HFSS二维薄片等效三维导体的应用技巧
在许多电磁仿真应用中，导体厚度不是影响器件电性能的关键因素，并且去掉导体厚度还可以提高解决效率。今天小编就和大家聊聊HFSS二维薄片或面上的的边界设置应用技巧。首先，我们来看两个例子：一、贴片天线铺铜厚度的影响二维薄片和三维实物的仿真结果对比如下图：二、微带滤波器铺铜厚度的影响二维薄片和三维实物的仿真结果对比如下图：由上面两个例子对比可知，并不是所有时候三维导体模型都能用二维薄面来等效的。对于贴片天线，采用三维或二维导体无区别，因为导体侧边效应不影响器件性能。而在耦合线滤波器中，由走线厚度产生的侧边效应会产生显著影响，故厚度不能忽略。应用技巧：1.利用侧边耦合的边耦合微带滤波器和其他利用走线间紧耦合实现其电性能的应用；如端耦合，并联耦合，梳状滤波器等。仿真时需要对导体建立三维模型；2.当导体厚度大于趋肤深度时，二维薄面对三维导体有很好的近似，此时导体铺铜在电磁场仿真中通常被作为二维物体，因为需要剖分网格的面越少，计算的效率越高。......阅读全文
HFSS二维薄片等效三维导体的应用技巧
在许多电磁仿真应用中，导体厚度不是影响器件电性能的关键因素，并且去掉导体厚度还可以提高解决效率。今天小编就和大家聊聊HFSS二维薄片或面上的的边界设置应用技巧。首先，我们来看两个例子：一、贴片天线铺铜厚度的影响二维薄片和三维实物的仿真结果对比如下图：二、微带滤波器铺铜厚度的影响二维薄片和三维实物的仿
二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入
磁性半导体在三维材料中保留二维量子特性
美国宾夕法尼亚州立大学和哥伦比亚大学领导的国际团队在新一期《自然·材料》杂志上发表了一项重要研究成果，展示了磁性半导体在三维材料中保持特殊的二维量子特性。这一突破为现实世界中的光学系统和高级计算应用提供了新的可能性。 尽管二维材料如石墨烯展示了广泛的功能，并具有革命性的潜力，但维持其在二维极限
HFSS三种辐射边界的区别与选择技巧（一）
概述：众所周知，HFSS里面的吸收边界条件有3个，分别是Radiation（ABC）、PML和FE-BI，那么这三个边界的应用有什么区别？应该怎么应用呢？今天小编在这里给大家好好分析一下。Radiation边界（ABC）：— 计算天线等强辐射问题时，距离辐射体应当至少λ/4；— 对于弱辐射问题，仅考
HFSS三种辐射边界的区别与选择技巧（二）
PML边界与辐射体距离的关系如下图：由上图可以看到，PML边界与波的入射角度和辐射体距离的关系都不是很大，对仿真结果一致性较高。FE-BI边界：— 专门针对电大尺寸的开放结构仿真；— 对辐射体距离没有要求；— 能够完全吸收所有的入射波；— 与结构的共形性非常好；— FE-BI算法可以有效降低计算机硬
HFSS在天线设计上的应用（一）
HFSS作为业界第一个商业化的三维全波任意结构电磁场仿真工具，可以为天线及其系统设计提供全面的仿真功能：包括设计、优化及天线的性能评估。HFSS能够精确仿真计算天线的各种电性能，包括二维、三维远场/近场辐射方向图、天线增益、轴比、计划比、半功率波瓣宽度、内部电磁场场型、天线阻抗、电压驻波比、S参数等
HFSS在手机MIMO天线中的应用
1、前言无线通信正朝着大容量、高传输率和高可靠性的方向发展。近年来，频率资源的严重不足已经成为遏制无线通信发展的瓶颈。多输入多输出(MIMO)技术无需要额外的发射功率和频谱资源，就可以极大地提高无线通信系统的容量，故MIMO技术已经成为当前研究的一个热门课题，是众多方法中很有潜力和优势的一项技术。而
HFSS在天线设计上的应用（三）
2）查看回波损耗S11：回波损耗回波损耗是电缆链路由于阻抗不匹配所产生的反射，是一对线自身的反射，是天线设计需要关注的参数之一。上面的S11图是天线在2G Hz ~3 G Hz频段内的回波损耗，这个贴片偶极子天线中心频率约为2.45G Hz。3）电压驻波比VSWR：电压驻波比VSWR,是指驻波的电压
HFSS在天线设计上的应用（四）
