“纳米科技”重点专项项目联合召开启动实施会议

2018年9月25日,国家重点研发计划“纳米科技”重点专项项目“高性能中远红外半导体激光器与探测成像芯片及应用”和“多场耦合纳米异质结构光电子器件的基础研究”在北京联合召开启动实施会议。专项总体专家组专家祝世宁院士、刘明院士、黄如院士以及同行专家解思深院士、郑有炓院士、夏建白中院士等10余位专家组成专家组,项目依托单位南京大学和中国科学院半导体研究所代表,科技部高技术中心“纳米科技”重点专项管理办公室(以下简称“专项办”)相关同志出席了会议。 会上,项目负责人施毅教授和陈弘达教授分别汇报了项目总体情况、组织实施机制和实施方案等内容,专项办对项目的组织实施提出了具体要求。“高性能中远红外半导体激光器与探测成像芯片及应用”项目针对我国国防装备、遥感探测等领域战略需求,以研制高性能中远红外量子级联激光器(QCL)和锑化物探测成像芯片为核心目标开展深入系统研究。“多场耦合纳米异质结构光电子器件的基础研究”项目围绕多场耦合纳米......阅读全文

带你深入了解半导体激光器

   半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器,以半导体材料为增益介质,在各类激光器中拥有能量转化效率,同时还具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高、能耗低等优点,因此被广泛应用于激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等多个领域。  半导体激光器是以半导体材料为工作物质的一类激光器件。

常用的半导体激光器的应用

量子阱半导体大功率激光器在精密机械零件的激光加工方面有重要应用,同时也成为固体激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可*性和小型化的优点,导致了固体激光器的不断更新。在印刷业和医学领域,高功率半导体激光器也有应用.另外,如长波长激光器(1976年,人们用Ga[nAsP/InP实现了长波长

半导体激光器发射激光的条件

我们的半导体激光器具有高稳定性、率、高可靠性、低噪声和的激光光束质量等特点。非常适合OEM设计,科学研究和工业使用。   半导体激光器与气体激光器、液体激光器等有一定的区别,半导体激光器中是以半导体材料来做工作物质的,那么大家知道半导体激光器发射激光的条件是什么吗?下面中国传感器交易网的专家来给大家

半导体激光器使用注意事项

半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。 半导体激光器是

半导体激光器的发展过程

在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯(Keyes)和奎斯特(Quist)报告了砷化镓材料的光发射现象,这引起通用电气研究实验室工程师哈尔(Hall)的极大兴趣,在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后,哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划,并与

半导体激光器的功能和种类

半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、

半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位

  半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位   半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器,以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始,半导体激光器明显向着两个方向发展,一类是以传递信息为目的的信息型激光器,另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。   半导体激

半导体激光器在激光器领域中的重要地位

  半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器,以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始,半导体激光器明显向着两个方向发展,一类是以传递信息为目的的信息型激光器,另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。  半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光

半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位

 半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器,以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始,半导体激光器明显向着两个方向发展,一类是以传递信息为目的的信息型激光器,另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。  半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆

激光粒度仪中半导体激光器与氦氖激光器

半导体激光器氦氖激光器外观激光功率稳定性对比 半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管,即LD(Laser Diode),绝大多数半导体激光器模块生产厂家均是购买来LD然后进行装配的。半导体激光管(LD)的激光输出功率会随其壳体的温度变化而有较大变化。下图为一个典型的半导体激光管的功率-电流曲线,从

半导体量子芯片开发获重要进展

  “量子芯片”是未来量子计算机的“大脑”。中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室郭国平研究组,在量子芯片开发领域的一项重要进展,首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特。该成果近日在国际权威杂志《物理评论快报》发表。   郭

推拉力测试机半导体芯片测试设备

推拉力测试机设备特点1.所有传感器采用高速动态传感及高速数据采集系统,确保测试数据的准确无误。2.采用公司独特研发的高分辨率(24 BitPlus超高分辨率)的数据采集系统。3.采用公司独有的安全限位及安全限速技术,让操作得心应手。4.采用公司独有的智能灯光控制与调节系统,减少光源对视力的损伤。5.

