半导体所等关于磁性半导体(Ga,Mn)As的研究获得进展
最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果，此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (Ga,Mn)As兼具半导体和磁性材料的特征，过去十余年中受到了高度关注，已经成为磁性半导体大家族中的代表性材料，但是较低的居里温度限制了其实际应用。2009年，赵建华研究组曾利用重Mn掺杂的方法获得了居里温度为191K的(Ga,Mn)As薄膜，这是当时的国际最高纪录，相关结果发表在Appl. Phys. Lett. Vol 95, 182505, (2009)。 最近，他们又采用重Mn掺杂和微纳加工相结合的办法，将居里温度为180K的 (Ga,Mn)As薄膜加工成纳米尺寸条状结构，再通过低温退火将其居里温度进一步提高到200K，改写了之前创造......阅读全文
半导体所等关于磁性半导体(Ga,Mn)As的研究获得进展
最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果，此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (Ga,Mn)A
半导体所等在磁性半导体(Ga,Mn)As研究中取得进展
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华团队及合作者美国佛罗里达州立大学教授熊鹏等在有机自组装分子单层对磁性半导体(Ga,Mn)As薄膜磁性调控研究方面取得新进展，相关成果发表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
磁性半导体的发展历史
第一代磁性半导体关于磁性半导体的研究可以追溯到20世纪60年代。我们首先来简单回顾一下关于浓缩磁性半导体（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究进展。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体，例如Eu或Cr的硫族化合物：岩盐
稀磁性半导体的研究进展
从根本上说主要是由于自旋电子之间的交换作用使得磁性半导体具有磁性。经常用于解释磁性半导体的磁性起源的交换作用模型有描述绝缘体中磁性的直接交换作用和超交换作用、载流子媒介交换作用和描述部分氧化物中掺杂磁性的束缚磁极化子模型。传统铁磁金属之间的铁磁耦合用直接交换作用机制来描述，而金属氧化物、硫化物、氟族
半导体掺杂有什么作用
半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。半导体的常用掺杂技术主要
中国科大半金属磁性材料的理论设计取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室、化学与材料科学学院教授杨金龙研究组在寻找具有室温半金属磁性材料方面取得重要理论进展，使得制备可在常温环境下工作的自旋电子器件成为可能。此成果发表在《美国化学会志》上。 自旋电子器件基于电子自旋进行信息的传递、处理与存储，具有目前传统半导体
有机半导体n型掺杂研究新进展
在国家自然科学基金项目（批准号：21774055、51903117）等资助下，南方科技大学郭旭岗教授团队与美国Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有机半导体n-型掺杂中取得进展。相关成果以“过渡金属催化的有机半导体n-型分子掺杂（Transition metal ca
磁性半导体的定义
磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效应）和半导体特性的半导体材料。
磁性半导体的分类
磁性半导体研究热点为主要为两类半导体：稀磁半导体、铁磁半导体。
掺杂空气可让有机半导体更导电
瑞典林雪平大学的研究人员开发了一种新方法，在空气作为掺杂剂的帮助下，可让有机半导体变得更具导电性。发表在最新一期《自然》杂志上的这项研究，是迈向未来生产廉价和可持续有机半导体的重要一步。林雪平大学副教授西蒙娜·法比亚诺表示，这种方法可以显著影响有机半导体的掺杂方式。新方法中所有组件都是实惠的、容易获
掺杂空气可让有机半导体更导电
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlne科技日报北京5月19日电 （记者张佳欣）瑞典林雪平大学的研究人员开发了一种新方法，在空气作为掺杂剂的帮助下，可让有机半导体变得更具导电性。发表在最新一期《自然》杂志上的这项研究，是迈向未来生产廉价和可持续有机半导体的重要一步。
我国学者发现磁性拓扑绝缘体中的双分量反常霍尔效应
反常霍尔效应是磁性材料的基本输运性质之一。经过长达一百多年的研究，直至本世纪初物理学家们才认识到反常霍尔效应与电子能带的贝里曲率相关。近年来，磁性拓扑绝缘体中的自旋结构、贝里曲率和反常霍尔效应之间的关系受到了广泛的关注。一个重要的实验进展是在Cr、V等掺杂的(Bi,Sb)2Te3薄膜中观察到了量
稀磁半导体的磁学机理和物理特性
磁性离子掺入到半导体中替代部分阳离子的位 置形成稀磁半导体，通过局域自旋磁矩和载流子之间 存在强烈的自旋-自旋交换作用，在外加电场或者磁 场的影响下，会使载流子的行为发生改变，从而产生 异于半导体基质的特性。自旋-自旋交换相互作用是 DMS 材料区别于非磁半导体材料的关键，也是形成 各种磁极化子的主
稀磁性半导体的应用
稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，因兼具有半导体和磁性的性质，即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度，因而引起广泛关注，尚处于研究阶段。
磁性半导体的应用特点
磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效应）和半导体特性的半导体材料。如果在设备里使用磁性半导体，它们将提供一种新型的导电方式。传统的电子元件都是以控制电荷自由度（从而有n型和p型半导体）为基础工作，磁性半导体能控制电子的自旋自由度（于是有了
