雪崩二极管的工作原理
雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。 雪崩二极管的工作原理： 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， PN结就发生雪崩击穿。 雪崩二极管是一类非常的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz， 主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑......阅读全文
雪崩二极管的工作原理
雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。 雪崩二极管的工作原理： 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子
关于thorlabs雪崩二极管的知识点
thorlabs雪崩二极管相信大家都知道，它在电子电路中起到一个非常关键的作，它有一个非常重要的特性--单向导电性。也就是说电流只能从正极（阳极）流向它的负极（阴极），我们就可以利用二极管这个特性来实现整流、检波、限幅、保护等等作用。 thorlabs雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及
光电二极管的工作原理
光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。 光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微
二极管阵列检测器的工作原理
复色光通过样品池被组分选择性吸收后再进入单色器，照射在二极管阵列装置上，使每个纳米波长的光强度转变为相应的电信号强度，即获得组分的吸收光谱，从而获得特定组分的结构信息，有助于未知组分或复杂组分的结构确定。许多色谱工作站可将两张图谱绘在一张三维坐标图上而获得三维光谱一色谱图，也可进行峰纯度检查。以峰纯
二极管阵列检测器的工作原理
复色光通过样品池被组分选择性吸收后再进入单色器，照射在二极管阵列装置上，使每个纳米波长的光强度转变为相应的电信号强度，即获得组分的吸收光谱，从而获得特定组分的结构信息，有助于未知组分或复杂组分的结构确定。 许多色谱工作站可将两张图谱绘在一张三维坐标图上而获得三维光谱一色谱图，也可进行峰纯度检查
二极管阵列检测器的工作原理
复色光通过样品池被组分选择性吸收后再进入单色器，照射在二极管阵列装置上，使每个纳米波长的光强度转变为相应的电信号强度，即获得组分的吸收光谱，从而获得特定组分的结构信息，有助于未知组分或复杂组分的结构确定。许多色谱工作站可将两张图谱绘在一张三维坐标图上而获得三维光谱一色谱图，也可进行峰纯度检查。以峰纯
二极管阵列检测器的工作原理简介
复色光通过样品池被组分选择性吸收后再进入单色器，照射在二极管阵列装置上，使每个纳米波长的光强度转变为相应的电信号强度，即获得组分的吸收光谱，从而获得特定组分的结构信息，有助于未知组分或复杂组分的结构确定。 许多色谱工作站可将两张图谱绘在一张三维坐标图上而获得三维光谱一色谱图，也可进行峰纯度检查
简述二极管阵列检测器的工作原理
复色光通过样品池被组分选择性吸收后再进入单色器，照射在二极管阵列装置上，使每个纳米波长的光强度转变为相应的电信号强度，即获得组分的吸收光谱，从而获得特定组分的结构信息，有助于未知组分或复杂组分的结构确定。 许多色谱工作站可将两张图谱绘在一张三维坐标图上而获得三维光谱一色谱图，也可进行峰纯度检查
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
超短脉冲发生器
对于超高分辨率雷达、扩频通信技术以及其它许多需要宽带辐射的应用来说,超短脉冲发生器是十分重要的,从某种程度上来讲,超短脉冲的形成技术已成为许多宽带应用中的核心技术。目前,有许多有关该技术的研究集中在激光二极管驱动的GaAs光开关上,但是这些器件还不能在小于200 ps的情况下正常工作,同时,激光
PNAS颠覆癌症的“雪崩效应”
细胞中染色体数的改变，引发如雪崩一般的大量突变，最终将细胞转变为癌细胞，这就是癌症的“雪崩效应”理论。现在，瑞典Lund大学的研究团队向人们展示，“雪崩效应”是错误的，会将研究者带入死胡同。文章发表在美国国家科学院院刊PNAS杂志上。 细胞的DNA改变，会使细胞分裂脱离控制，从而引起癌症。
肖特基二极管的原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩
为什么使用PMT检测器和APD检测器
光电倍增管（PMT）和雪崩光电二极管（APD）是用在扫描成像系统中常用的光学元件，对于其工作原理，适用什么波段样品的检测，有何优缺点可能大家会比较模糊，那小编今天和大家聊聊这两个检测器。 光电倍增管（PMT）：是光子技术器件中的一个重要产品，它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件
为什么使用PMT检测器和APD检测器？
光电倍增管（PMT）和雪崩光电二极管（APD）是用在扫描成像系统中常用的光学元件，对于其工作原理，适用什么波段样品的检测，有何优缺点可能大家会比较模糊，那小编今天和大家聊聊这两个检测器。光电倍增管（PMT）：是光子技术器件中的一个重要产品，它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。光电倍增管
光电探测器的原理和性能分析