我国半导体芯片制造底层技术短板待补

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511585.shtm在过去200多年中,人们在半导体中发现了许多物理效应,其中真正改变人们生活的伟大发现有三个:晶体管、半导体激光器和白光照明。晶体管是半导体芯片的基础,从人工智能、移动通讯到云计算、互

半导体芯片制造废水处理方法

   芯片制造生产工艺复杂,包括硅片清洗、化学气相沉积、刻蚀等工序反复交叉,生产中使用了大量的化学试剂如HF、H2SO4、NH3・H2O等。 所以一般芯片制造废水处理系统有含氨废水处理系统+含氟废水处理系统+CMP研磨废水处理系统。

InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究

本文主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体激光器系统和Ⅲ-Ⅴ族材料的性质,并详述了InGaAsSb半导体激光器的主要用途、优势以及目前的研究进展。分析了金属与半导体整流接触及欧姆接触的相关原理,设计了一种GaSb基

InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究

主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体激光器系统和Ⅲ-Ⅴ族材料的性质,并详述了InGaAsSb半导体激光器的主要用途、优势以及目前的研究进展。分析了金属与半导体整流接触及欧姆接触的相关原理,设计了一种GaSb基半导

半导体激光器的功能及介质介绍

半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、

半导体激光器与氦氖激光的对比

波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米,显然优于半导体激光635纳米和650纳米。  氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的,这已经是光学界的共识。  半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的,可以达到几十至几百cm-1,也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。  从激光原理看,激

激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比

波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米,显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的,这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的,可以达到几十至几百cm-1,也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看,激光发光与跃迁

激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比

 波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米,显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的,这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的,可以达到几十至几百cm-1,也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看,激光发光与跃

美用迄今最薄半导体造出新型纳米激光器

  美国科学家们利用迄今最纤薄(仅为三个原子厚)的半导体,制造出一种新型纳米激光器,其不仅能效更高,容易制造且可与目前的电子设备兼容。研究人员表示,这一研究成果为最终制造出用光而非电子传输信息的下一代计算设备奠定了坚实的基础。   从医疗到金属切割再到电子产品,激光器都在其中扮演重要角色,但为了满足

首款国产太赫兹成像芯片发布

  一枚米粒大小的太赫兹芯片,却能在人体安检仪中发挥出巨大功能。记者23日从中国电子科技集团获悉,由中国电科13所研制的首款国产太赫兹成像芯片在首届数字中国建设峰会上正式发布。  这款芯片可以探测出人体自身辐射的微弱太赫兹波,并通过仪器内部算法,对检测到的信号进行分析,即可对人体进行成像,帮助安检人

首款国产太赫兹成像芯片发布

 一枚米粒大小的太赫兹芯片,却能在人体安检仪中发挥出巨大功能。记者23日从中国电子科技集团获悉,由中国电科13所研制的首款国产太赫兹成像芯片在首届数字中国建设峰会上正式发布。   这款芯片可以探测出人体自身辐射的微弱太赫兹波,并通过仪器内部算法,对检测到的信号进行分析,即可对人体进行成像,帮助安

首款国产太赫兹成像芯片发布

     一枚米粒大小的太赫兹芯片,却能在人体安检仪中发挥出巨大功能。记者23日从中国电子科技集团获悉,由中国电科13所研制的首款国产太赫兹成像芯片在首届数字中国建设峰会上正式发布。以往,安检仪中的核心成像芯片技术一直被国外控制。中国电科13所副所长王强介绍,这款太赫兹芯片,在材料生长、工艺制造、仿

美设计出可用于光学数据连接的微型激光器

  据物理学家组织网7月23日报道,美国科学家在7月22日出版的《自然·光子学》杂志上撰文指出,他们设计出一种仅2微米高的新式表面发射激光器,可以实现单一芯片上的光学连接。新激光器“娇小”的外形让制造商们更容易在下一代计算机的微处理器上实现高速的光学数据连接,且成本更低,最终显著提高计算机的运行速度

集成太赫兹收发器在美问世

  据美国物理学家组织网6月30日(北京时间)报道,美国科研人员开发出了首个集成太赫兹(THz)固态收发器,新设备比目前使用的太赫兹波设备更小,功能更强大。相关研究成果发表在最新一期的《自然·光子学》杂志上。   太赫兹技术是近年来十分热门的一个研究领域,2004年被评为影响世界未

半导体二极管激光器的应用

半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦,其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及

半导体激光器助力生命科学研究

Qioptiq激光器如何提高生命科学仪器的性能?在生命科学仪器如流式细胞仪中,提高仪器性能关注的问题:1. 把聚焦的光束打到一个流动的,且小于100μm宽的样品上。为了从流动的目标上得到有意义的数据,这样就必须保证探测器和光源具有非常好的稳定性,它们两个中任何一个有移动的话,都会产生图像抖动和降低分

半导体激光器的关键技术有哪些

  半导体激光器的关键技术有哪些   半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类,也广泛应用于印刷业和医学领域,也因此成为了热卖产品,加快了以取代激光打标机市场份额的步伐,非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件,具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽,转换效率高、高可靠和易

蓝绿光半导体激光器将国产化

  记者1日从中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(以下简称中科院苏州纳米所)获悉,该研究所与多家企业合作,成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。  这意味着,被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。  氮化镓基蓝绿光半导体激光器是第三代半导体材料的重要方向。尽管目前它在市场