超纯半导体开辟电子研究新领域

砷化镓pn结注入式激光器的功能介绍

中文名称砷化镓p-n结注入式激光器英文名称gallium arsenide p-n junction injection laser定　　义以砷化镓材料构成p-n结，以晶体解理面构成谐振腔，当p-n结中注入大电流，便以平行于结面的方向射出激光的激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科

“量子液滴”的稳定性可用于研究光和物质的特定形式

　　美国天体物理联合研究实验室供图 　　以上效果图显示了显微镜下超快红色激光脉冲在砷化镓半导体上激起的“量子液滴”。每滴“液滴”中的电子和空穴以液态模式环状排列，其周围则是等离子体。 　　科技日报讯 (记者陈丹)美国天体物理联合研究实验室的物理学家与德国马尔堡大学的理论学家合作，发现了一类新

关于局限半导体结构的研究

基于半导体材料的量子光学设计在量子密码学以及量子通讯应用及研究中发挥着越来越重要的作用。在本应用文档中，我们将介绍砷化镓的激子化激元以及砷化铟量子点的光谱学测量。所有的实验都是在4~60K的制冷温度下进行的。相对于光之间直接作用，电控制光学器件显得非常的简单。因此，在量子光学中，依然通过把光变为电信

锑化镓的应用

锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。GaSbChemicalbook具有优异的物理化学性能，常被用做衬底材料，应用于8~14mm及大于14mm的红外探测器和激

全球首次！中国科学家领衔，取得突破性成果

　　南京大学物理学院杜灵杰教授领衔的国际团队利用极端条件下的偏振光散射技术，在砷化镓量子阱中对分数量子霍尔效应的集体激发进行了测量，在世界上首次观察到引力子激发，即引力子在凝聚态物质中的新奇准粒子。相关研究发表于3月28日的国际学术期刊《自然》。圆偏振光测量引力子激发。图片来源：南京大学　　研究团队

氮化镓半导体材料的应用前景

对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是

中美科学家在光滑基座上种植出两类拓扑绝缘体

　　据物理学家组织网10月14日报道，中美科学家携手合作，为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。该研究团队报告称，他们在一个超高真空腔内，分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面，种植出了两类拓扑绝缘体材料，并对它们输送电子的能力进行了评估。相关研究发表在最新一期的美国

中美合作团队在光滑基座上种植出两类拓扑绝缘体

　　据物理学家组织网10月14日报道，中美科学家携手合作，为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。该研究团队报告称，他们在一个超高真空腔内，分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面，种植出了两类拓扑绝缘体材料，并对它们输送电子的能力进行了评估。相关研究发表在最新一期的美国物理联合会

半导体材料的应用介绍

制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，

半导体材料的制备方法

不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上 ，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一

王占国：半导体材料将走向“纳米化”

　　半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 　　半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通

王占国院士：半导体材料将走向“纳米化”

　　半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 　　半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，

氮化镓的的计算化学数据

1、疏水参数计算参考值（XlogP）：无2、氢键供体数量：03、氢键受体数量：14、可旋转化学键数量：05、互变异构体数量：无6、拓扑分子极性表面积：23.87、重原子数量：28、表面电荷：09、复杂度：1010、同位素原子数量：011、确定原子立构中心数量：012、不确定原子立构中心数量：013、

苏州纳米所基于高效砷化镓电池的聚光光伏发电系统获进展

　　基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电系统是未来光伏领域的重要发展方向，具有稳定、高效、低成本等诸多优越性。太阳能光伏发电厂有明显的节能减排效果，同时大大减小了土地使用面积，发电系统所覆盖的土地也可以间歇性的受到光照，不影响当地植被的生存，具有就近就地分散发供电，进入和退出电网灵活的

半导体砷化硼有望应用到集成电路领域

7月22日，国家纳米科学中心（以下简称纳米中心）研究员刘新风研究团队在《科学》上发表论文，首次在半导体砷化硼中检测到其电子空穴约化迁移率约 1550 cm2/Vs, 这一测量结果与理论预测值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望为半导体砷化硼在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导。利用瞬态反射显

