我国学者在相变存储异质结研究方面取得重要进展
在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（批准号：61622408）、面上项目（批准号：61774123）等资助下，深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作，在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-change Heterostructure Enables Ultralow Noise and Drift for Memory Operation”（超低噪声与漂移的相变异质结存储器）为题，于2019年8月22日在Science（《科学》）上以First Release形式发布。论文链接：https://science.sciencemag.org/content/early/2019/08/21/science.aay0291。 相变随机存储器（PCRAM）是近年来倍受关注的新型非易失性存储器之一，基于PCRAM技术的神经元计算器......阅读全文
我国学者在相变存储异质结研究方面取得重要进展
在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（批准号：61622408）、面上项目（批准号：61774123）等资助下，深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作，在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-cha
国产55纳米相变存储芯片
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、
单相变压器的定义
单相变压器即一次绕组和二次绕组均为单相绕组的变压器。 单极性开关电源，指输出为单极性，也就是只有正极、负极输出，相对于双极性开关电源说的，双极性开关电源有三条输出，分为正电源、负电源、地线。 单相变压器结构简单、体积小、损耗低，主要是铁损小，适宜在负荷密度较小的低压配电网中应用和推广。苏州市
单相变压器的意义
用料少 相同容量的单相变压器比三相变压器用铁减少20%，用铜减少10%。尤其是采用卷铁芯结构时，变压器的空载损耗可下降15%以上，这将使单相变压器的制造成本和使用成本同时下降，从而获得最佳的寿命周期成本。 线路投资低 在电网中采用单相供电系统，可节省导线33%～63%，按经济电流密度计算，
影响生物膜相变的原因
①脂肪酸链的长度,长度越长,膜的相变温度越高.②脂肪酸链的不饱和度,越高,相变越低.③固醇类,他们可使液晶相存在温度范围变宽.④蛋白质,影响与固醇一样.
有望听见核物质相变的“声音”
近期，一支国际联合研究团队利用双中子星并合过程中的引力波辐射特性研究核物质转变，取得了重要进展。10月26日，相关研究成果发表在《物理评论快报》（Physical Review Letters）上，并被美国物理学会《物理》杂志作为亮点报道。中国科学院紫金山天文台（以下简称紫金山天文台）博士研究生黄永
压电效应和拓扑量子相变
近期，美国宾夕法尼亚州立大学刘朝星教授课题组从理论上提出压电响应的突变可以表征一系列二维拓扑相变,从而第1次揭示了压电系数和拓扑相变间的关系。相关成果以“Piezoelectricity and Topological Quantum Phase Transitions in Two-Dime
单相变压器的分类
变压器的最基本型式，包括两组绕有导线的线圈，并且彼此以电感方式称合一起。当一交流电流（具有某一已知频率）流于其中的一组线圈时，于另一组线圈中将感应出具有相同频率的交流电压，而感应的电压大小取决于两线圈耦合及磁交链的程度。
量子相变标度行为研究取得进展
二维和三维二聚海森堡模型中从反铁磁态到顺磁态的量子相变是目前研究比较透彻的量子相变问题，且三维系统中该类相变已经在实验材料中得到实现，但此类相变中标度律和普适类等根本性问题仍然存有争议。最近，由中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心理论室博士后马女森、特聘教授Anders W. San
相变压器容量选择原则
1）相变压器容量选择原则 当10kV配网中的用电负荷处于正常状态的时候，可以通过减少设备容量来降低线路损耗过高的现状，低压配电网的负荷是随时变化的，会随着用电时间、季节等发生改变，在10kV配网设计过程中一般采用单三混一的配电变压器安装方案，这种方案可以配置一台或多台单相配电变压器，根据具体的
相变过程导热系数的研究
相变材料(PCM - Phase Change Material)是指随温度变化而改变物理性质并能提供潜热的物质。转变物理性质的过程称为相变过程，相变材料将吸收或释放大量的潜热，称为相变潜热。相变材料物理状态发生变化时，材料自身的温度在相变完成前几乎维持不变，形成一个宽的温度平台，但吸收或释放的潜热
储存和存储器的不同特性比较
目前最广泛使用的数字储存装置是硬盘（HDD），但它受欢迎的程度正迅速下滑…数字数据储存正历经强大的成长态势，2016年即已增加到超过10，000艾位元组（Exabyte；EB）或10皆位元组（Zettabyte；ZB）的电子数据。值得一提的是，在位元的次方单位表中，目前只剩下“佑位元组”（Y
关于傅里叶变换的存储器控制介绍
因FFT是为时序电路而设计的，因此，控制信号要包括时序的控制信号及存储器的读写地址，并产生各种辅助的指示信号。同时在计算模块的内部，为保证高速，所有的乘法器都须始终保持较高的利用率。这意味着在每一个时钟来临时都要向这些单元输入新的操作数，而这一切都需要控制信号的紧密配合。 为了实现FFT的流形
研究阐明砷在双向阈值开关中的作用机制
砷（As）是高毒性元素，但长期以来被广泛用于半导体制造，即通过将砷注入硅衬底制造N型半导体。同时，砷是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程具有重要的作用。相变存储器是新兴的存储器技术，可填补现代计算机中闪存和内存之间的性能鸿沟。1964 年，
