半导体所等关于磁性半导体(Ga,Mn)As的研究获得进展
最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果，此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (Ga,Mn)As兼具半导体和磁性材料的特征，过去十余年中受到了高度关注，已经成为磁性半导体大家族中的代表性材料，但是较低的居里温度限制了其实际应用。2009年，赵建华研究组曾利用重Mn掺杂的方法获得了居里温度为191K的(Ga,Mn)As薄膜，这是当时的国际最高纪录，相关结果发表在Appl. Phys. Lett. Vol 95, 182505, (2009)。 最近，他们又采用重Mn掺杂和微纳加工相结合的办法，将居里温度为180K的 (Ga,Mn)As薄膜加工成纳米尺寸条状结构，再通过低温退火将其居里温度进一步提高到200K，改写了之前创造......阅读全文
半导体所等关于磁性半导体(Ga,Mn)As的研究获得进展
最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果，此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (Ga,Mn)A
半导体所等在磁性半导体(Ga,Mn)As研究中取得进展
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华团队及合作者美国佛罗里达州立大学教授熊鹏等在有机自组装分子单层对磁性半导体(Ga,Mn)As薄膜磁性调控研究方面取得新进展，相关成果发表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
磁性半导体的发展历史
第一代磁性半导体关于磁性半导体的研究可以追溯到20世纪60年代。我们首先来简单回顾一下关于浓缩磁性半导体（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究进展。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体，例如Eu或Cr的硫族化合物：岩盐
稀磁性半导体的研究进展
从根本上说主要是由于自旋电子之间的交换作用使得磁性半导体具有磁性。经常用于解释磁性半导体的磁性起源的交换作用模型有描述绝缘体中磁性的直接交换作用和超交换作用、载流子媒介交换作用和描述部分氧化物中掺杂磁性的束缚磁极化子模型。传统铁磁金属之间的铁磁耦合用直接交换作用机制来描述，而金属氧化物、硫化物、氟族
半导体掺杂有什么作用
半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。半导体的常用掺杂技术主要
有机半导体n-型掺杂研究新进展
在国家自然科学基金项目（批准号：21774055、51903117）等资助下，南方科技大学郭旭岗教授团队与美国Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有机半导体n-型掺杂中取得进展。相关成果以“过渡金属催化的有机半导体n-型分子掺杂（Transition metal ca
中国科大半金属磁性材料的理论设计取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室、化学与材料科学学院教授杨金龙研究组在寻找具有室温半金属磁性材料方面取得重要理论进展，使得制备可在常温环境下工作的自旋电子器件成为可能。此成果发表在《美国化学会志》上。 自旋电子器件基于电子自旋进行信息的传递、处理与存储，具有目前传统半导体
磁性半导体的定义
磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效应）和半导体特性的半导体材料。
磁性半导体的分类
磁性半导体研究热点为主要为两类半导体：稀磁半导体、铁磁半导体。