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在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流La,评价非导电样品的荷电效应.对于非导电样品,La的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映.此外,La还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果.......阅读全文
第四节 各种信号与衬度的总结前面两节详细的介绍了扫描电镜中涉及到的各种电子信号、电流信号、电磁波辐射信号和各种衬度的关系，下面对常见的电子信号和衬度做一个总结，如图2-36和表2-4。图2-36 SEM中常见的电子信号和衬度关系表2-4 SEM中常见的电
扫描电子显微镜最基本的成像功能是二次电子成像。它主要反映样品表面的立体形貌。由于样品的高低参差、凹凸不平，电子束照射到样品上，不同点的作用角不同，因此造成激发的二次电子数不同；再由于入射方向的不同，二次电子向空间散射的角度和方向也不同，因此在样品凸出部分和面向检测器方向的二次电子就多些，而样品凹处和
X光电子能谱分析的基本原理 X光电子能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用下式表示：hn=Ek+Eb+Er （1） 其中:hn：X光子的能量；Ek：光电子的能量；Eb：电子的结合能；Er：原子的反冲能量
样品制备在扫描电镜分析中占有重要地位，它关系到微观图像的观察效果。如果制备的样品不适用于扫描电镜的观察条件，则很难拍摄出好的图像。众所周知，理想的扫描电镜样品一定是导电性非常好的，例如金颗粒、锡球等金属类材料。对于不导电的样品，如生物材料、纸张、塑料和陶瓷等，容易造成放电、图像漂移等现象，这些都是荷
样品制备在扫描电镜分析中占有重要地位，它关系到微观图像的观察效果。如果制备的样品不适用于扫描电镜的观察条件，则很难拍摄出好的图像。*，理想的扫描电镜样品一定是导电性非常好的，例如金颗粒、锡球等金属类材料。对于不导电的样品，如生物材料、纸张、塑料和陶瓷等，容易造成放电、图像漂移等现象，这些都是荷电效应
在日常生活中，我们使用到的很多物品都是由纤维生产的。使用扫描电镜（SEM）来分析纤维，可以得到高分辨率的图像、元素信息，还可以在短短几分钟内自动测量数千个纤维直径。但在某些情况下，用扫描电镜检测纤维也会具有一定挑战，因为某些纤维的性质可能会影响分析的图像质量。所以，这篇博客描述了如何通过适当的SEM
春暖花开的三四月，在这个美好的季节里，TESCAN系列免费培训班也在如火如荼的展开，为了使广大TESCAN用户都可以零成本的、快速高效的掌握电镜操作和高阶应用技巧，TESCAN技术与服务支持团队特设“TESCAN学院”，开设一系列免费培训班，为TESCAN用户提供贴心、专业的培训服务。 TES
非导电纤维成像技巧 在大多数情况下，导电样品成像相当简单。但是当样品不导电时，样品的制备对于图片质量影响非常大。事实上，扫描电镜的成像是通过电子束在样品表面扫描完成的。如果是不导电样品，电子会在样品表面堆积，导致荷电效应，从而影响图片质量。在样品制备过程中，掌握一些制样技巧，可以有效地减少
对于导电性能不好的样品如半导体材料,绝缘体薄膜,在电子束的作用下,其表面会产生一定的负电荷积累,这就是俄歇电子能谱中的荷电效应.样品表面荷电相当于给表面自由的俄歇电子增加了一定的额外电压, 使得测得的俄歇动能比正常的要高.在俄歇电子能谱中,由于电子束的束流密度很高,样品荷电是一个很严重的问题.有些导
当用XPS测量绝缘体或者半导体时，由于光电子的连续发射而得不到电子补充，使得样品表面出现电子亏损，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs，对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移，使得测量的结合能偏离真实值，造成测试结果的偏差。在用XPS测量绝缘体或者半导
(1) 离子束溅射因样品在空气中极易吸附气体分子（包括元素O、C等），当需要分析氧、碳元素或清洁被污染的固体表面时，应先用离子束溅射样品，去除污染物。(2) 样品制备含有挥发性物质和表面污染的样品：对样品加热或用溶剂清洗。清洗溶剂：正己烷、丙酮、乙醇等。绝对禁止带有强磁性的样品进入分析室，因磁性会导
飞纳扫描电镜是针对台式电镜设计的，本着台式电镜简单易用，售后无忧的宗旨，系统完全嵌入在电镜主机中，利用半导体制冷，无需额外冷却系统。 直接观看绝缘体，无需喷金，飞纳扫描电镜采用低真空技术，出射电子与空气分子碰撞产生正离子，正离子与样品表面累积的电子中和，有效抑制荷电效应的产生
放大倍数：20-30,000;分辨率：优于30nm电子枪：1500小时CeB6灯丝抽真空时间：10秒样品移动方式：自动马达样品台样品定位方式：光学和低倍电子双重导航样品导电性要求：无需喷金，直接观测绝缘体环境扫描选件（ESEM）：温控样品台，可直接观测液体可升级为Phenom Pro 专