研究阐明砷在双向阈值开关中的作用机制
砷（As）是高毒性元素，但长期以来被广泛用于半导体制造，即通过将砷注入硅衬底制造N型半导体。同时，砷是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程具有重要的作用。相变存储器是新兴的存储器技术，可填补现代计算机中闪存和内存之间的性能鸿沟。1964
科研学者开发出高性能相变无纺布
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员史全团队、研究员吴忠帅团队和澳大利亚迪肯大学陈英教授团队合作，在柔性纤维型相变材料研究方面取得新进展。合作团队通过湿法纺丝和真空浸渍制备了柔性石墨烯—氮化硼纤维基的相变无纺布，并将其用于可穿戴人体热管理器件中。该复合相变无纺布具有优异的柔韧性、储热能力、透
低能宇宙相变参数空间研究取得进展
宇宙温度从远大于1012开尔文的高温冷却到如今接近绝对零度，经历了138亿年的历史。早期宇宙是混沌的夸克-胶子等离子体，经历了基于粒子物理模型的数次标志性相变后，当前宇宙相对稳定的结构得以形成。在相变发生过程中，真空泡泡不断产生，膨胀、碰撞、融合，最终物理参数稳定在有效势能的真空附近。原则上，相
Labsys－DSC铁的相变与熔融
Labsys DSC-铁的相变与熔融 实验条件：实验仪器：Labsys DSC 1600样品：铁样品质量：229.59 mg气氛：氩气程序控温以10 K.min -1的升温速率从20℃加热至1600℃ 实验结论：在加热过程中可以观察到不同的现象：769°C时 : 居里点924°C时 : a ® g相
我国学者揭示相变材料新阶段
清华大学物理系于浦研究组及其中外合作者，首次在单一材料中实现了双离子的电场可控结构相变，并揭示了基于三态相变过程中光、电和磁学特性调控的器件应用。相关成果近日在线发表于《自然》。该刊同期发表的题为《凝聚态物理：功能材料的转瞬之间》的评述文章对此做出高度评价。 电场控制离子导致的结构相变在物理及
科研学者开发出高性能相变无纺布
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员史全团队、研究员吴忠帅团队和澳大利亚迪肯大学陈英教授团队合作，在柔性纤维型相变材料研究方面取得新进展。合作团队通过湿法纺丝和真空浸渍制备了柔性石墨烯—氮化硼纤维基的相变无纺布，并将其用于可穿戴人体热管理器件中。该复合相变无纺布具有优异的柔韧性、储热能力、透气性
低能宇宙相变参数空间研究取得进展
宇宙温度从远大于1012开尔文的高温冷却到如今接近绝对零度，经历了138亿年的历史。早期宇宙是混沌的夸克-胶子等离子体，经历了基于粒子物理模型的数次标志性相变后，当前宇宙相对稳定的结构得以形成。在相变发生过程中，真空泡泡不断产生，膨胀、碰撞、融合，最终物理参数稳定在有效势能的真空附近。原则上，相
我所提出时空相变材料的概念
原文地址：http://www.dicp.cas.cn/xwdt/kyjz/202303/t20230301_6687090.html 近日，我所氢能与先进材料研究部热化学研究组（DNL1903组）史全研究员团队基于热能长期存储与可控释放的理念，提出了时空相变材料（Spatiotemporal P
主办EXPO－2024上海存储器展官网」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
韩企加速抢占高带宽存储器市场
当地时间3月18日至21日，在美国圣何塞举行的英伟达年度开发者会议“GTC 2024”上，韩国半导体企业全面展示了第五代HBM（高带宽存储器）产品，瞄准人工智能（AI）半导体用内存市场展开激烈竞争。英伟达在“GTC 2024”中推出新一代AI半导体产品“Blackwell”，性能较现有产品大幅提升，
韩企加速抢占高带宽存储器市场
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519756.shtm
一文读懂存储器的工作原理
1、存储器构造存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的1234这样的数字，这样，我们的一个谜团就解开了，计算机也没什么神秘的吗。图1让我们看图1。单片机里面都有这样的存储器，这是一个存储器的示意图：一个存储器就象一个
电子天平数据存储器功能解析
电子天平内部具有微处理器、计数器、一定容量的数据存储器RAM、程序存储器ROM、总线、输入/输出接口以及其它多种功能器件。主要功能的介绍如下： 1、中央处理单元CPU。中央处理单元CPU是将运算器、控制器和寄存器组等功能部件，通过内部总线集成在一块硅片上，CPU具有如下功能：可
新型存储器有望推动存储技术的变革
集成电路，俗称“芯片”，是信息技术产业的核心，被誉为国家的工业粮食。而存储器是存储信息的主要载体，占集成电路市场的四分之一，我国存储器市场占全球市场的一半，但缺乏自主知识产权和人才，导致高密度、大容量存储器完全依赖进口。这给我国的信息安全带来了极大的隐患。 为解决此难题，有一个团队默默耕耘了十
光激发VO2超快电子相变和结构相变的动力学解耦取得进展
二氧化钒（VO2）是一种典型的强关联材料。在温度约为340K时，VO2会经历从绝缘性单斜相（M1-VO2）到金属性金红石相（R-VO2）的一级相变过程。强关联材料中电荷、晶格、轨道和自旋等自由度强烈地耦合在一起，这使得VO2绝缘体-金属相变存在多种相变机制。超快激光脉冲通过激发固体材料的价电子可
科学家提出一种单质新原理开关器件
中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏研究团队在集成电路存储器研究领域获重大进展，成功研制出一种单质新原理开关器件，为海量三维存储芯片提供了新方案。这项研究成果12月10日发表于《科学》。 集成电路是我国的战略性、基础性和先导性产业，其中存储芯片是集成电路的三大芯片之一，直接关系到国