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电磁波传输距离和发射功率成正比，射频 PA 性能直接决定通讯距离、信号质量和待机时间（或耗电量），根据 Yole 数据显示，2017 年手机射频前端中射频 PA 市场规模约 50 亿美元，在整个射频前端中价值量占比 35%，仅次于滤波器，也是射频前端价值量最高的单类型芯片。 一、射频 PA 是射频前端核心器件，决定无线通信质量的关键要素 射频模块是无线通信设备的核心模块 无线通信主要是利用电磁波实现多个设备之间的信息传输。射频是可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从 300KHz～300GHz 之间。射频模块是用于发射和 / 或接收两个装置之间的无线电信号的电子设备，是无线通信设备实现信号收发的核心模块。 图：手机射频架构 图：基站射频架构 射频前端架构基本类似 射频前端包括接收通道和发射通道两大部分......阅读全文
PA 也是射频前端器件中价值量较大的器件 手机目前仍然是射频前端最大的终端应用市场，在所有射频前端器件中，射频 PA 的价值量仅次于滤波器，是射频前端器件中价值量较大的器件。根据 Yole 的数据显示，2017 年手机射频前端中射频 PA 市场规模约 50 亿美元，在整个射频前端中
5G 具有更大的带宽 4G 走向 5G 时另一个重大的变化是手机必须支持更大的带宽，提高带宽是实现以全新 5G 频段为目标的更高数据速率的关键。LTE 频段不高于 3GHz，单载波带宽仅为 20MHz，到了 5G 时代，FR1 的信道 / 单载波带宽高达 100MHz，FR2 的单
不同材料工艺的 PA 产业分工略有不同 普通硅工艺集成电路和砷化镓 / 氮化镓等化合物集成电路芯片生产流程大致类似，但与硅工艺不同的是化合物半导体制程由于外延过程复杂，所以形成了单独的磊晶产业。 磊晶是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有芯片上长出新结晶
因此对前端模块（PA和LNA）、双工器、混频器和滤波器等RF通信组件进行特性分析将面临着一系列新的测量挑战。为在较大带宽下实现更高的能效和线性度，5G PA引入了数字预失真（DPD） 等线性化技术。由于电路模型难以预测记忆效应，因此降低记忆效应唯一有效方法是测试PA并在时域信号通过D
1-3、输入输出匹配电路 匹配电路的目的是在选择一种接受的方式。对于那些想提供更大增益的晶体管来说，其途径是全盘的接受和输出。这意味着通过匹配电路这一个接口，不同的晶体管之间沟通更加顺畅，对于不同种的放大器类型来说，匹配电路并不是只有“全盘接受”一种设计方法。一些直流小、
基本概念射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大（缓冲级、中间放大级、末级功率放大级）获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大
基本概念 射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大（缓冲级、中间放大级、末级功率放大级）获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的
1、晶体管晶体管有很多种，包括当前还有多种结构的晶体管被发明出来。本质上，晶体管的工作都是表现为一个受控的电流源或电压源，其工作机制是将不含内容的直流的能量转化为“有用的”输出。直流能量乃是从外界获得，晶体管加以消耗，并转化成有用的成分。不同的晶体管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有区别，这也是
MACOM MAAL-011111 是用于更高频率的 GaAs LNA，可支持 22 至 38 GHz 运行（图 5）。该器件可提供 19 dB 的小信号增益和 2.5 dB 的噪声系数。此 LNA 表面上是一个单级器件，但其内部实际有三个级联级。第一级针对最低噪声和中等增益进行了
半导体材料的变迁：Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs工艺。另外，GaAs HBT，
在过去几年中，通信厂商和硬件制造商都在积极布局5G产品，例如针对毫米波、MIMO、载波聚合等一系列软硬件应用的开发。 当前最新的5G硬件都是在配合相关标准，例如3GPPR16。虽然5G的规范和更新还在进行中，但是可以通过软件更新的方式来满足要求。 目
1 低噪声放大器（LNA）LNA是一种特殊的放大器，主要用于射频接收机前端，将天线接收的信号以小的噪声和大的增益进行放大，对提高接收信号质量，降低噪声干扰，提高接收灵敏度有着极其重要的意义，它的性能好坏关系到整个通信系统的质量。低噪声放大器的主要指标有：噪声系数（NF）、增益（Gain）、输
尽管 5G 通信系统需要线性放大来保持调制保真度，但为了提供一个便于比较的性能指标，还是有必要测量输出 P1dB 和 PAE。测量所得性能如图 8 所示，可见 P1dB 在 20.2dBm 左右，并在饱和时上升到 21dBm。FEM 的发射通道 PAE 约为 20%，仅在该频带的高
射频功率放大器（RF PA）是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器
