薄异质结研究方面获得新进展。相关成果以From one to two: In situ construction of an ultrathin 2D-2D closely-bonded heterojuncti