微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。 增强型氮化镓MIS-HEMT是目前尚未成功商用化的技术路线。GaN与介质的界面态问题是制约器件可靠性的主要因素之一。前期研究发现，LPCVD-SiNx具有高温耐受性、成膜质量高、结构致密、无离子损伤、高TDDB特性等优势，有望用于高可靠MIS-HEMT的栅介质和钝化材料。然而，传统LPCVD-SiNx的生长温度较高，可能导致材料表面热分解和热反应，尤其是刻蚀表面。同时，高温工艺（例如，800℃以上欧姆合金）会导致钝化位的氢键被破坏，使介质界面发生一定程度的退化，引起键长键角随机变化的无序粗糙晶化区域和梯度变化的无定形区域产生，导致器件出现不可控制的频率色散和滞回现象。要避免上述不......阅读全文
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。 增强型氮化镓MIS-HEMT是目前尚未成功商用