什么是荷电效应？扫描电子显微镜主要用于样品表面微观形貌观察，但在观察样品过程中经常由于荷电效应使得图像异常变亮、畸变，甚至出现图像模糊的情况，严重影响成像质量。图1固体绝缘材料的电子发射特性曲线。横坐标为入射电子能量，纵坐标为试样的电子产率。荷电现象可以用基尔霍夫电流定律表示，即在任一瞬时流向某一结
红外线报警器能探测人体发出的红外线，由红外线传感器、信号放大电路、电压比较器、延时电路和报警指示电路等组成。当人进入报警器的监视区域内，即可发出报警信号，适用于家庭、办公室、仓库、实验室等比较重要场合防盗报警。 红外线报警器原理： 1、红外报警器分主动式和被动式两种。主动式红外线报警
喷金仪是什么？在封闭腔室中，放置阳极靶材，充入气体，保持一定的真空度，在阳极和阴极之间加载高压，会发生辉光放电现象。电离的气体离子会轰击、侵蚀阳极靶材。靶材原子会因此向四周扩散，并在样品上沉积，最终在样品表面形成一个均匀的镀层。这个镀层可以抑制荷电，减小热损伤，提高二次电子产率，从而改善扫描电镜观察
铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提。从优化俄歇电子能谱仪分析
铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提。从优化俄歇电子能谱仪分析
扫描电镜的成像原理是通过detecter获得二次电子和背散射电子的信号，而若样品不导电造成样品表面多余电子或游离粒子的累积不能及时导走，一定程度后就反复出现充电放电现象（charging)，最终影响电子信号的传递，造成图像扭曲，变形、晃动等等一些现象。本文罗列了一些常见的样品表面的导电处理方法。
可充电储能电容器由于其灵活性、低维护要求和总成本较低而受到市场瞩目。 对于紧凑型应用，传统电解电容器是有益于环保的可选方案，并提供宽额定电压范围。但在输出要求超过几百毫瓦的情况下，它们会很快达到储能极限。 双电层电容器（EDLC）提供高功率、高能量密度和长工作寿命，但与电池一样，其工
１ 引言低真空扫描技术是指样品处在低真空条件下，完成显微观测的技术。低真空扫描电镜的成像原理基本上与普通扫描电镜一样，它们的区别在于样品室的真空状态，常规扫描电镜样品室真空度必须优于１０－３ Ｐａ，不导电样品需要表面喷镀导电层，样品上多余的电子由导电层引走；而低真空扫描电镜样品室需要通入气体适当降低
扫描电镜为精密仪器，在观察样品前一定要重视样品制备。如果样品存在问题或制样不当，不仅无法得到理想的效果，还会对电镜造成损伤，影响仪器测试性能，甚至造成设备故障，造成不可挽回的损失。 扫描电镜样品制备的 5 个注意事项 1. 样品为干燥无水固体，无易挥发溶剂 2. 观察面应该清洁，无污染物
扫描电子显微镜最基本的像能是二次电子像。它反映样品表面的立形貌。由样品的低参差、凹凸不平，电子束照射到样品上，不同点的作用角不同，此造激发的二次电子数不同；再由入射方向的不同，二次电子向空间散射的角度和方向也不同，此在样品凸出部分和面向检测器方向的二次电子就多些，而样品凹处和背向检测器方向的二次
粉体样品有两种常用的制样方法。一是用导电胶带直接把粉体固定在样品台上,一是把粉体样品压成薄片,然后再固定在样品台上。前者的优点是制样方便,样品用量少,预抽到高真空的时间较短;缺点是胶带的成分可能会干扰样品的分析,此外荷电效应也会影响到俄歇电子谱的采集。后者的优点是可以在真空中对样品进行处理,如加热、
电子显微和电子能谱分析技术的迅速发展和广泛应用,需要理论方面的研究支持。本文首先简单介绍了扫描电子显微镜等相关探测技术的基本原理和发展趋势,概述了相关的电子与固体相互作用的理论、Monte Carlo模拟计算方法在相关领域的应用。其次,概述了扫描电子显微(SEM)和扫描俄歇电子显微(SAM)成像模拟
工作原因，小编经常会被问到诸如“你们电镜能喷金吗”、“这个样品需要喷金吗”、 “你们电镜需要喷金吗”等问题。 在这里，小编为大家一一解答。 1. 你们电镜能喷金吗 市面上任何一款电镜都无法喷金。对样品喷金需要一种专门的设备，离子溅射仪（俗称“喷金仪”）。它和扫描电镜完全
1.3 热释电效应 当一些晶体受热时，在晶体两端将会产生数量相等而符号相反的电荷，这种由于热变化产生的电极化现象，被称为热释电效应。通常，晶体自发极化所产生的束缚电荷被来自空气中附着在晶体表面的自由电子所中和，其自发极化电矩不能表现出来。当温度变化时，晶体结构中的正负电荷重心相对移位，自发极化
1.1 仪器 法国CAMECA 公司的IMS-4fE/7 型二次离子质谱仪, 配备双等离子源和铯离子源, 中和电子枪。 1.2 样品 样品结构:SiO 采用CVD方法在抛光硅晶片 上生长的二氧化硅薄膜, 厚度在1000 埃至5000 埃之间, 样品处理: 为避免表面沾污对于测试结果的影响,
前 言 对于半导体器件而言，在管芯表面覆盖钝化膜的保护措施是非常必要的，钝化膜是器件的最终的钝化层和机械保护层，可以起到电极之间的绝缘作用，减弱和稳定半导体材料的多种表面效应，防止管芯受到尘埃、水汽酸气或金属颗粒的沾污，一般采用CVD 工艺（化学气相沉积，Chemical Vapo
扫描电镜(SEM)是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。扫描电镜的结构包括电子光学系统、图像显示和记录系统、真空系统、X射线能谱分析系统。其基本原理是用极细的电子束在样品表面上扫描，然后按电视原理放大成像，显示在电视屏幕上。 扫