集成滤光窗的MEMS红外传感器电子封装（二）
该红外传感器封装的设计和开发采用常见的并列布局，传感器和ASIC在封装内是并排放置（图3）。在封装上表面集成一个光学窗口，用于选择红外辐射的波长成分，这种光窗解决方案可以防止环境光辐射到达探测器感光区，从而降低总系统噪声。构成封装上表面和腔壁的聚合物可以视为对可见光－红外辐射完全不透明，可归类为LCP材料（液晶高分子聚合物）。不同的应用可以安装不同的滤光片，例如，NDIR光谱仪。如图3所示，结构元件包括两个裸片和键合引线，传感器和信号处理电路互连，然后在连接到封装衬底上。图4：“小红外光窗”封装和“一体式红外滤光封帽”封装的渲染图实验装置和测量对MEMS红外传感器光电特性进行表征实验，被测目标物体是一个－20°C至160°C的校准黑体辐射源。所用的黑体辐射源是CI Systems公司的SR－800R 4D／A，其面积是4 x 4平方英寸，辐射率为0．99。在表征实验过程中，传感器放置在距黑体表面5．0 cm处，以便完全覆......阅读全文
集成滤光窗的－MEMS－红外传感器电子封装（二）
该红外传感器封装的设计和开发采用常见的并列布局，传感器和ASIC在封装内是并排放置（图3）。在封装上表面集成一个光学窗口，用于选择红外辐射的波长成分，这种光窗解决方案可以防止环境光辐射到达探测器感光区，从而降低总系统噪声。构成封装上表面和腔壁的聚合物可以视为对可见光－红外辐射完全不透明，可归
集成滤光窗的－MEMS－红外传感器电子封装（一）
摘要传感器半导体技术的开发成果日益成为提高传感器集成度的一个典型途径，在很多情况下，为特殊用途的MEMS（微机电系统）类传感器提高集成度的奠定了坚实的基础。本文介绍一个MEMS光热传感器的封装结构以及系统级封装（SIP）的组装细节，涉及一个基于半导体技术的红外传感器结构。传感器封装以及其与传
集成滤光窗的－MEMS－红外传感器电子封装（三）
n1和n2表示每种材料的折射率，θ1和θ2是光线在每种材料中传播与表面法线形成的夹角（逆时针方向），并假设硅的折射率n ＝ 3．44，空气／真空的折射率n ＝ 1。基于上述几何假设，预期视野角度FFOV ＝ 80°－ 82°。然后开始腔体封装的初步设计，并在封装试生产线实验室中制造了
集成滤光窗的－MEMS－红外传感器电子封装（四）
表3．热机械FEA边界条件和载荷图13：封装衬底、ASIC和MEMS（顶部无晶圆）翘曲（w）。结论本文介绍了一个红外传感器的封装设计，产品原型表征测试结果令人满意，测量到的FFOV角度在80°到110°之间，具体数值取决于光窗尺寸。为了降低闪光灯影响和环境噪声，封装顶部装有硅基红外滤光片，并
地质地球所发明一种MEMS传感器的集成封装方法
目前，电子元器件芯片朝着越来越复杂的方向发展，而传统的IC集成器件封装和金属管壳封装都会带来困难。例如MEMS传感器，为了提高其性能，往往需要增加可动质量块的厚度，使用传统的IC集成器件封装技术和国内外标准的LCC（无引脚芯片载体）封装管壳的腔体深度往往不能满足MEMS厚度的要求，极大地造成了封
电子封装展会|2024上海国际先进封装与系统集成－展览会「上海电子封装展」
展会名称：2024中国(上海)国际电子封装测试展览会英文名称：China (Shanghai) International Electronic Packaging and Testing Exhibition 2024大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）展会时间：2024年11月
MEMS传感器：无人机的核心（二）
磁力计磁力计如同一部指南针，可以根据地球的磁场实现无人机的航向。Bosch Sensortec的BMM150就是一个例子，这是一部三轴数字地磁传感器。BMM150与BMI088型IMU结合使用，可提供九自由度（DoF）解决方案，用于航向估算和导航。在宽泛温度范围内的稳定性能、16位分辨率和抗强磁场的
基于MEMS磁传感器设计及制作（二）
Langfelder等制备了具有电容读出的MEMS磁场传感器，该传感器可检测与谐振结构表面垂直方向（z轴） 的磁场。它由一组固定定子和两根细梁悬挂的梭子组成，形成2个差分平行板敏感电容器C1和C2，见图4。具有传感器共振频率的梁，在通有电流时与磁场相互作用，从而使2个细梁受到洛伦兹力作用。这个力
5G推进MEMS传感器行业增长－国产替代正当时
随着5G不断商用，物联网设备与设备之间的连接将变得更加顺畅，传感器也将被安装在越来越多的设备中。相对于传统的机械传感器，MEMS传感器尺寸更小、性能更高、生产成本更低，因此更受业界关注，5G推进MEMS传感器行业增长，国产替代正当时。 传感器无处不在，微机电系统(MEMS)市场
助力核心芯片发展！集成微系统封装平台今日苏州揭牌
5月11日，由江苏省纳米技术产业创新中心与中科院苏州纳米所纳米加工平台共建的集成微系统封装平台（MSPC， Micro System and Packaging Centre）揭牌仪式在苏州国际博览中心举行，第四届MEMS创新技术应用对接会暨中国半导体行业协会MEMS分会市场年会与揭牌仪式同期召
MFP集成电路的封装特点
MFP(mini flat package)小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
COB集成电路的封装特点
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
LQFP集成电路的封装特点
LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
OPMAC集成电路的封装特点
OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
SOI集成电路的封装特点
SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
LCC集成电路的封装特点
LCC(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
DIC集成电路的封装特点
DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
PGA集成电路的封装特点
PGA(pin grid array)集成电路陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。 了
MSP集成电路的封装特点
MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
LGA集成电路的封装特点
LGA(land grid array)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更
QTP集成电路的封装特点
QTP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
PCLP集成电路的封装特点
PCLP(printed circuit board leadless package)印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。
DICP集成电路的封装特点
DICP(dual tape carrier package)集成电路双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于
SMD集成电路的封装特点
SMD(surface mount devices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
DSO集成电路的封装特点
DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
QFP集成电路的封装特点
QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
PAC集成电路的封装特点
PAC(pad array carrier)凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
SIL集成电路的封装特点
SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
QFI集成电路的封装特点
QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。
SONF集成电路的封装特点
SONF(Small Out-Line Non-Fin)无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别，有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。