6）XOZ方向图：方向图是方向性函数的图形表示，它可以形象描绘天线辐射特性随着空间方向坐标的变化关系。辐射特性有辐射强度、场强、相位和极化。通常讨论在远场半径为常数的大球面上，天线辐射（或接收）的功率或者场强随位置方向坐标的变化规律，并分别称为功率方向图和场方向图。天线方向图是在远场区确定的，所以又
HFSS在天线设计上的应用（二）
4）设置端口激励：天线的馈电点设置在整个天线的中心位置，采用集中端口Lump port，具体设置参考如下。5）设置边界条件：要在HFSS里面分析天线的对外辐射场，需要将边界条件设置为辐射边界，即Radiating only，辐射边界距离辐射体的距离不能小于天线波长的四分之一。如上模型图。6）制定激励
HFSS算法及应用场景介绍（三）
混合算法（FEBI，IE-Region，PO-Region，SBR+ Region）前面对频率内的各种算法做了介绍并说明了各种算法应用的场景，很多时候碰到的工程问题既包括复杂结构物理也包括超大尺寸物理，如新能源汽车上的天线布局问题，对仿真而言，最好的精度是用全波算法求解，最快的速度是采用近似算求解，
HFSS算法及应用场景介绍（一）
前言相信每一位使用过HFSS的工程师都有一个疑问或者曾经有一个疑问：我怎么才能使用HFSS计算的又快又准？对使用者而言，每个工程师遇到的工程问题不一样，工程经验不能够直接复制；对软件而言，随着HFSS版本的更新，HFSS算法越来越多，针对不同的应用场景对应不同的算法。因此，只有实际工程问题切合合适的
HFSS算法及应用场景介绍（二）
IE算法是三维矩量法积分方程技术，支持三角形网格剖分。IE算法不需要像FEM算法一样定义辐射边界条件，在HFSS中主要用于高效求解电大尺寸、开放结构问题。与HFSS FEM算法一样，支持自适应网格技术，也可以高精度、高效率解决客户问题，同时支持将FEM的场源链接到IE中进行求解。HFSS-I
HFSS算法及应用场景介绍（四）
在HFSS中，使用eigenmode算法可计算三维结构谐振模式，并可呈现图形化空间的谐振电压波动，分析结构的固有谐振特性。依据谐振分析的结果，指导机箱内设备布局和PCB层叠布局，改善电磁兼容特性。图13、Eigenmode算法应用场景总结HFSS里面有各种不同的算法，有全波算法、近似算法以及时域算法
薄片分析技术在保护油气层中的应用
1）岩石的结构与构造 薄片粒度分析给出的粒度分布参数可供设计防砂方案时参考，当然应以筛析法和激光粒度分析获得的数据为主要依据。研究颗粒间接触关系、胶结类型及胶结物的结构可以估计岩石的强度，预测出砂趋势。对砂岩中泥质纹层、生物搅动对原生层理的破坏也可观察，当用土酸酸化时，这些粘土的溶解会使岩石
IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会（IEEE）《光谱》杂志6日报道，这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更经济的方向
HFSS端口应用详解：Wave－Port－、Lumped－Port（二）
4.新增Wave Port端口平面不紧贴free space：在PCB的侧边YZ平面上，另建一个“矩形平面”，该平面紧贴传输线但不贴free sapce boundary，在这个新的平面上设置Wave Port，如下图：上图可以看到HFSS仿真得到的传输线的特征阻抗是223.9ohm左右，与Pola
HFSS端口应用详解：Wave－Port－、Lumped－Port（三）
4）替代RLC无源器件：3.Lumped Port注意：1）Lumped Port所在端面的长和宽需要远小于信号波长，一般以1/10波长为界；2）因为Lumped Port端口的两侧默认都是Perfect H边界，因此两个Lumped Port的边缘不能相接；3）Lumped Port的两端必须和P
HFSS端口应用详解：Wave－Port－、Lumped－Port（一）
一、Wave PortWave Port是HFSS中典型的外部端口，这里所说的外部是指只有一侧有场分布，一般都在边界和背景的交界处。外部端口需要通过传输线的方式才能将激励信号加入到结构中，而外部端口通常会定义成传输线的截面。Wave Port截面就是HFSS求解结构参数时的参考面，它对于
