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我国研制出世界最大容量压接型IGBT

12月26日,记者从中车时代电气获悉,由公司牵头完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”项目,日前通过中国电子学会组织的成果鉴定。通过该项目的实施,公司研制出了世界功率等级最高的压接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。据悉,这也是我国首次实现压接型IGBT技术的零突破。图片来源于网络 压接型IGBT是柔性直流输电领域的核心器件。外形上看,器件与晶闸管等器件相似。但其主要通过并联多个“子单元”部件实现功率容量。芯片与电极间的电气连接,则通过压力实现。与传统焊接型IGBT 模块相比,该类模块具容量大、高可靠性、失效短路模式等优点。 中车时代电气副总工程师刘国友介绍,此次研制出的3600A/4500V 压接型IGBT模块,是目前市场可见产品中容量最大,具双面散热、长期稳定失效短路能力的器件。它的研制“融入”了大尺寸U形元胞压接型芯片、基于低温纳米银烧结的芯片强化、大面积方形陶瓷管壳并联均流封装等多项核心技术,......阅读全文

IGBT的检测方法(二)

  二、场效应管的使用注意事项  (1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。  (2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能

IGBT的检测方法(一)

  IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。  一、用指针式万用表对场效应管进行判别  (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极  根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨

IGBT的检测方法(三)

  注意事项:  (1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。  (2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。  (3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例

IGBT短路保护电路的设计

固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言,电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外,还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,开关频率高,广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当,它很容易损坏。一般认

深度解读:到底什么是IGBT?(四)

  2) 阳极短接(SA: Shorted-Anode):它的结构是N+集电极间歇插入P+集电极,这样N+集电极直接接触场截止层并用作PN二极管的阴极,而P+还继续做它的FS-IGBT的集电极,它具有增强的电流特性且改变了成本结构,因为不需要共封装反并联二极管了。实验证明,它可以提高饱和电流,降

深度解读:到底什么是IGBT?(二)

  1)高电压:一般的MOSFET如果Drain的高电压,很容易导致器件击穿,而一般击穿通道就是器件的另外三端(S/G/B),所以要解决高压问题必须堵死这三端。Gate端只能靠场氧垫在Gate下面隔离与漏的距离(Field-Plate),而Bulk端的PN结击穿只能靠降低PN结两边的浓度,而

深度解读:到底什么是IGBT?(一)

    电的发现是人类历史的革命,由它产生的动能每天都在源源不断的释放,人对电的需求不亚于人类世界的氧气,如果没有电,人类的文明还会在黑暗中探索。  然而在电力电子里面,最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。  一说起IGBT,半导体制造的人都以为不就是一个分立器

深度解读:到底什么是IGBT?(三)

  另外,这样的结构好处是提高了电流驱动能力,但坏处是当器件关断时,沟道很快关断没有了多子电流,可是Collector(Drain)端这边还继续有少子空穴注入,所以整个器件的电流需要慢慢才能关闭(拖尾电流, tailing current),影响了器件的关断时间及工作频率。这个可是开

高精度igbt功率模块推拉力测试机

型号:LB:8500L  产品优势:1.采用测试工位自动模式,在软件选择测试工位后,系统自动到达对应工作位。2.三个工作传感器,采用独立采集系统,保证测试精度。3.每项传感器采用独立防碰撞及过力保护系统。4.每项测试工位采用独立安全限位及限速功能。5.人性化的操作界面,人员操作方便。6.高精度传感系

国内最高性能IGBT芯片及模块问世

  近日,由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,并通过成果鉴定,刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为,该项目成果总体技术处于国际领先水平,代表了我国功率半导体器件行业IG