磁光克尔效应磁强计简介
具有非常高的灵敏度。当薄膜厚度只有纳米量级的时候,激光光斑这磨小区域所产生的磁信号改变,都能检测出来,应该说比上述各种磁强计灵敏度都高。 它们共同的特点是具有较高的灵敏度,主要用来测量静态磁性,包括技术磁化曲线、磁滞回线,退磁曲线、磁热曲线,及其中所包含定义的各种参数。如饱和磁化强度Ma,剩余磁化强度Mr,矫顽力Hc,居里温度Tc,各种磁化率或磁导率,最大磁能积,矩形比等。这些仪器不仅可以测量铁磁、亚铁磁性的样品,而且可以测量抗磁、顺磁性的样品,不仅可以测大块样品,而且可以测薄膜等微量样品,所以在各种磁性功能材料、超导材料、结构化学、地质勘探、生物物理等研究领域里有着非常广泛的应用。......阅读全文
磁光克尔效应磁强计简介
具有非常高的灵敏度。当薄膜厚度只有纳米量级的时候,激光光斑这磨小区域所产生的磁信号改变,都能检测出来,应该说比上述各种磁强计灵敏度都高。 它们共同的特点是具有较高的灵敏度,主要用来测量静态磁性,包括技术磁化曲线、磁滞回线,退磁曲线、磁热曲线,及其中所包含定义的各种参数。如饱和磁化强度Ma,剩余
磁光克尔效应简介
在磁光克尔效应，根据反映的磁材料具有轻微旋转偏振平面。它类似于法拉第效应下的两极分化的透光旋转。
磁光克尔效应的概念介绍
在磁光克尔效应，根据反映的磁材料具有轻微旋转偏振平面。它类似于法拉第效应下的两极分化的透光旋转。
克尔效应简介
在外电场作用下，液体就成为光学上的单轴晶体，其光轴同电场方向平行。通常的作法是：把液体装在玻璃容器中，外加电场通过平行板电极作用在液体上，光垂直于电场方向通过玻璃容器，以观察克尔电光效应。这种装置称为克尔盒。这时两个主要折射率n0与ne，分别称为正常与反常折射率。容器中的液体称为正或负双折射物质，取
光学克尔效应简介
光学克尔效应，或AC克尔效应是指其电场由光本身所产生的情况。这导致变异的折射率与辐射光本身的辐照度成正比。这种折射率的变化导致了的非线性光学效应的自聚焦、自相位调制以及调制不稳定性，并且是克尔透镜锁模的基础。此效应仅在非常强烈的光束下才能较明显的表现出来，比如激光。
克尔磁光效应简介
克尔磁光效应线偏振光入射到磁化媒质表面反射出去时，偏振面发生旋转的现象。也叫克尔磁光效应或克尔磁光旋转。这是继法拉第效应发现后，英国科学家J.克尔于1876年发现的第二个重要的磁光效应。按磁化强度和入射面的相对取向，克尔磁光效应包括三种情况：极向克尔效应, 即磁化强度 M 与介质表面垂直时的克尔效应
克尔效应的概念简介
在外电场作用下，液体就成为光学上的单轴晶体，其光轴同电场方向平行。通常的作法是：把液体装在玻璃容器中，外加电场通过平行板电极作用在液体上，光垂直于电场方向通过玻璃容器，以观察克尔电光效应。这种装置称为克尔盒。这时两个主要折射率n0与ne，分别称为正常与反常折射率。容器中的液体称为正或负双折射物质，取
波克尔斯效应和克尔效应的区别
波克尔斯效应和克尔效应的区别在于：波克尔斯效应是与电场大小成正比，而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
波克尔斯效应和克尔效应的区别
波克尔斯效应和克尔效应的区别在于：波克尔斯效应是与电场大小成正比，而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
波克尔斯效应和克尔效应的区别
