中科院深圳医工所在2D2D二维超薄异质结研究中取得进展

近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究中心在2D-2D二维超薄异质结研究方面获得新进展。相关成果以From one to two: In situ construction of an ultrathin 2D-2D closely-bonded heterojunction from a single-phase monolayer nanosheet(《由一生二——单相单层纳米片原位构建2D-2D超薄异质结》)为题发表在《美国化学会志》(Journal of the American Chemical Society)上。以色列理工博士邢政、西北大学副教授胡军与深圳先进院副研究员马明为文章共同第一作者,北京大学深圳研究生院教授杨世和与深圳先进院研究员李江宇为文章通讯作者。 发展至今,纳米材料的合成制备在其组分、尺寸和形貌上已经得到了精准地控制,各种纳米级的制备手段也被巧妙地开发出来,实现了诸如等......阅读全文

中科院深圳医工所在2D2D二维超薄异质结研究中取得进展

  近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究中心在2D-2D二维超薄异质结研究方面获得新进展。相关成果以From one to two: In situ construction of an ultrathin 2D-2D closely-bonded heterojuncti

深圳先进院等在2D2D二维超薄异质结研究方面取得新进展

  近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究中心在2D-2D二维超薄异质结研究方面获得新进展。相关成果以From one to two: In situ construction of an ultrathin 2D-2D closely-bonded heterojuncti

深圳先进院构筑二维黑磷面内异质结

  近日,中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组在二维黑磷领域取得新进展,通过控制钴原子在黑磷不饱和位点上的选择性沉积,制备出黑磷/磷化钴面内异质结,展现出优良的电催化活性。相关成果以In-Plane Black Phosphorus/Dicobalt Phosphide Heterostr

深圳先进院构筑二维黑磷面内异质结

  近日,中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组在二维黑磷领域取得新进展,通过控制钴原子在黑磷不饱和位点上的选择性沉积,制备出黑磷/磷化钴面内异质结,展现出优良的电催化活性。相关成果以In-Plane Black Phosphorus/Dicobalt Phosphide Heterostr

石墨烯/超薄超导异质结-为研发新超导器件提供了可能

  12月15日,记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉,该所信息功能材料国家重点实验室姜达、胡涛等科研人员通过机械剥离实现石墨烯/超薄超导(Bi2212)异质结,并在单层晶胞乃至半层晶胞厚的Bi2212材料中发现了高于液氮温度的超导转变。相关成果发表于《自然—通讯》杂志。  Bi2212为铜基

二维磁性超导异质结量子物态调控研究获进展

中山大学物理学院教授钟定永团队在国家自然科学基金、国家重点研究计划等项目的资助下,在二维磁性-超导异质结量子物态调控研究方面取得新进展。相关成果近日发表于《纳米快报》(Nano Letters)。磁性与超导电性是广受关注的宏观量子现象。当磁性材料与超导材料形成异质结时,由于两种物态的相互竞争与耦合,

异型异质结单异质结激光器的结构特点

特点:P-N结区较大,且电子或空穴向结区外扩散严重,使形成粒子数反转较难,要求泵浦电流较大,且只能以脉冲方式工作。是早期的半导体激光器,目前已不采用此类结构。

什么是同质结与异质结

1、同质结就是同一种半导体形成的结,包括pn结、pp结、nn结。2、异质结是一种特殊的PN结,由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成,这些材料具有不同的能带隙,它们可以是砷化镓之类的化合物,也可以是硅-锗之类的半导体合金。半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外,通过调节半

助力盐湖提锂,新型二维异质结复合膜获新突破

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512515.shtm近日,兰州大学教育部稀有同位素前沿科学中心教授陈熙萌、研究员李湛团队在盐湖卤水战略元素膜分离研究领域取得系列新进展。相关研究工作发表在美国化学会旗舰期刊《美国化学会志·金》上,并被选

上海微系统所准二维超导/石墨烯异质结研究取得突破

  近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所超导研究再获重要突破。信息功能材料国家重点实验室、超导实验室姜达、胡涛等人通过机械剥离实现石墨烯/超薄超导Bi2Sr2CaCu2O8+x(Bi2212)异质结,在单层晶胞乃至半层晶胞厚的Bi2212材料中发现了高于液氮温度的超导转变。研究论文High-T

固体所在二维垂直异质结的自旋极化输运研究中取得进展

  近日,固体所郑小宏研究员小组与加拿大麦吉尔大学、山西大学等单位合作,在基于二维垂直异质结构获得完全自旋极化电流的研究中取得新的进展,相关结果发表在Nanoscale(Nanoscale 10, 174-183 (2018))上。图1. (a) h-BN/graphene/h-BN垂直异质结构;(

什么是半导体异质结

半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构异质结图册,I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的

同型异质结的结构特点

特点:(1)同质PN结两边具有相同的带隙结构和相同的光学性能。(2)PN结区完全由载流子的扩散形成。

什么是半导体异质结

半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构异质结图册,I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的

南京工业大学新方法制备超薄半导体材料

  “我们制备了超薄的高质量二维碘化铅晶体,并且通过它实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控。”孙研兴奋地介绍。日前,南京工业大学王琳教授课题组的这一成果,发表在国际权威期刊《先进材料》(Advanced materials)上。  “我们首次制备的这一超薄碘化铅纳米片,专业术语称为‘原子级厚

HIT异质结电池是什么电池?