稀磁性半导体的制备方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技术由于其在原子尺度上精 确控制外延膜厚、掺杂和界面平整度的特点，明显优 于液相外延法和气相外延生长法，更有利于生长高质 量DMS薄膜。采用低温分子束外延（LT-MBE）技术， 能够有效的抑制新相的析出，同时辅助以高能电子衍 射仪（RHEED），监控生长过程中的表面再
Al3+对Mn2+掺杂高硅玻璃光致发光和辐致发光影响研究进展
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术实验室探究了Al3+对Mn2+掺杂高硅玻璃光致发光和辐致发光性能，相关研究成果以Effect of Al3+ on the Photoluminescence and Radioluminescence Properties of Mn2+-D
中国科大二维磁性半导体材料研究获进展
中国科学技术大学国家同步辐射实验室副研究员闫文盛、孙治湖和刘庆华组成的研究小组在教授韦世强的带领下，利用同步辐射软X射线吸收谱学技术，在研究二维超薄MoS2半导体磁性材料的结构、形貌和性能调控中取得重要进展。该研究成果发表在《美国化学会志》上。 二维超薄半导体纳米片具有宏观上的超薄性、透明性
福建物构所稀土掺杂半导体纳米发光材料研究取得新进展
稀土掺杂TiO2纳米晶敏化发光和上转换发光示意图 稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料，二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比，半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多，因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光
半导体所在石墨烯的化学掺杂及其物性研究方面取得新进展
石墨插层化合物自1841年被发现以来，一直广泛应用于电极、电导体、超导体和电池等方面。但是，传统的石墨插层化合物由于其厚度和大尺寸的限制，很难应用于纳米器件。另一方面，石墨烯在纳米电子和光电子器件方面具有显著的潜在应用，提高其载流子浓度和迁移率一直是基础物理和器件应用研究领域所致力解决的目标之一
郑小宏课题组在二维二氧化锡材料研究中取得进展
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所计算物理与量子材料研究部研究员郑小宏课题组在二维二氧化锡（SnO2）材料研究中取得进展。研究人员基于第一性原理计算方法理论预测SnO2的二维单层δ相（P-4m2）可以稳定存在，并发现δ相的二维SnO2材料具有平面内负泊松比特性。此外，通过空穴载流子
稀磁性半导体的发展前景
稀磁半导体兼具半导体和磁性材料的性质，使同时利用半导体中的电子电荷与电子自旋成为可能，为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器件提供了条件。尽管对于DMS材料应用的研究尚处于实验探索阶段，但已展示出其广阔的应用前景。如将 DMS材料用作磁性金属与半导体的界面层，实现自旋极化的载流子向非磁性半导体中的
中国科大自旋电子学材料的理论设计获进展
近日，中国科学技术大学杨金龙教授研究组在电场调控半导体载流子自旋取向方面取得重要理论进展，使得制备电学可控的自旋电子学材料成为可能。该成果发表在《美国化学会志》上。 自旋电子学是基于电子的自旋进行信息的传递、处理与存储的，它具有目前传统微电子学无法比拟的优势。在自旋电子学应用中，如何实现用电场
化物所金盛烨组发现锰离子掺杂钙钛矿单晶荧光动力机理
近日，中国科学院大连化学物理研究所超快时间分辨光谱与动力学研究组（1110组）研究员金盛烨团队在正二价锰离子（Mn2+）掺杂的单一CsPbCl3钙钛矿微晶中，通过改变激发条件，成功实现了连续、可逆、宽范围、高稳定性的发光颜色调控，发现锰离子掺杂钙钛矿单晶荧光动力学调控机理。 CsPbX3(X=
新技术在水溶液中精确掺杂有机半导体
由日本国立材料科学研究所、东京大学和东京科学大学组成的研究团队，首次开发出能在水溶液中精确掺杂有机半导体的技术。最新技术不需要在真空中使用特殊设备获得氮气环境，有望给半导体领域带来全新突破，并在医疗保健和生物传感领域找到用武之地。相关论文发表于最新一期《自然》杂志。 在最新研究中，科学家开发出
新技术在水溶液中精确掺杂有机半导体
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/516074.shtm
物理所宽禁带半导体磁性起源研究取得新进展
中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）陈小龙研究员及其领导的功能晶体研究与应用中心一直致力于宽禁带半导体磁性起源问题的研究。最近，他们从实验和理论上证明了双空位导致磁性，首次在实验上给出了直接证据，为通过缺陷工程调控宽禁带半导体的磁性提供了实验基础，相应结果发表在Phy
国内外学者在有机半导体n型掺杂研究方面取得进展
图1 基于过渡金属催化的n-型分子掺杂概念和对应的催化掺杂机理 在国家自然科学基金项目（批准号：21774055、51903117）等资助下，南方科技大学郭旭岗教授团队与美国Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有机半导体n-型掺杂中取得进展。相关成果以“过渡金属催化的有
山东大学团队：电控磁效应调控二维磁性材料物性新进展
近日，山东大学微电子学院教授王以林团队及合作者在电控磁效应调控二维磁性材料物性研究中取得新进展，相关成果发表在材料领域权威期刊《先进功能材料》。 二维磁性材料由于其超薄厚度和弱层间范德华相互作用，其磁性能如居里温度（奈尔温度）、磁各向异性、矫顽力等可以通过载流子浓度、层间距、应力应变、界面等多