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C．导体的边缘效应Dowall提出了计算两绕组变压器绕组交流电阻的方法，此方法先将圆导体转化为方形，并作如下假设：①磁场被假定为一维变量，垂直于导体的分量被忽略，并且总磁场强度在每个导体层中为常量；②绕组被假定为无限长片状导体的一部分，电流密度沿每层导体截面是常数，导体边缘效应被忽略；③假定磁芯不存在，线圈在整个磁芯宽度方向上均匀分布；④流过绕组的电压和电流均为正弦波，且线圈无开路。后来的研究者们对此方法提出了一些修正。事实上，导体的边缘效应对磁性元件的损耗和漏感等有较大的影响。绕组的边缘效应会造成由上述假定所限定的一维绕组损耗计算方法所不能计算的额外损耗。在不同的工作频率下，绕组之间距离不同，造成的交流电阻和漏感不同，对于一个指定的频率，存在一个最佳的距离使得绕组交流电阻最小；绕组在磁芯窗口中的位置对绕组参数也有一定的影响；对于高频变压器，原副边绕组的宽度与绕组损耗和能量的存储也有很大关系：原副边绕组宽度相同时高频变压器可以获......阅读全文
减小气隙边缘磁通的方法主要有以下几种：①通过使导体远离气隙，保持导体和气隙之间有一定的距离来减小气隙边缘磁通的影响，但是磁芯窗口宽度是很有限的，这样做会减小磁芯窗口的利用率。②将绕组导体放置在磁芯窗口中一个固定的区域中，而这个区域边缘磁通很小，这种方式同样可以减小气隙边缘磁通造成的导体涡流损耗，但是
功率电子系统对于高频的EMI的设计－我提供正向设计思路参考；A．确认有哪些噪声源；B．分析噪声源的特性；相关资料可以通过网络搜索作者名字下载或观看；（我的理论：先分析再设计；了解噪声源头特性是关键）！C．确认噪声源的传递路径；这也是我们大多数工程师处理EMI－Issue时的着手点；（处理的手段和方法
我以我们的IC进行设计分析说明：基本的反激变换器原理图如下所示，在需要对输入输出进行电气隔离的低功率＜75W～的开关电源应用场合，反激变换器（Flyback Converter）是最常用的一种拓扑结构（Topology）。简单、可靠、低成本、易于实现是反激变换器突出的优点；接下来我将
反激电源反射电压还有一个确定因素反激电源的反射电压还与一个参数有关，那就是输出电压，输出电压越低则变压器匝数比越大，变压器漏感越大，开关管承受电压越高，有可能击穿开关管、吸收电 路消耗功率越大，有可能使吸收回路功率器件永久失效（特别是采用瞬变电压抑制二极管的电路）。在设计低压输出小功率反激电
发改委网站2011年10月20日刊文，由发改委、科技部、工信部、商务部、知识产权局联合研究审议的 《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南(2011年度)》，现予以发布。《指南》确定了当前优先发展的信息、生物、航空航天、新材料、先进能源、现代农业、先进制造、节能环保和资源综合利用、海洋、高技
截至2019年10月26日，中国学者在Cell，Nature及Science在线发表了152篇文章，小编对于这些文章做了系统的总结： 按杂志来划分：Cell 发表了24篇，Nature 发表了70篇，Science 发表了58篇； 按是否有合作单位划分：其中有68篇文章由独立的一个通讯单位完
物理与材料学领域 【1】2019年12月11日，中科院物理所张余洋、丁洪及高鸿钧共同通讯在Science 在线发表题为“Nearly quantized conductance plateau of vortex zero mode in an iron-based superconducto