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在核磁共振氢谱中,影响化学位移的因素主要包括局部屏蔽效应、远程屏蔽效应、氢键效应和溶剂效应等。此外,分子结构中存在的对称性(对称元素与核的化学位移等价性密切相关。1.局部屏蔽效应通过影响所研究的质子的核外成键电子的电子云密度而产生的屏蔽效应称为局部屏蔽效应。局部屏蔽效应可分为两个组成部分,其一是核外成键电子在磁场作用下产生相应运动而产生的屏蔽效应,叫作局部抗磁屏蔽;其二是由于化学键等因素限制了核外成键电子在磁场作用下的运动而产生的对抗屏蔽效应,叫作局部顺磁屏蔽。在一个分子中,所讨论原子周围的化学键的存在导致核外电子运动受阻,电子云呈非球形。这种非球形对称的电子云所产生的磁场与抗磁屏蔽产生的磁场方向相反,因此称为顺磁屏蔽。对质子而言,因为s电子云是球形的,所以以局部抗磁屏蔽为主,局部顺磁屏蔽作用较弱,约小一个数量级(p、d电子对顺磁屏蔽有贡献)。局部屏蔽效应也称为电性效应,从电性效应的角度可以区分为诱导效应和共轭效应。注:本手册不......阅读全文
在核磁共振氢谱中,影响化学位移的因素主要包括局部屏蔽效应、远程屏蔽效应、氢键效应和溶剂效应等。此外,分子结构中存在的对称性(对称元素与核的化学位移等价性密切相关。1.局部屏蔽效应通过影响所研究的质子的核外成键电子的电子云密度而产生的屏蔽效应称为局部屏蔽效应。局部屏蔽效应可分为两个组成部分,其一是核外
与独立的质子不同,分子中的各个质子都分别处于特定的化学环境。化学环境主要是指质子的核外电子以及与该质子距离相近的其他原子核或官能团的有关电子的分布、运动及其对周围空间的影响情况;这些电子在磁场的影响下产生了感应磁场,对质子所处环境中的磁场起了一个正的或负的屏蔽(shielding)影响导致不同的质子
化学位移采用相对数值表示:以某一标准样品的共振峰为原点,测出样品各峰与原点的距离。化学环境中的电子受磁场作用而产生的感应磁场与磁场的磁场强度成正比,因此,由感应磁场的屏蔽作用所引起的化学位移的大小也与磁场的磁场强度成正比。由于实际的核磁共振波谱仪具有不同的频率或磁场强度,于是,若用频率或磁场强度表示
化学位移的理论当质子处在磁场H0中时,它的一个核外电子被诱导在与H0垂直的平面上绕核运动而在电子环流所包围的区域内产生与H0方向相反、正比于H0的局部磁场,这个局部磁场抵消了一部分磁场,因此,使质子实际受到的磁场强度有所降低,其关系表示为: 式中,HH表示氢原子核实际受到的磁场强度大小;σ为屏蔽常数
质子或其他种类的磁性核由于在分子中所处的化学环境不同而在不同的磁场强度下显示共振峰的现象称为化学位移。
化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达(相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准)。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。影响因素可以表示为内因:有吸电子基团的向低场移动(因为屏蔽作用减少，弛豫所
在磁场中,分子内的电子在与磁场垂直的平面上围绕原子核或特定的官能团做循环运动,这种电子运动会因磁场的作用在其环流范围内产生与磁场方向相反的感应磁场,同时在其环流范围外产生与磁场方向相同的感应磁场,从而对分子内的不同区域产生各向异性的影响,使处于不同化学环境的质子实际受到不同的磁场作用。这种分子内的电
化学位移：由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。化学位移产生的原因：原子核对内层电子有吸引力，外层电子对内层电子有排斥（屏蔽）作用。当原子的化学环境发生改变时，会引起原子核的吸引力和外层电子的屏蔽作用的改变，从而改变内层电子的结合能，
1.原子核化学等价当分子中的两个或多个质子被分子构型中所存在的对称性(对称元素)或分子的快速旋转机制作用后,质子的位置可以相互交换时则这些质子是化学等价质子。2.对称化学等价在分子构型中找出所存在的对称元素(对称轴、对称面、对称中心、更迭对称轴等),通过对称操作后,可以相互交换位置的质子称为对称化学
高分辨核磁共振谱仪主要是研究通知磁性核在外磁场作用下产生的微小变化,这些变化来源于核的磁屏蔽,它起因于分子中电子环形运动所产生的次级磁场。而在高分辨NMR实验中所得到的共振信号大多又是裂分谱线。造成裂分谱线分的原因是磁性核之间的自旋——自选相互作用。化学位移和偶合常数是核磁共振波谱中反映化合物结构的