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二次离子质谱（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的原子或原子团吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,这些带电粒子经过质量分析器后就可以得到关于样品表面信息的图谱。[1] 在传统的SIMS实验中，高能一次离子束，如Ga, Cs, 或 Ar离子在超真空条件下聚焦于固体样品表面 （如左图所示）。一次离子束与样品相互作用，材料表面溅射和解吸出二次离子。这些二次离子随后被提取到质量分析器中，从而呈现具有分析表面特征的质谱图 ，同时产生元素、同位素及分子的信息，其灵敏度范围可达ppm至ppb量级。在该领域中，有三种基础类型的SIMS仪器最为常用，每一种质谱使用不同的质量分析器。......阅读全文
二次离子质谱（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的原子或原子团吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,这些带电粒子经过质量分析器后就可以得到关于样品表面信息的图谱。[1] 在传统的SIMS实验中，高能一次
二次离子质谱仪原理简介二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）又称离子探针（Ion Microprobe），是一种利用高能离子束轰击样品产生二次离子幵迚行质谱测定的仪器，可 以对固体或薄膜样品迚行高精度的微区原位元素和同位素分析。由于地学样品的复杂
扇形磁场二次离子质谱仪器通常使用静电和扇形磁场分析器来进行溅射二次离子的速度和质量分析。扇形磁场使离子束偏转，较轻的离子会比较重的离子偏转更多，而较重的离子则具有更大动量。因此，不同质量的离子会分离成不同的光束。静电场也应用于二次光束中，以消除色差。由于这些仪器具有更高的工作电流和持续光束，
二次离子质谱仪（SIMS）分析方法介绍美信检测 失效分析实验室 1.简介 二次离子质谱仪（secondary ion mass spectroscopy，简称SIMS），是利用质谱法分析初级 离子入射靶面后，溅射产生的二次离子而获取材料表面信息的一种方法。二次离子质谱仪分 析对象包括金属及
SIMS主要包括一次离子源、进样室、质量分析器、真空系统、数据处理系统等部分，对于绝缘样品还配有电荷补偿的电子中和枪，同时根据分析目的不同，还配有不同的离子源，常见的有气体放电源（如O、Ar、Xe）、表面电离源（如Cs）、热隙源（如C60）和液态金属及团簇源（如Bin、Aun、Ga）等。 这是
自从Dunnoyer 第一次发现离子在真空中沿直线运动已经有100年的历史，自此以后，分子束的应用在二十世纪持续到二十一世纪，它为重大技术进步和基础研究奠定了基础，分子束用于溅射源是其中应用之一。 尽管在是十九世纪中叶溅射的现象已经观察到，直到十九世纪四十年代，随着真空技术的进步，Herzog
Secondary-ion-mass spectroscope （SIMS）是一种基于质谱的表面分析技术，二次离子质谱原理是基于一次离子与样品表面互相作用现象（基本原理如图1所示）。带有几千电子伏特能量的一次离子轰击样品表面，在轰击的区域引发一系列物理及化学过程，包括一次离子散射及表面原子、原子
当前二次离子质谱领域发展迅速，在半导体制造中元素掺杂，薄膜的组分测量和其他无机材料，宇宙中同位素比例，地球中微量元素等领域具有非常重要应用。 通过二次离子质谱的深度剖析来分析材料薄膜结构是一种独特的分析手段，尤其是对于分析不同薄层中的材料，以及相邻两层之间材料的相互影响 分析亚微米尺度下的特征
SIMS大致可以分为“动态二次离子质谱”（D-SIMS）"和“静态二次离子质谱“（S-SIMS）两大类。虽然工作原理上它们并无本质差别，但是两种模式的应用特点却有所不同。一次离子束流密度大小是划分两种模式的主要标准。一般在S-SIMS模式下，一次离子束流被控制在1013离子/cm2，常
在二次离子的常规检测中，可以用于分析的样品可以固体，也可以是粉末、纤维、块状、片状、甚至液体（微流控装置）。如果从导电性考虑，这些样品可以是导电性好的材料，也可以是绝缘体或者半导体。从化学组成上来分，可以是有机样品，如高分子材料、生物分子，也可以是无机样品，如钢铁、玻璃、矿石等。