基于<111>，<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二极管：探索毫米...4
Open in a separate windowFigure 4Static electric field profiles of (a) 35 GHz, (b) 94 GHz, (c) 140 GHz, and (d) 220 GHz DDR GaAs IMPATTs for different crystal orientation of GaAs.Bar graphs in Figures 5(a) and 5(b) show the values of V D/V B and x A/W (in percentage) for 35, 94, 140, and 220 GHz DDR IMPATTs based on 〈111〉, 〈100〉, and 〈110〉 oriented GaAs. ......阅读全文
毫米波与太赫兹技术（四）
4.2、太赫兹天线随着对太赫兹技术研究的深入，太赫兹天线也逐渐成为研究热点。太赫兹频段相比微波毫米波频段有着更高的工作频率，对应的波长也短很多。由于天线尺寸与波长的相关性，太赫兹天线具有尺寸小的天然优势，但也对加工制作带来了挑战。类似于低频段通信的天线需求，太赫兹天线也分全向天线、定向天线以及多波束
红外光电测距仪的构造与组成
红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时，P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光，这是由于在掺杂的GaAs半导体中电
红外测距仪的结构组成
红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时，P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光，这是由于在掺杂的GaAs半导体中电
肖特基二极管和稳压二极管有什么区别
肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约
半导体所制备出近全组分可调的高质量GaAs1xSbx纳米线
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队及合作者在《纳米快报》(Nano Letters)上发表了制备出近全组分可调的高质量GaAs1-xSbx纳米线的成果。 作为重要的三元合金半导体，GaAs1-xSbx具有禁带宽度从1.42 eV (GaAs)到0.72 eV
毫米波与太赫兹技术
今日推荐文章作者为东南大学毫米波国家重点实验室主任、IEEE Fellow 著名毫米波专家洪伟教授，本文选自《毫米波与太赫兹技术》，发表于《中国科学: 信息科学》2016 年第46卷第8 期——《信息科学与技术若干前沿问题评述专刊》，射频百花潭配图。引言随着对电磁波谱的不断探索, 人类对电子学和光学
X射线衍射分析对单晶取向和多晶织构测定
单晶取向的测定就是找出晶体样品中晶体学取向与样品外坐标系的位向关系。虽然可以用光学方法等物理方法确定 单晶取向，但X 衍射法不仅可以精确地单晶定向，同时还能得到晶体内部微观结构的信息。一般用劳埃法 单晶定向，其根据是底片上劳埃斑点转换的极射赤面投影与样品外坐标轴的极射赤面投影之间的位置关系。透射
英国CAL－MAXVU8温控器MV08EMARR02600S413
英国CAL MAXVU8温控器MV08EMARR02600S413 CAL MAXVU温度控制器1/8din来自CAL的MAXVU温度控制器设计用于在易于安装的设备中提供基本的温度控制，该设备可快速编程并具有改进的显示可见性.MAXVU为主要温度控制功能（如仅加热或加热/冷却）的应用提供经
球差校正透射电镜
电子显微镜的分辨本领由于受到电子透镜球差的限制，人们力图像光学透镜那样来减少或消除球差。但是，早在1936年Scherzer就指出，对于常用的无空间电荷且不随时间变化的旋转对称电子透镜，球差恒为正值。在40年代由于兼顾电子物镜的衍射和球差，电子显微镜的理论分辨本领约为0.5nm。校正电子透镜的主要像
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别？
对于高频开关电源来说,由于频率很高(相位变换)当正半周时二极管正篇导通此时无影响,如果肖特基二极管反向恢复比较慢时,当负半周到来由于肖特基二极管还没有从正偏时的导通状态变成截止相当于短路就等于是负半周的电压与正半周的电压叠加在肖特基二极管两端,由于频率很快,反向的时间就很短(等同与短路时间很短
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别详解
肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管它是具有
肖特基二极管和整流二极管区别在哪里
肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号
湖南农村能源办将探索沼气4S模式
2013年，湖南省委、省政府把农村能源建设作为为民办实事任务，且再次(连续十年)将农村沼气等清洁能源建设列入为民办实事内容中。 4月9日上午10点，湖南省农村能源办主任崔国强作客红网访谈，他表示，湖南沼气建设尚处于“爬坡上行”阶段，其前景大有可为。而针对户用沼气在发展过程中面临的一些质疑，
细胞化学基础分子取向力
取向力（orientation force 也称dipole-dipole force）取向力发生在极性分子与极性分子之间。由于极性分子的电性分布不均匀，一端带正电，一端带负电，形成偶极。因此，当两个极性分子相互接近时，由于它们偶极的同极相斥，异极相吸，两个分子必将发生相对转动。这种偶极子的互相转动
吉列德4款艾滋病药物ZL111国共享－中国不在受益国之列