5G商用日期越来越近，市场上对small cell（小基站）的关注度也日益倍增。这主要是因为运行在频率较高频段的5G会面对信号覆盖问题，这时候Small cell就可以充当一个“补充者”的角色，扩大信号覆盖范围。这也可以让移动设备避免因为信号过弱、增强射频发射功率而带
Qorvo 认为，射频前端模块的持续整合加上自屏蔽模块的应用将是未来射频前端的重要发展趋势。 7 月 29 日，Qorvo 公布了截至 2020 年 6 月 27 日的 2021 财年第一财季（对应自然年为 2020 年 2 季度）业绩。财报显示，2021 财年第一季度营收为
3常见功耗问题与原因为了保证产品的低功耗，除了增加包间隔时间，还有就是降低产品本身的电流消耗，也就是上面提及到的I＿work和 I＿sleep。正常情况下，这两个数值应该跟芯片数据手册一致，但如果用户使用不当，有可能出现问题。我们在测试模块的发射电流时，发现是否安装天线对测试结果有很大影响。
2013年3月22日，由北京理化分析测试技术学会北京质谱分会和北京质谱中心共同承办的2013年度北京质谱年会在北京昌平瑶台温泉酒店召开。本届年会旨在加强学术交流，掌握与了解质谱技术及其色谱与质谱联
毫米波未来的五年时间估计也不会被普及，因为穿透有限需要大规模部署，成本太高。运营商在主流城市地区利润增长和投入不成正比积极性不大。本文的关注点只聚焦在三年内会商用的5G射频前端与5G测试。关注一：5G要实现的三大场景下图是国际电信联盟委员会，3GPP都达成共识的一张图，可能EDN电子技术设计
1.手机射频工作原理与电路分析 2.图解手机射频电路的设计原理及应用 3.手机里的射频芯片和基带芯片是什么关系？ ▲图解手机射频电路的设计原理及应用 1射频电路组成和特点 普通手机射频电路由接收通
样品的采集、制备与预处理、保存在各种检测工作中都十分的重要，关于它的具体操作，您了解吗？下面我们就一起来看看吧！ 样品的采集 采样：从大量的分析对象种抽去有代表性的一部分样品作为分析材料，此过程称为采样。 1 正确采样的重要性： 采样是食品分析工作的重要环节。同一种类的食品成品或原料，
1．干法灰化 （1）操作方法：炭化（可加入固定剂例：碱性或酸性物质）→灰化至残留物为白色或浅灰色为止（灰化炉550℃） （2）特点： ①空白值低； ②可富集被测组分，15降低检测下限； ③有机物分解彻底，需工作者经常看管； ④所需时间长
对微波混合集成电路射频裸芯片表面封装工艺进行了研究。研究结果发现，通过对关键工艺点的控制，具有良好性能的 EGC-1700 无色防潮保护涂层可以实现在 X 波段的应用。对射频裸芯片的表面采用 EGC-1700 无色防潮保护涂层涂覆的低噪声放大器进行了湿热试验和高低温贮存试验，发现其关键
随着 5G 毫米波预期即将进入商用，行业内关键公司的研发正在顺利推进，已经完成定制组件指标划定、设计和验证。实现未来毫米波 5G 系统所需的基本组件是射频前端模块(FEM)。该模块包括发射机的最终放大级以及接收机中最前端的放大级以及发射 / 接收开关(Tx/Rx)以支持时分双工(T
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 （Si）、锗 （Ge） 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP） 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化锌 （ZnSe） 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有
分析测试百科网讯 电子显微镜，简称电镜，其发展史可追溯至1932年由德国科学家 Max Knoll发明的世界上第一台透射电子显微镜（TEM）。然而，兵马未动，粮草先行，只有形成完整的电子、光学理论基础，电镜才能形成实体。因此电镜的理论基础可回溯至1834年法拉第首次在皇家学会会报上发表的关于阐述
硅锗 SiGe 1980 年代 IBM 为改进 Si 材料而加入 Ge，以便增加电子流的速度，减少耗能及改进功能，却意外成功的结合了 Si 与 Ge。而自 98 年 IBM 宣布 SiGe 迈入量产化阶段后，近两、三年来，SiGe 已成了最被重视的无线通信 IC 制程技术之一。 &
进一步评估了史密斯圆图上的其他阻抗点下，功放的 P1dB 和功率回退两种条件下的性能。图 2a 中的负载条件明显具有最好的综合性能，因此被选定用于输出级设计。最终选择了 52mA/mm 的偏置电流，并选择了 8x50μm 器件作为输出级的基本单元，以满足功率指标要求。并根据总的传输增益
日前，由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”隆重举行。Qorvo 无线基础设施部门高级应用工程师周鹏飞也受邀参与了这次盛会，并发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。 首先，周鹏飞给我们介绍了无线基础设施的发展。他表示
2009年8月29日下午，质谱沙龙第二十二期活动在第二炮兵总医院制剂楼举行。除了来自发酵研究院、二炮总医院、空军总医院、北大人民医院的老朋友外，还有来自中国农科院、PerkinElmer公司、北京伯奥克生物技术公司的新朋友。 第二十二期质谱沙龙活动现场 生物元素检