半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
等效平衡的定义
同一可逆反应，一定条件下，当改变起始时反应物或生成物物质的量或物质的量浓度，达到平衡时，混合物中各组分的百分组成相等，这样的平衡称等效平衡。产生原因：平衡，只与温度、压强和浓度有关，与加料顺序无关。根据气体状态方程，pV=nRT，可以发现：如果保持温度不变，恒容体系，只要“一边倒”之后，各组分n相同
噪声等效功率
噪声等效功率(Noise Equivalent Power )简称为NEP。但参数NEP不符合人们的传统认知习惯。为此定义NEP的倒数为光电器件的探测度，作为衡量光电器件探测能力的一个重要指标，噪声等效功率的定义是：信噪比为1时所需的入射红外辐射功率。也就是说投射到微测辐射热计上的红外辐射功率所产生
二维半导体材料家族又有“小鲜肉”
据美国犹他大学官网消息，该校工程师最新发现一种新型二维半导体材料一氧化锡（SnO），这种单层材料的厚度仅为一个原子大小，可用于制备电子设备内不可或缺的晶体管。研究人员表示，最新研究有助于科学家们研制出运行速度更快且能耗更低的计算机和包括智能手机在内的移动设备。 一氧化锡这个“小鲜肉”由犹他大学
美国发现新型二维半导体材料
近日，美国犹他大学发现一种新型二维半导体材料一氧化锡。据了解，该材料可用于制备计算机处理器和图形处理器等电子设备内的晶体管，有助于研制出运行速度更快、更加节约能源的智能手机和计算机等电子设备。 当前，电子设备内晶体管的玻璃基板由许多层三维材料构成，如硅材料。其弊端在于当电子通过时，会在所有层内
继电器的应用技巧
正确选型 要正确选型 要用好继电器，正确选型是很重要的，首先必须对被控对象的性质、特点和使用要求有透彻的了解，并进行周密考虑。对所选继电器的原理、用途、技术参数、结构特点、规格型号要掌握和分析。在此基础上应根据项目实际情况和具体条件，来正确选择继电器。 接点认识 对接点的认识 继电器线
等效焦距的相关介绍
数码相机因为其感光元件(CCD或CMOS）的尺寸是随相机的不同而不同（如有1/2.5英寸，1/1.8英寸等），所以同样焦距的镜头在不同尺寸感光元件的数码相机上，成像的视角也不同，举个例子来说，50mm焦距的镜头用在135胶片相机上，其视角大约是46度，而用在APS-c画幅（感光元件对角线长度是135
二维过渡金属硫化物杂化能提高了材料的紫外光吸收及发光特性
韩国成均馆大学的Jeongyong Kim教授团队通过二维量子点杂化单层WS2，提高了材料的紫外光吸收及发光特性。与原始的单层WS2薄片相比，在300 nm波长的紫外光激发条件下，单层WS2薄片/Ti2N MQD杂化材料和单层WS2薄片/GCNQDs杂化材料的最大光发射强度分别提高了15倍和11倍。
研究者开发出石墨烯的“竞争者”——二硫化钼
宾夕法尼亚大学的研究人员研究出了可控的、导电能力能被开启和关闭的、能够自发光的硅的替代品——二硫化钼。 石墨烯，一种单原子厚度的碳原子晶格材料，由于其极高的导电性和无与伦比的薄而经常被吹捧作为硅的替代品用在电子器件领域。但石墨烯并不是唯一能够扮演这样角色的二维材料。 宾夕
二维半金属—二维超导体之间超流拖拽效应揭示
15日，记者从中国科学技术大学获悉，该校曾长淦教授、李林副研究员研究团队与北京量子信息科学研究院解宏毅副研究员等合作，通过构筑石墨烯与氧化物界面超导体系的复合结构，揭示了二维半金属和二维超导体之间由于量子涨落诱导的巨幅超流拖拽效应。相关成果日前在线发表于《自然物理》。 对于两个空间相近但彼此绝
二维半金属—二维超导体之间超流拖拽效应揭示
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/1/492653.shtm 科技日报合肥1月15日电 （记者吴长锋）15日，记者从中国科学技术大学获悉，该校曾长淦教授、李林副研究员研究团队与北京量子信息科学研究院解宏毅副研究员等合作，通过构筑石墨烯与氧化