HIT异质结电池是指采用HIT结构的硅太阳能电池,所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改善了PN结的性能。因而使转换效率达到25%以上,开路电压达到729mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT异

HIT异质结电池的技术优点

HIT异质结电池的优点1.应用范围广泛:大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域,HIT异质结电池都具有了不能缺失的重要作用。2.效率提升潜力高:HIT异质结电池采用的N型硅片具有较高的少子寿命,非晶硅钝化处理的对应结构同样也可以取得较低

光伏驶入“异质结”新赛道

提升电池转化效率、降低发电成本一直是光伏企业的必修课题。不久前,爱康科技长兴基地第一片异质结电池试样生产正式下线,电池片转换效率达到了24.59%,高于目前光伏主流技术产品PERC(发射极和背面钝化电池)的近2%。 异质结电池全称为晶体硅异质结太阳电池,由于其在晶体硅上沉积了非晶硅薄膜,因此具备

新技术助力二维过渡金属硫族化学物“布阵”

半导体外延异质结是现代电子学和光电子学的基础。记者5月7日从湖南大学获悉,该校段曦东教授课题组报告了一种激光加工联合精准外延的系统性制造策略,制备了二维(2D)过渡金属硫族化学物(TMDs)横向异质结阵列。该研究是关于合成二维面内异质结阵列的首次公开报道,突破了二维面内异质集成的瓶颈,有

新技术助力二维过渡金属硫族化学物“布阵”

半导体外延异质结是现代电子学和光电子学的基础。记者5月7日从湖南大学获悉,该校段曦东教授课题组报告了一种激光加工联合精准外延的系统性制造策略,制备了二维(2D)过渡金属硫族化学物(TMDs)横向异质结阵列。该研究是关于合成二维面内异质结阵列的首次公开报道,突破了二维面内异质集成的瓶颈,有

异质结激光器的结构功能

中文名称异质结激光器英文名称heterostructure laser定  义有源区为窄直接带隙半导体材料,限制层为宽带隙半导体材料所形成的三层结构二极管激光器。应用学科材料科学技术(一级学科),半导体材料(二级学科),半导体微结构材料及器件(三级学科)

怎样判断构成z型还是异质结

Z型异质结的结构为n型半导体和p型半导体交替排列。Z型异质结的主要输运方式是漂移运动。通常形成异质结的条件是:两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。

异质结激光器的功能介绍

中文名称异质结激光器英文名称heterostructure laser定  义有源区为窄直接带隙半导体材料,限制层为宽带隙半导体材料所形成的三层结构二极管激光器。应用学科材料科学技术(一级学科),半导体材料(二级学科),半导体微结构材料及器件(三级学科)

搭建异质结会调低带隙吗

异质结特点: 1)界面处出现能带的突起和凹陷,可以促进或阻挡载流子。 2)界面处存在局域态,起到复合和俘获中心的作用。 3)两侧材料带隙宽度不...

怎样判断构成z型还是异质结

Z型异质结的结构为n型半导体和p型半导体交替排列。Z型异质结的主要输运方式是漂移运动。通常形成异质结的条件是:两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。

异质结材料拉曼峰分裂原因

振动或转动。异质结材料拉曼峰分裂原因是由于分子之间振动,转动造成的。利用拉曼光谱研究了四碘化锗分子晶体在高压下的变化,发现压力导致了拉曼峰的分裂。

科学家制备范德华异质结

北京高压科学研究中心研究员李阔、郑海燕课题组通过偶氮苯分子晶体的高压拓扑聚合反应,首次合成了有序的范德华碳氮纳米带异质结。相关结果3月16日发表于《美国化学会志》。图片来源:《美国化学会志》范德华异质结是由两种或两种以上具有不同化学成分、结构或性质的材料通过范德华力结合而成的人工纳米结构,因其独特的

搭建异质结会调低带隙吗

异质结特点: 1)界面处出现能带的突起和凹陷,可以促进或阻挡载流子。 2)界面处存在局域态,起到复合和俘获中心的作用。 3)两侧材料带隙宽度不...

二维范德华多铁异质结研究获突破-西安交大团队实现室温铁磁调控

近日,西安交通大学科研团队在二维范德华多铁异质结实验研究中取得重要突破。研究人员在Fe3GaTe2/CuInP2S6多铁异质结中,率先在室温下实现了显著的铁磁性的非易失电场调控。该成果通过宏观电学测试和微观磁畴成像多维验证了铁电极化对磁畴的调控效应,并结合第一性原理计算和微磁模拟,揭示了铁电极化打破

又薄又软的半导体新材料可制微纳光电器件

  性质柔软、厚度只有几纳米、光学性能良好……记者3日从南京工业大学获悉,该校王琳教授课题组制备出一种超薄的高质量二维碘化铅晶体,并且通过它实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控,为制造太阳能电池、光电探测器提供了新思路。该成果发表在最新一期国际期刊《先进材料》上。  “我们首次制备的这一超薄