武汉物数所芯片原子磁强计研究取得进展
芯片化是原子磁强计设计的未来发展方向。近期，中国科学院武汉物理与数学研究所CPT频标组科研人员提出一种基于单束多色多偏振光与原子作用的磁强计探头设计方案，可利用芯片尺寸的微型化原子气室获取高灵敏度磁敏信号，为芯片级高精度原子磁强计设计提供了一种可行的方案。研究结果以快报形式发表在Physical Review Applied 上。 目前技术上较为成熟的芯片级原子磁强计采用双共振方案，其磁场灵敏度不高，在10pT/Hz1/2量级。传统的高精度原子磁强计采用法拉第旋光原理设计，由于需采用传播方向相互垂直的双束光与原子作用，因此难以芯片化。高级工程师张奕等采用单束多色多偏振光与原子作用，实现了与传统法拉第旋光效应原子磁强计方案相同的作用效果，实测得到的磁场灵敏度为20fT/Hz1/2。由于该方案采用单束光替代双束光与原子作用，故可大大减小探头体积，易于实现芯片化。 该项工作受到科技部重点研发计划、自然科学基金青年基金资助。图：......阅读全文
法拉第效应简介
线偏振光透过放置磁场中的物质，沿着磁场方向传播时，光的偏振面发生旋转的现象。也称法拉第旋转或磁圆双折射效应,简记为MCB。一般材料中，法拉第旋转（用旋转角θF表示）和样品长度l、磁感应强度B有以下关系 θF=VlB,V是与物质性质、光的频率有关的常数,称为费尔德常数。因为磁场下电子的运动总附加有右旋
什么是法拉第效应？
线偏振光透过放置磁场中的物质，沿着磁场方向传播时，光的偏振面发生旋转的现象。也称法拉第旋转或磁圆双折射效应,简记为MCB。一般材料中，法拉第旋转（用旋转角θF表示）和样品长度l、磁感应强度B有以下关系 θF=VlB,V是与物质性质、光的频率有关的常数,称为费尔德常数。因为磁场下电子的运动总附加有右旋
法拉第效应的定义
在物理学里，法拉第效应（又叫法拉第旋转，磁致旋光）是一种磁光效应（magneto-optic effect），是在介质内光波与磁场的一种相互作用。法拉第效应会造成偏振平面的旋转，这旋转与磁场朝着光波传播方向的分量呈线性正比关系。
法拉第效应的概念
在物理学里，法拉第效应（又叫法拉第旋转，磁致旋光）是一种磁光效应（magneto-optic effect），是在介质内光波与磁场的一种相互作用。法拉第效应会造成偏振平面的旋转，这旋转与磁场朝着光波传播方向的分量呈线性正比关系。
法拉第效应的分类
描述物体磁性强弱程度的一个重要物理量是磁化强度矢量M，即单位体积内各个磁畴磁矩的矢量和。磁化强度M与磁场强度H的关系表示为：M =χH式中 χ 为物体的磁化率。按照物质磁化率 χ 的大小和符号、物质磁性来源和磁结构特性，物质磁性可分为抗磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性五大类，下面分别简述五大
法拉第效应的应用介绍
法拉第效应可以应用于测量仪器。例如，法拉第效应被用于测量旋光度、或光波的振幅调变、或磁场的遥感。在自旋电子学里，法拉第效应被用于研究半导体内部的电子自旋的极化。法拉第旋转器（Faraday rotator）可以用于光波的调幅，是光隔离器与光循环器（optical circulator）的基础组件，在
法拉第效应的实验方法
法拉第效应是磁场引起介质折射率变化而产生的旋光现象，实验结果表明，光在磁场的作用下通过介质时，光波偏振面转过的角度（磁致旋光角）与光在介质中通过的长度L及介质中磁感应强度在光传播方向上的分量B成正比，即： [2] θ=VBL式中V称为费尔德常数，它表征物质的磁光特性。几种材料的费尔德常数值如下表。法
法拉第效应的概念和应用
线偏振光透过放置磁场中的物质，沿着磁场方向传播时，光的偏振面发生旋转的现象。也称法拉第旋转或磁圆双折射效应,简记为MCB。一般材料中，法拉第旋转（用旋转角θF表示）和样品长度l、磁感应强度B有以下关系 θF=VlB,V是与物质性质、光的频率有关的常数,称为费尔德常数。因为磁场下电子的运动总附加有右旋
武汉物数所芯片原子磁强计研究取得进展
芯片化是原子磁强计设计的未来发展方向。近期，中国科学院武汉物理与数学研究所CPT频标组科研人员提出一种基于单束多色多偏振光与原子作用的磁强计探头设计方案，可利用芯片尺寸的微型化原子气室获取高灵敏度磁敏信号，为芯片级高精度原子磁强计设计提供了一种可行的方案。研究结果以快报形式发表在Physical
法拉第效应的测量方法和应用
法拉第效应可以应用于测量仪器。例如，法拉第效应被用于测量旋光度、或光波的振幅调变、或磁场的遥感。在自旋电子学里，法拉第效应被用于研究半导体内部的电子自旋的极化。法拉第旋转器（Faraday rotator）可以用于光波的调幅，是光隔离器与光循环器（optical circulator）的基础组件，在