光电探测器是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。 光电探测器的工作原理： 光电探测器是把光辐射能量转换成立一种便于测量的物理量的器件。大多数光探测器都是把光辐射量转换成电量来实现对光辐射的探测的。光电探测器是光功率计的核心器件,其性能直接影
光电探测器的分类和比较
光电探测器是指利用辐射引起被照射材料电导率改变的物理现象的原理而制成的器件，其在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。光电探测器的分类： 光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。1. 光电二极管（PIN）：应用于一般通用场合。针对特殊应用，可以增加探测器信号放大
弹道和雪崩成功“邂逅”
弹道是量子物理的概念，雪崩是半导体物理中的基本现象，两者貌似无关。但南京大学电子科学与工程学院教授王肖沐/施毅课题组与该校物理学院教授缪峰课题组合作，让二者“邂逅”，首次在二维材料垂直异质结中提出和实现了一种新型PN结击穿机制——弹道雪崩。 基于传统雪崩反向击穿机制的光电探测器，是实现单光子探
激光测距传感器的原理及应用（二）
如今，激光雷达系统有2个主要发展方向，红外激光雷达系统加上微电机械系统（MEMS Micro-Electro-Mechanical System）（配上转动的激光发射器），或者采用固定状态的激光雷达系统。在简要地讨论这些技术的区别以前，需要对接收系统解释一下。接收系统的主要功能是识别从发射器
测距传感器的原理是怎样的呢？
超声波传感器是利用超声波的特性研制而成的传感器。 超声波是一种振动频 率高于声波的机械波，由换能晶片在电压的激励下发生振动产生的； 它具有频率高、波长短、绕射现象小，特别是方向性好、能够成为射线而定向传播等特点。 超声波测距原理 超声波对液体、固体的穿透本领很大
在天山深处雪崩最频繁的峡谷坚守
在常人的思维中，都是要居住在远离雪崩的地方；雪崩发生时，要尽量逃离。而有这样一群人，却常年坚守在雪崩最频繁发生的天山深处，一守就是50多年。他们严密监测山谷降雪和积雪的变化情况，绘制出我国天山山区公路雪崩（风吹雪）危险区分布图，并且通过分析气候变化，结合当地地形地貌，进行灾害预防和治理研究。
苹果iPad－Pro上用的ToF技术是什么？
苹果的产品总是发布的悄无声息，受疫情影响，原本计划好的苹果春季发布会开不成了，便悄悄在官网上架了iPad Pro、MacBook Air 和 Mac mini 等数款新品。其中最受人关注的当属iPad Pro，其功能模块跟大多数iPad产品一样，真正让iPad Pro成为黑科技的，不是背后的
光电探测器的分类
光电探测器是指利用辐射引起被照射材料电导率改变的物理现象的原理而制成的器件，其在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。 光电探测器的分类： 光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。 1、 光电二极管（PIN）：应用于一般通用场合。针对特殊应
光电二极管简介和原理
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。 原理 普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积
固态激光雷达的「线性模式」与「盖革模式」
「线性模式」与「盖革模式」实际上，传统的 CCD 或 CMOS 图像传感器也是这样的原理，只不过它们是接收自然光，除此之外唯一的差异在于接收端，CCD 或 CMOS 图像传感器使用的是 PN 型二极管，旋转扫描型激光雷达是使用 PIN 型，而固态激光雷达一般是使用雪崩二极管 APD。PN 型二极管更
“量子雪崩”解释非导体如何变成导体
美国布法罗大学研究人员用“量子雪崩”解释了非导体如何变成导体，解开了绝缘体到金属转变之谜。相关研究发表在近期的《自然·通讯》杂志上。 绝缘体受到强烈的电场冲击时可变成金属，这为微电子学和超级计算机提供了诱人的可能性，但科学家尚不清楚这种电阻开关现象背后的物理原理。 研究人员表示，金属和绝缘体
简介光电二极管的优缺点
与光电倍增管的比较比光电倍增管更加优越的特性： 1.更好的线性 2.从190纳米到1100纳米（硅）的响应光谱范围 3.低噪声 4.被加固以适应机械挤压 5.价格低廉 6.结实但自重较轻 7.使用寿命长 8.无需高压电源即可工作 缺点： 1.面积太小 2.没有内部增益（雪崩
浪涌保护器抑制二极管简介
抑制二极管具有箝位限压功能，它是工作在反向击穿区，由于它具有箝位电压低和动作响应快的优点，特别适合用作多级保护电路中的最末几级保护元件。抑制二极管在击穿区内的伏安特性可用下式表示：I=CUα，上式中α为非线性系数，对于齐纳二极管α=7～9，在雪崩二极管α=5～7
BMS上的稳压二极管应用场合
最近遇到了稳压二极管漏电流偏大的案例，问题还在持续分析中，借助这个由头，总结下稳压二极管方面的基础知识。（图片来源于VISHAY官网）稳压二极管的工作原理定义：稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管；稳压二极管是二极管中的一种，由硅材料制成，也是一个PN结，但是由
双向触发二极管的结构原理介绍
双向触发二极管是一种二端交流器件(DIAC)； 它的结构简单、价格低廉，与双向晶闸管同时问世； 因此与双向晶闸管有着密切的联系，作用是常用来触发双向晶闸管。 双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性。 它是三层对称性的二端半导体器件，等效于基极开路、发射极与