波克尔斯效应和克尔效应的区别在于：波克尔斯效应是与电场大小成正比，而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
克尔效应介绍
也称为二次电光（QEO）效应的克尔效应是材料响应于所施加的电场的折射率的变化。 克尔效应与普克尔效应不同，因为诱导的指数变化与电场的平方成正比，而不是线性变化。 所有材料显示克尔效应，但某些液体比其他液体显示更强烈。 克尔效应于1875年被苏格兰物理学家约翰·克尔（John Kerr）发现。通常考虑
光磁效应简介
光照射物质后,物质磁性（如磁化率、磁晶各向异性、磁滞回线等）发生变化的现象。早在1931年就有光照引起磁化率变化的报道，但直到1967年R.W.蒂尔等人在掺硅的钇铁石榴石 (YIG)中发现红外光照射引起磁晶各向异性变化之后才引起人们的重视。这些效应多与非三价离子的代换有关，这种代换使亚铁磁材料中出现
什么是克尔效应？
指与电场二次方成正比的电感应双折射现象。放在电场中的物质，由于其分子受到电力的作用而发生取向（偏转），呈现各向异性，结果产生双折射，即沿两个不同方向物质对光的折射能力有所不同。 这一现象是1875年J.克尔发现的。后人称它为克尔电光效应，简称克尔效应。
克尔效应的定义
指与电场二次方成正比的电感应双折射现象。放在电场中的物质，由于其分子受到电力的作用而发生取向（偏转），呈现各向异性，结果产生双折射，即沿两个不同方向物质对光的折射能力有所不同。 这一现象是1875年J.克尔发现的。后人称它为克尔电光效应，简称克尔效应。
克尔效应的概念
指与电场二次方成正比的电感应双折射现象。放在电场中的物质，由于其分子受到电力的作用而发生取向（偏转），呈现各向异性，结果产生双折射，即沿两个不同方向物质对光的折射能力有所不同。 这一现象是1875年J.克尔发现的。后人称它为克尔电光效应，简称克尔效应。
克尔效应理论介绍
克尔电光效应对于非线性材料，电动极化场p只会取决于电场：其中ε0是真空介电常数， 是电极化率的n阶的组成部分。“：”符号代表了矩阵之间的内积。我们可以更明确的描述这种关系，第i次组成的向量P可以表示为：式中，i=1,2,3。通常假设 ，即部分平行为x的极化场； 等等。材料表现出不可忽视的克尔电光效应
磁光效应的应用磁光调制器
磁光调制器是利用偏振光，通过磁光介质，透射光的偏振面发生旋转来对光束进行调制的一种工具。磁光调制器可用作红外检测器的斩波器，红外辐射高温计、高灵敏度偏振计等。磁光调制器的工作原理是将电信号先转换成与之对应的交变磁场，再由磁光效应改变在介质中传输的光波的偏振态，从而达到改变光强等参的目的。
磁光效应的应用磁光隔离器
随着光纤通信、光信息处理和磁光记录等技术的高速发展，光源的稳定性和鲁棒性就显得至关重要。各种反射光都会严重干扰光源的正常输出，从而影响了整个系统的正常工作。磁光隔离器通过防止反向传输的干扰光对光源的影响，提高系统的工作稳定性，实现正向通过，反向隔离的目的。
磁光效应的应用磁光传感器
光纤电流传感器具有很好的绝缘性和抗干扰能力以及较高的测量精度，容易小型化。磁光效应传感器就是利用激光技术发展而成的高性能传感器。光纤电流传感器是根据法拉第效应原理，当一束线偏振光通过置于磁场中的磁光材料时，光的偏振方向发生改变来实现传感器的功能。磁光效应传感器作为一种特定用途的传感器，能够在特定的环
振动样品磁强计简介
