半导体静脉曲张激光治疗仪的原理和安全保证信息
半导体静脉曲张激光治疗仪的工作原理是：微电脑控制激光电源为半导体激光器提供恒定电流，高功率激光器将电能转化为光能，输出波长为808nm的连续激光束，该激光束通过光纤传输系统后照射在病变组织上，光能转化为热能使病变组织汽化，从而达到治疗目的。治疗过程所需的激光功率、照射时间、间隔时间等参数由用户根据实际情况进行设定。半导体静脉曲张激光治疗仪安全保障本治疗仪外形采用圆滑曲线设计，避免外壳棱角对用户的伤害，内部采用防护接地避免电击伤害，保证产品的安全使用。设备交付使用前对用户进行的技术培训；使用中对设备进行定期的跟踪维修保养，包括对设备定期维护、及时提供紧急服务和尽可能快地提供备件支援等。光纤为灭菌后一次性使用附件，严禁重复使用。激光标称眼危害距离（NOHD）为5.0米。总体结构及其工作原理、工作特性......阅读全文
什么是半导体异质结
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
含杂质半导体的原理
半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于
半导体的光电导简介
半导体的光电导（photo conductivity of semiconductor）是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级
非晶半导体的定义
非晶半导体又称无定形半导体或玻璃半导体，非晶态固体中具有半导电性的一类材料。具有亚稳态结构，组成原子的排列是短程有序、长程无序，键合力未发生变化，只是键长和键角略有不同。按键合力性质有共价键半导体，包括四面体的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“链状”的S、Se、Te、As2Se3
常见的半导体材料特点
常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge），化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。有以下共同特点：1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著
半导体探测器简介
半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似，故又称固体电离室。半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。常用半导体探测器有 P-N结型半导体探测器、 锂漂
半导体参数测试仪
半导体参数测试仪是一种用于工程与技术科学基础学科领域的仪器，于2016年12月08日启用。 技术指标 1.小电流i-v ： 超低漏电流（fA），最 大电压200V，最大电流1A； 2.高电压I-V ： 最大电压1000V 3.通用I-V ： 适合于大多数参数测试 4.c-v单元： 能够在1M
漫谈半导体工艺节点（一）
近来，GlobalFoundries宣布将会推进7nm FinFET工艺，引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering 2014年的一篇报道，带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。（由于推测是2014年的，事实上可能有点过时，希望
磁性半导体的应用特点
磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效应）和半导体特性的半导体材料。如果在设备里使用磁性半导体，它们将提供一种新型的导电方式。传统的电子元件都是以控制电荷自由度（从而有n型和p型半导体）为基础工作，磁性半导体能控制电子的自旋自由度（于是有了
常用铁磁半导体介绍
以下是几种铁磁半导体：掺锰的砷化铟和砷化镓（GaMnAs），居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟，不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体：1.掺锰的氧化铟，常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛：掺钴的二氧化钛，常温下
漫谈半导体工艺节点（三）
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
磁性半导体的发展历史
第一代磁性半导体关于磁性半导体的研究可以追溯到20世纪60年代。我们首先来简单回顾一下关于浓缩磁性半导体（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究进展。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体，例如Eu或Cr的硫族化合物：岩盐
漫谈半导体工艺节点（二）
可能的选择 短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet
半导体材料的提纯方法
半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分
常用的半导体材料介绍
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
ITECH半导体测试方案解析
前言全球功率半导体市场风起云涌，行业整合步伐加速。作为电力控制／节能减排核心半导体器件，功率半导体器件广泛应用于从家电、消费电子到新能源汽车、智能电网等诸多领域。随全球半导体产业洗牌大势，近年来功率半导体产业整合步伐急速提升，新能源全产业链势头正旺，IGBT等高端器件迎来需求爆发期。功率器件
半导体的光电导概述
半导体的 光电导是指半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在 硒上发现的。 20世纪的前40年内，又先后在 氧化亚铜、 硫化铊、 硫化镉等 材料中发现，并利用这 现象制成几种可用作光强 测量及 自动控制的 光电管。自40年代开始，由于 半导体物理学的发展，先是 硫化铅的，尔后
半导体的原理是什么
原理：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。它们在外电场作用下产生定向运动
半导体是何时发现的？
1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这
半导体材料的制备方法
不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上 ，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一
半导体探测器简介
半导体探测器（semiconductor detector）是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚，1949年麦凯（K.G.McKay）首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后，
半导体掺杂有什么作用
半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。半导体的常用掺杂技术主要
半导体设备真空与检漏
作者：申承志 中国电子科技集团公司第十三研究所 基于实际应用, 介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件, 讲述了He 质谱检漏仪的使用方法。总结了真空检漏的经验, 阐述了微漏难检的现状。分析了磁控溅射台和ICP 真空故
半导体照明半导体照明联合创新国家重点实验室通过论证
“半导体照明半导体照明联合创新国家重点实验室(筹)”通过国家科技部建设方案可行性论证 8月23日，科技部基础研究司组织专家组召开了“半导体照明半导体照明联合创新国家重点实验室(筹)”建设方案可行性论证会议。科技部有关领导及有关专家出席了论证会。论证会由现场考察与实验室答辩两部分组成。
半导体所在反转能带半导体表面磁性全电控制方面取得进展
在国家基金委和中科院创新工程的支持下，半导体研究所常凯研究员和博士生朱家骥与美国斯坦福大学物理系张首晟教授合作，从理论上研究了BiSe等材料表面磁性全电控制的可能性。 通过控制载流子浓度以控制材料磁性是半导体自旋电子学领域的一个重要研究方向。这种控制方案已经在稀磁半导体GaM
补贴12.5亿美元！英国重投半导体行业「附半导体市场规模」
近日，英国宣布为芯片制造行业提供的 10 亿英镑（约12.5亿美元）补贴。根据Politico本周的一份报告，据报道，英国首相里希·苏纳克（Rishi Sunak）将追随美国和几个欧洲国家政府的脚步，宣布一项针对英国国内半导体产业的资助计划。根据Politico的报告，虽然确切的资金数额可能会发生变
关于局限半导体结构的研究
基于半导体材料的量子光学设计在量子密码学以及量子通讯应用及研究中发挥着越来越重要的作用。在本应用文档中，我们将介绍砷化镓的激子化激元以及砷化铟量子点的光谱学测量。所有的实验都是在4~60K的制冷温度下进行的。 相对于光之间直接作用，电控制光学器件显得非常的简单。因此，在量子光学中，依然通过把光变
半导体超晶格研究获进展
最近由中国、西班牙和德国组成的研究团队（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、国防科技大学、西班牙皇家马德里第三大学和德国Paul-Drude固体电子研究所），通过研究证明了利用噪声，可以在一种由量子共振隧穿效应引起的具有多自由度非线性动力学系统的半导体超晶格器件中诱导出空间和时间序，用于检测
非本征半导体的概念
当向半导体中添加受主或施主物质(称为掺杂物)，通过施主型杂质解离向导带注入电子或受主型杂质俘获价带电子产生了自由载流子，使本征半导体产生额外的电导，成为非本征半导体。