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钙钛矿单晶数字图像传感器研究获进展

中科院大连化物所研究员刘生忠与陕西师范大学副教授杨周等在钙钛矿单晶数字图像传感器研究中取得新进展。相关结果日前发表于《先进材料》杂志。 钙钛矿是应用于太阳能电池的超级材料,同时在光电子领域展现出重要的应用前景。与多晶薄膜相比,钙钛矿单晶具有更好的光电性能。 研究团队通过微调晶体成核和生长过程,首次开发了一种低温梯度结晶方法来生长高质量的钙钛矿单晶,并且获得了超低的缺陷态密度,从而大大提高了载流子迁移率和载流子迁移寿命。 同时,研究人员利用高质量的单晶设计,制备了由729像素传感器阵列组成的大面积成像组件。该器件具有非常快的响应速度、优异的光响应度、高分辨率的成像功能以及很好的稳定性,是目前报道的首例基于大尺寸单晶钙钛矿的高性能数字图像传感器,为使用钙钛矿单晶材料设计开发新型光电器件提供了新思路。......阅读全文

钙钛矿单晶数字图像传感器研究获进展

中科院大连化物所研究员刘生忠与陕西师范大学副教授杨周等在钙钛矿单晶数字图像传感器研究中取得新进展。相关结果日前发表于《先进材料》杂志。 钙钛矿是应用于太阳能电池的超级材料,同时在光电子领域展现出重要的应用前景。与多晶薄膜相比,钙钛矿单晶具有更好的光电性能。 研究团队通过微调晶体成核和生长过程

单晶有机金属钙钛矿光纤首次制成

科技日报北京9月25日电 (记者张梦然)钙钛矿从光中传输电荷的效率非常高,被称为太阳能电池板和LED显示器的下一代材料。英国伦敦玛丽女王大学的一个研究团队发明了一种利用钙钛矿制备光纤的全新应用。他们通过使用一种新的温度生长方法,能在非常便宜的液体溶液中生长并精确控制单晶有机金属钙钛矿纤维的长度和直径

我国研发大尺寸单晶钙钛矿数字图像传感器

  近日,大连物化所薄膜硅太阳电池研究组(DNL1606)刘生忠研究员与陕西师范大学杨周副教授、刘渝城博士等在钙钛矿单晶数字图像传感器研究中取得新进展,相关研究结果在《先进材料》(Advanced Materials)上发表。  作为太阳能电池应用的超级材料,钙钛矿CH3NH3PbX3(MAPbX3

大连化物所大尺寸钙钛矿单晶研究取得进展

  近日,中国科学院大连化学物理研究所洁净能源国家实验室太阳能研究部硅基太阳能电池研究组(DNL1606)研究员刘生忠带领其团队利用升温析晶法,首次制备出了超大尺寸单晶钙钛矿CH3NH3PbI3晶体,尺寸超过2英寸(大于71 mm),这是世界上首次报导尺寸超过0.5英寸的钙钛矿单晶。相关结果在线发表

中国科大制备出高效稳定的钙钛矿单晶LED

 近日,中国科学技术大学物理学院、中科院强耦合量子材料物理重点实验室及合肥微尺度物质科学国家研究中心教授肖正国研究组,在制备高效稳定的钙钛矿单晶LED领域取得重要进展。该研究利用空间限制法生长出高质量、大面积、超薄的钙钛矿单晶,并首次制备出亮度超过86,000 cd/m2、寿命达12500 h的钙钛

中国科大制备出高效稳定的钙钛矿单晶LED

   近日,中国科学技术大学物理学院、中科院强耦合量子材料物理重点实验室及合肥微尺度物质科学国家研究中心的肖正国教授研究组在制备高效稳定的钙钛矿单晶LED领域取得重要进展。该研究团队利用空间限制法生长出高质量、大面积、超薄的钙钛矿单晶,并首次制备出亮度超过86,000 cd/m2,寿命高达12500

大连化物所在钙钛矿单晶数字图像传感器研究取得新进展

  近日,大连化物所薄膜硅太阳电池研究组(DNL1606)刘生忠研究员与陕西师范大学杨周副教授、刘渝城博士等在钙钛矿单晶数字图像传感器研究中取得新进展,相关研究结果在《先进材料》(Advanced Materials)上发表。  作为太阳能电池应用的超级材料,钙钛矿CH3NH3PbX3(MAPbX3

中国科大制备出钙钛矿单晶LED 寿命高达12500小时

中国科学技术大学物理学院教授肖正国研究组在制备高效稳定的钙钛矿单晶LED领域取得重要进展。该研究团队利用空间限制法生长出高质量、大面积、超薄的钙钛矿单晶,并首次制备出亮度超过86000坎德拉每平方米、寿命高达12500小时的钙钛矿单晶LED,向钙钛矿LED应用于人类照明迈出了重要一步。相关成果2月2

中美联合团队在钙钛矿单晶表观获得增强拉曼光谱

  近日,长春光机所郭春雷中美联合光子实验室首次在钙钛矿(CH3NH3PbCl3)单晶表观测到了吸附分子4-巯基吡啶(4-MPY)的表面增强拉曼光谱(SERS)信号,增强因子高达10-5。图1. 4-MPY修饰的CH3NH3PbCl3单晶钙钛矿在不同波长激光下的SERS光谱(A),界面电荷转移过程示

钙钛矿-钙铁石-单层钙钛矿三态拓扑学相变成功实现

  对于过渡金属氧化物体系,离子缺陷在诱导或提升材料功能方面起到了关键作用。人为调控离子过程是控制过渡金属氧化物功能的有力手段。氧缺陷和金属离子的缺陷可以在特定的温度和电场下移入、或者移出样品,进而产生磁有序、金属-绝缘体转变、铁电极化甚至结构转变等独特的物理现象。研究表明,通过控制离子的有序迁移,