可靠逻辑量子比特的规模化计算创建

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/9/530176.shtm

我国半导体量子计算芯片封装技术进入全新阶段

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/8/506366.shtm

我国半导体量子计算芯片封装技术进入全新阶段

　　从量子计算芯片安徽省重点实验室获悉，我国科研团队成功研制出第一代商业级半导体量子芯片电路载板，该载板最大可支持6比特半导体量子芯片的封装和测试需求，使半导体量子芯片可更高效地与其他量子计算机关键核心部件交互联通，将充分发挥半导体量子芯片的强大性能。　　量子计算机具有比传统计算机更高效的计算能力和

美制成兼具电学光学性质的光子晶体

　　据美国物理学家组织网7月24日报道，美国科学家研发出了一种新方法，改变了半导体的三维结构，使其在保持电学特性的同时拥有了新的光学性质，并据此研制出了首块光学电学性能都很活跃的新型光子晶体，为以后研制出新式太阳能电池、激光器、超材料等打开了大门。研究发表在最新一期《自然·材料学》杂志上。　　光子晶

中外团队首次发现引力子激发

该校物理学院杜灵杰教授领衔的国际团队利用极端条件下的偏振光散射技术，在砷化镓量子阱中对分数量子霍尔效应的集体激发进行了测量，在世界上首次观察到引力子激发，即引力子在凝聚态物质中的新奇准粒子。相关研究发表于3月28日的国际学术期刊《自然》。引力子的研究，一直是物理学研究的终极问题之一。近年来，有理论物

氮化镓半导体材料的优点与缺陷

①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁

汉能10兆瓦砷化镓太阳能电池制造基地落户武汉

　　日前，汉能薄膜发电集团有限公司在北京与湖北武汉市黄陂区政府签订投资合作协议，汉能薄膜发电将在黄陂临空产业园投资建设10兆瓦砷化镓(GaAs)薄膜太阳能电池研发制造基地，该项目将成为全世界产量最大的砷化镓太阳能电池生产基地。其中一期建设规模3兆瓦，并为实施项目设立项目公司。

锑化镓的结构组成

锑化镓的生产方法

把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中，装入石英管内，并用氢气流充分置换掉空气之后，然后在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合。为了制得GaSb单晶，可Chemicalbook以从石英管中慢慢取出，使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时，所用原料盘及石英管

锑化镓的结构特点

常用的半导体材料介绍

常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族

激光器的概念和研究历史

激光器——能发射激光的装置。1954年制成了第一台微波量子放大器，获得了高度相干的微波束。1958年A.L.肖洛和C.H.汤斯把微波量子放大器原理推广应用到光频范围，1960年T.H.梅曼等人制成了第一台红宝石激光器。1961年A.贾文等人制成了氦氖激光器。1962年R.N.霍耳等人创制了砷化镓半导

关于二极管激光器的基本介绍

　　二极管激光器中的P-N结由两个掺杂的砷化镓层形成。它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。　　激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照P-N结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流

北京推动量子计算向金融实用化迈进

　　在北京市科委、中关村管委会支持指导下，华夏银行联合北京量子信息科学研究院、华翊博奥（北京）量子科技有限公司、北京玻色量子科技有限公司共同推出的“量子金融云平台”，今年被人民银行主管期刊《金融电子化》评为“2024年度金融信息化10件大事”之一。　　量子科技已成为全球各国科技博弈的核心焦点，近年来

新型量子点发射单光子速率提升3倍

由巴西坎皮纳斯州立大学科学家领衔的国际团队，研制出一种新型低密度半导体量子点，其发射单光子的速率较传统方法提升3倍，有望助推量子通信和光子量子计算等技术进一步发展。相关研究成果发表于新一期《纳米快报》。量子点是一种纳米级半导体结构，因能捕获电子和空穴，被称为“人造原子”。在外加电场或光照下，它会发出