全球最大的艾滋病药物生产商吉列德近日宣布,将把4款治疗艾滋病的药品放入独立的瑞士基金MPP(Medicines Patent Pool药品ZL池)。这一做法让许多国际非政府组织(NGO)欢声一片,因为这样一来,发展中国家只需支付给吉列德较低的ZL使用费,便能以较低的价
半导体所设计出大功率量子阱激光器宽谱光源
半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景，但目前所采用的发光管（LEDs）和超辐射二极管（SLD）因其发射功率低而有所局限，所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。 最近，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室潘教青研究员在指导研究生从事大功率激光器研究中，设计并
英国CAL－MAXVU系列温度和过程控制器MV080MARR021U0
英国CAL MAXVU8系列温度和过程控制器MV080MARR021U0 CAL-MAXVU8面板安装PID温度控制器，96 x 48mm 1个输入，3个输出继电器，SSR。 CAL的MAXVU8温度控制器设计用于在一个易于安装的设备中提供基本的温度控制，该设备编程速度快，提
100万元/年，基金委发布原创探索计划项目指南
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518187.shtm关于发布2024年度国家自然科学基金原创探索计划项目申请指南的通告国科金发计〔2024〕109号国家自然科学基金委员会现发布2024年度国家自然科学基金原创探索计划项目申请指南，请申请
半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。 作为传统的III-V族半导体，GaAs体材料的稳
固体所在钙钛矿结构RCrO3体系磁性及磁电效应方面获进展
近期，固体所功能材料研究室尹利华等研究人员在钙钛矿结构Cr基氧化物的磁性及磁电效应等方面的研究获得新进展，相关结果相继发表在Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett. 111, 072402 (2017)； Appl. Phys. Lett. 110,
取向力、诱导力、色散力的关系
极性分子与极性分子之间，取向力、诱导力、色散力都存在；极性分子与非极性分子之间，则存在诱导力和色散力；非极性分子与非极性分子之间，则只存在色散力。这三种类型的力的比例大小，决定于相互作用分子的极性和变形性。极性越大，取向力的作用越重要；变形性越大，色散力就越重要；诱导力则与这两种因素都有关。但对大多
简述信息素与性取向的关系
瑞典科学家萨维克（Ivanka Savic）早在2001年就利用正电子发射计算机断层扫描以及功能性磁振造影证实男性信息素雄二烯酮会诱发异性恋女性脑下丘脑前端控制情绪，情感与性行为的活化反应，女性信息素雌四烯醇则会诱发异性恋男性脑下丘脑前端制情感与性行为的活化反应。 2004年，萨维克进一步对1
光电二极管简介和原理
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。 原理 普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积
半导体激光器的工作原理
工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体
GenomeAsia－100K最新数据公布！探索亚洲人基因数据的秘密
目前已经测序的人类基因组序列中约有6%的样本来自亚洲个体。而世界上约一半的人口是亚洲人。GenomeAsia 100K项目成立于2016年，由Macrogen、盆唐首尔大学医院精准医疗中心、新加坡南洋理工大学、印度基因组分析企业MedGenome和美国罗氏集团子公司Genentech等组成，旨在
离子束辅助沉积ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN纳米多层膜的研究
本文利用超高真空离子束辅助沉积技术在Si(100)基底上设计合成ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN纳米多层膜。利用表面轮廓仪和纳米力学测试系统研究薄膜的机械性能,包括表面硬度、弹性模量以及薄膜与基底的附着力;还通过X射线衍射(XRD),俄歇电子能谱仪(AES)和扫描电子显微镜(SEM)等分析手
N5292A－毫米波测试仪控制器，2－或－4－端口
N5292A为用于PNA/PNA-X网络分析仪的毫米波扩频器模块提供 2 端口或 4 端口接口功能特点2 或 4 端口通过专用接口连接器和电缆连接到扩频器，进行准确、稳定的测量为现有的 OML/VDI 扩频器模块提供适配器套件（扩频器需要电源）N5292A 毫米波控制器为毫米波扩频器模块以及 PNA
人类的信息素与性取向的关系
瑞典科学家萨维克（Ivanka Savic）早在2001年就利用正电子发射计算机断层扫描以及功能性磁振造影证实男性信息素雄二烯酮会诱发异性恋女性脑下丘脑前端控制情绪，情感与性行为的活化反应，女性信息素雌四烯醇则会诱发异性恋男性脑下丘脑前端制情感与性行为的活化反应。2004年，萨维克进一步对12名同性
美国JPL介绍内容：太赫兹半导体及微加工工艺进展
在太赫兹高性能平面肖特基二极管的设计能力和制造工艺方面，美国弗吉尼亚二极管公司（VDI）首屈一指，它有着几十年的产品设计经验和一流的工艺生产线。其次是美国航空航天局（NASA）下属的喷气推进实验室（JPL）。在欧洲，德国的达姆施塔特技术大学和英国的卢瑟福国家实验室（RAL）也在进行平面肖特基二极管的
5G毫米波无线电射频技术演进－（二）
近期最实用、最有效的波束合成方法是混合数模波束成型，它实质上是将数字预编码和模拟波束合成结合起来，在一个空间（空间复用）中同时产生多个波束。通过将功率引导至具有窄波束的目标用户，基站可以重用相同的频谱，同时在给定的时隙中为多个用户服务。虽然文献中报道的混合波束成型有几种 不同的方法