场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。......阅读全文
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型
场效应管与双极性晶体管的比较
1、场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 2、场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适
场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别
1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。 3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体
概述场效应管的分类
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管
场效应管与三极管的各自应用特点
1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3.场效应管栅极几乎不取电流（ig&
场效应晶体管的分类
场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。 根据栅的结构，场效应晶体管可以分为三种： ①结型场效应管(用PN结构成栅极)； ②MOS场效应管（用金属-氧化物－
场效应管的使用优势
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，
常见的正弦波振荡器
电容反馈振荡器 反馈网络是由电容元件完成的，称为电容反馈振荡器，也称为考必兹(Colpitts)振荡器。其特点是输出波形较好、输出频率较高，但振荡频率调节不方便。 电感反馈振荡器 反馈网络是由电感元件完成的，称为电感反馈振荡器，也称为哈特莱(Hartley)振荡器。其特点是振荡频率调节比较
正弦波振荡器的常见LC
常见LC电容反馈振荡器反馈网络是由电容元件完成的，称为电容反馈振荡器，也称为考必兹(Colpitts)振荡器。其特点是输出波形较好、输出频率较高，但振荡频率调节不方便。电感反馈振荡器反馈网络是由电感元件完成的，称为电感反馈振荡器，也称为哈特莱(Hartley)振荡器。其特点是振荡频率调节比较方便，但
ICP与AAS的比较与选择
20世纪90年代以来，随着ICP技术的不断发展，它的优势越来越突出，大有取代AAS之势，而ICP—MS的问世，不但具有优于GFAAS的检出限，而且还能测量同位素，更显示了其强大的优势。ICP是否会完全取代AAS，它们各有什么优缺点，下面对ICP—MS（等离子体质谱）、ICP—AES（全谱直读等离子体
场效应管的特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电
场效应管的作用
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关
场效应管的类型介绍
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致
比较FPLC与HPLC
1、二者原理相同：都是由经典的液体柱层析引入气相色谱理论，并且对相体进 行了改革，配用高压输液泵，采用高灵敏检测器、梯度洗脱装置、自动收集装置和微机等发展起来的现代液相色谱。 2、特点：二者均具有快速、分辨率高、检测灵敏度高、分离效能高等特点，而且FPLC还具有柱容量大、回收效率高及不易使生物大
场效应管简介
场效应管（Field Effect Transistor，缩写FET）是场效应晶体管的简称，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 它主要有两种类型：结型场效应管和金属 -氧化物半导体场效应管，具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集
微波功率晶体管相关介绍
微波功率晶体管可在微波频率下可靠地输出几百毫瓦至几十瓦的射频功率。这就要求晶体管在微波频率下具有良好的功率增益和效率。高频率和大功率是矛盾的，故微波功率晶体管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率性能的主要途径有:①提高发射极的“周长/面积比”，以提高单位
简介场效应管的组成
FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。 大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。
场效应管的交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
场效应管的直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
场效应管的极限参数
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值， ②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制， ③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压， ④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。 除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参
SPM与SEM的图像比较
SPM(扫描探针显微镜)与SEM(扫描电子显微镜)相比，SEM历史更长且在各方面的发展已日渐成熟。而SPM正处在方兴未艾的发展之中，软件/硬件不断开发升级，应用技术也在不断开拓。更重要的是，SPM并非是在溯寻SEM的发展历史，而是朝着一个崭新的方向在发展。虽然从名称上看二者类似，但从本质来讲，“扫描
TOC与TOD之间的比较
TOC与TOD都是利用燃烧法来测定水中有机物的含量。所不同的是,TOC是以碳的含量表示的,TOD是以还原性物质所消耗氧的数量表示的,且TOC所反映的只是含碳有机物,而TOD反映的是几乎全部有机物质。根据TOD对TOC的比例关系,可以大体确定水中有机物的种类。对于只含碳的化合物而言,因为一个碳原子燃烧
比较细菌与病毒的区别
病毒(virus)是一类个体微小，无完整细胞结构，含单一核酸（DNA或RNA)型，必须在活细胞内寄生并复制的非细胞型微生物。病毒比细菌还小、没有细胞结构、只能在活细胞中增殖的微生物。由蛋白质和核酸组成。多数要用电子显微镜才能观察到。细菌（英文：germs；学名：bacteria）广义的细菌即为原核生
场效应管结型场管脚识别测试方法
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一
MOS场效应管概述
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟
VMOS场效应管概述
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～1
功率场效应晶体管有哪些优点？
功率场效应晶体管（VF）又称 VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比 晶体管和 MOS场效应管更好的特性。即是在 大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率 MOSFET，其优点表现在以下几个方面： 1. 具有较高的 开关速度。 2. 具有较宽的安全工作区而 不会产生热点，并且具有正的 电
PLC与DCS、－FCS比较
PLC是由早期继电器逻辑控制系统与微机计算机技术相结合而发展起来的，它是以微处理器为主的一种工业控制仪表，它融计算机技术、控制技术和通信技术于一体，集顺序控制、过程控制和数据处理于一身，可靠性高、功能强大、控制灵活、操作维护简单。近几年来，可编程序控制器及组成系统在我国冶金、电厂、轻工石化、矿业、水
浅析SRAM和DRAM的真正区别（二）
SRAM如何运作刚才总结到了SRAM有着很特别的优点，你该好奇这家伙是怎样的运作过程？一个SRAM单元通常由4－6只晶体管组成，当这个SRAM单元被赋予0或者1的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。SRAM的速度相对比较快，且比较省电，但是存储1bi
为什么在放大电路中输出电阻越小，带负载能力越强
因为输入电阻的大小反映了放大电路对信号源的影响程度。输入电阻越大，放大电路从信号源汲取的电流（即输入电流）就越小，信号源内阻上的压降就越小，带负载能力越强。根据放大电路的作用可以将其分为：电压放大电路、电流放大电路和功率放大电路。根据放大电路的组成元件可以分为晶体管放大电路和场效应管放大电路。晶体管