最纯砷化镓半导体面世
美国普林斯顿大学研究人员在《自然·材料》杂志报告称，他们研制出了世界上迄今最纯净的砷化镓。该砷化镓样品的纯度达到每100亿个原子仅含有一个杂质，纯度甚至超过了用于验证一千克标准的世界上最纯净的硅样品。 砷化镓是一种半导体，主要用于为手机和卫星等提供电力。新研究得到的砷化镓样品呈正方形，边长与一块橡皮擦的宽度相当，可用于深入探究电子的本质。 为进一步研究该超纯样品，研究人员将其冷冻到比太空温度更低的温度，随后将其包裹起来置于强大的磁场中并施加电压，让电子穿越夹在材料晶体层之间的二维平面。当他们降低磁场时，发现了一系列令人惊讶的效应。 当电子排列成一种被称为维格纳晶体的晶格结构时，研究人员获得了意外的发现。科学家们此前认为，要想让维格纳晶体出现，需要极强的磁场——大约14特斯拉。该研究论文作者之一凯文·维莱加斯·罗萨莱斯说：“最新研究表明，电子可在不到1特斯拉的条件下结晶，不过，需要超高质量的样品才能看到这一现象。” 此......阅读全文
上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新进展。研究员王庶民领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料，并成功制备出目前发光波长最长（1.142微米）的电泵浦镓砷铋室温（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界纪录，脉冲激射最大
下一代半导体的宽与窄
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。 超宽禁带
磁阻原件的阻值变化为什么受温度的影响比较大
因为它是半导体元件。常见的磁阻元件为锑化铟材料，由于它的禁带宽度低（0.18eV），所以导致它受温度的影响就大，这是半导体物理性质决定的（学过半导体物理就知道了），实验也证明如此。例如砷化镓（1.47eV）的温度系数就比硅（1.21eV）的小，这是因为它禁带宽度比硅大。
半导体量子芯片开发获重要进展
“量子芯片”是未来量子计算机的“大脑”。中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室郭国平研究组，在量子芯片开发领域的一项重要进展，首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特。该成果近日在国际权威杂志《物理评论快报》发表。 郭
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
宽带隙半导体材料的特征
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
宽带隙半导体材料的特性
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
枸橼酸镓［67Ga］注射液的放射化学纯度
取本品适量,以醋酸钠冰醋酸混合溶液(取醋酸钠1.36g与冰醋酸0.58ml,用水100ml溶解,混匀)为展开剂,照放射化学纯度测定法一法(通则1401)试验,枸橼酸镓[Ga]的Rr值约为0.9,其放射化学纯度应不低于95%。
枸橼酸镓［67Ga］注射液的放射性核纯度
取本品适量,照放射性核纯度测定法(通则1401)测定,镓[Ga]应大于9.0%,镓[Ga不得过0.2%
日本新技术使太阳能电池光电转换率增一倍
日本京都大学的一个研究团队在英国《自然·光子学》网络版上发表文章说，他们研制了一种特殊的滤膜，能使太阳能电池的光电转换效率相对于“普及”水平提高一倍以上。 据日本《朝日新闻》网站15日报道，目前最普及的硅太阳能电池的光电转换效率一般在20%左右，经技术改良达到30%已经很不容易。这是由于太
IIIV族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性
IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线，具有一般标准材料所没有的光学特性，从而为开发出基于半导体纳米线的“新一代晶体管”电路研究而铺路。 该研究实验室与挪威科技大学(Norwegian University of Science
国内力推新材料标准化－稀有金属产业迎来机遇
工信部力推新材料标准化稀有金属产业迎来机遇 工业和信息化部近日出台了《新材料产业标准化工作三年行动计划》。《计划》提出，到2015年，完成200项重点标准制修订工作，立项并启动300项新材料标准研制，开展50项重点标准预研究，争取覆盖 “十二五”规划提出的400个重点新材料产品，基本形
常用铁磁半导体介绍
以下是几种铁磁半导体：掺锰的砷化铟和砷化镓（GaMnAs），居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟，不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体：1.掺锰的氧化铟，常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛：掺钴的二氧化钛，常温下
磷化铟？“老了点”－石墨烯？“窄了点”
“磷化铟？这是不是写错了？”7日上午，政协委员分组讨论“十三五”规划纲要。中科院上海技术物理研究所研究员何力对半导体材料和器件研究多年，而“十三五”规划纲要中关于高端材料的一段话却让他困惑——“ 大力发展形状记忆合金、自修复材料等智能材料，石墨烯、超材料等纳米功能材料，磷化铟、碳化硅等下一代半导
半导体激光器的工作原理
工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体
中国科大研究成功新型量子比特编码
中国科学技术大学教授、中国科学院院士郭光灿领导的中科院量子信息重点实验室在新型量子比特编码方面取得新进展。该实验室郭国平研究组及合作者首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特，研究成果发表在2月25日出版的《物理评论快报》上。 与现代计算机
高效聚光光伏电池研制在美起航－将提高光电转换率
约翰·罗格参与研发的新型面板 太阳能是免费和近乎无限的，对于“能源即生命”的人类而言，没有理由视而不见、任其浪费。不过，即便是当前光电转化效率最高、也是最主流的硅片太阳能电池，也仅能将光能的四分之一加以利用。而据英国《经济学人》杂志在线发表的一篇文章指出，尽管目前，晶硅太阳能电
香山科学会议聚焦宽禁带半导体
“随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破，甚至可能在21世纪上半叶，导致一场新的信息和能源技术革命。”在11月8日召开的以“宽禁带半导体发光的发展战略”为主题的第641次香山科学会议上，与会专家指出，宽禁带半导体核心技术一旦解决，必将引起应用格局的巨大改变。 如今，半导体发展已经历了
微波等离子体亚深微米刻蚀
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用
什么是同质结与异质结
1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。2、异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—