采用电磁感应原理,测量在一组探测线圈中心以固定频率和振幅作微振动的样品的磁矩。对于足够小的样品,它在探测线圈中振动所产生的感应电压与样品磁矩、振幅、振动频率成正比。在保证振幅、振动频率不变的基础上,用锁相放大器测量这一电压,即可计算出待测样品的磁矩。
克尔效应的理论介绍
克尔电光效应对于非线性材料，电动极化场p只会取决于电场：其中ε0是真空介电常数， 是电极化率的n阶的组成部分。“：”符号代表了矩阵之间的内积。我们可以更明确的描述这种关系，第i次组成的向量P可以表示为：式中，i=1,2,3。通常假设 ，即部分平行为x的极化场； 等等。材料表现出不可忽视的克尔电光效应
什么是克尔磁光效应？
线偏振光入射到磁化媒质表面反射出去时，偏振面发生旋转的现象。也叫克尔磁光效应或克尔磁光旋转。这是继法拉第效应发现后，英国科学家J.克尔于1876年发现的第二个重要的磁光效应。按磁化强度和入射面的相对取向，克尔磁光效应包括三种情况：极向克尔效应, 即磁化强度 M 与介质表面垂直时的克尔效应;横向克尔效
简介磁强计的相关应用
磁强计是用来测量磁感应强度的传感器,在工业、农业、交通 运输、国防、航空航天、海洋、气象、医疗卫生等领域均有广泛应用。在地质勘探领域,它可用于地磁场变化监测和地质年代检测；在医疗卫生领域,它常被用来检测人体磁场并辅助疾病诊断；在国防上,它可以应用在磁性扫雷、炸弹探测、磁波通讯、磁探针和磁导航；
克尔效应实验的实验原理
各向同性的介质如玻璃，石蜡，水，硝基苯等，在强电场作用下会表现出各向异性的光学性质，表现出双折射现象。折射率差与电场强度的平方成正比，称为克尔效应。在两平行平板之间加上高电压，在电场作用下，由于分子的规律排列，这些介质就表现出象单轴晶体那样的光学性质，光轴的方向就与电场的方向对应。当线偏振光沿着与电
克尔效应实验的实验原理
各向同性的介质如玻璃，石蜡，水，硝基苯等，在强电场作用下会表现出各向异性的光学性质，表现出双折射现象。折射率差与电场强度的平方成正比，称为克尔效应。在两平行平板之间加上高电压，在电场作用下，由于分子的规律排列，这些介质就表现出象单轴晶体那样的光学性质，光轴的方向就与电场的方向对应。当线偏振光沿着与电
什么是泡克尔斯效应？
泡克尔斯效应（英语：Pockels effect）是指光介质在恒定或交变电场下产生光的双折射效应，这是一种线性电--光效应，其折射率的改变和所加电场的大小成正比。
光学克尔效应的概念介绍
光学克尔效应，或AC克尔效应是指其电场由光本身所产生的情况。这导致变异的折射率与辐射光本身的辐照度成正比。这种折射率的变化导致了的非线性光学效应的自聚焦、自相位调制以及调制不稳定性，并且是克尔透镜锁模的基础。此效应仅在非常强烈的光束下才能较明显的表现出来，比如激光。
泡克尔斯效应的概念
泡克尔斯效应（英语：Pockels effect）是指光介质在恒定或交变电场下产生光的双折射效应，这是一种线性电--光效应，其折射率的改变和所加电场的大小成正比 。
克尔效应实验的实验原理
各向同性的介质如玻璃，石蜡，水，硝基苯等，在强电场作用下会表现出各向异性的光学性质，表现出双折射现象。折射率差与电场强度的平方成正比，称为克尔效应。在两平行平板之间加上高电压，在电场作用下，由于分子的规律排列，这些介质就表现出象单轴晶体那样的光学性质，光轴的方向就与电场的方向对应。当线偏振光沿着与电
泡克尔斯效应的定义
泡克尔斯效应（英语：Pockels effect）是指光介质在恒定或交变电场下产生光的双折射效应，这是一种线性电--光效应，其折射率的改变和所加电场的大小成正比 。