小尺寸、高消光比的低功耗硅光开关研制出炉
硅光集成是指利用CMOS工艺平台，将实现高性能调制、探测、传输和复用等功能的器件集成在同一芯片上，通过规模集成面向片上和片间光互连、高速光通信、集成传感和智能计算等提供性能更优、更具性价比的芯片和组件，其中低功耗、高性能的光开关是硅光集成在上述应用场景中需要的核心器件。 当前，硅光集成开关器件主要采用马赫-曾德干涉仪或微环谐振器的结构设计，这些器件存在如占用空间大、对外界温度敏感，以及需要持续的外部电源来维持开关状态导致高静态功耗等不足，这为高密度的硅光集成带来了额外困难。非易失性相变材料得到关注和研究，例如，研究将Ge2Sb2Te5集成到光子器件中以实现具备可重构功能的硅光器件。然而，普通的Ge2Sb2Te5薄膜在反复相变的过程中结构稳定性较差，消光比被制约在10dB量级。针对这一问题，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队等提出对Ge2Sb2Te5薄膜进行离散化的结构设计，将支持局域共振的亚波长......阅读全文
物理所在类神经突触晶体管和忆阻器研究中取得进展
计算机作为人类科技发展的代表，在人们的日常生活中起着不可替代的作用。随着人类社会信息量的高速增长，计算机在运算速度提高的同时，对能源的消耗也在迅速增加。例如，我国的“天河二号”超级计算机（连续三次夺得世界超级计算机冠军），正常工作的功率高达20兆瓦，年耗电量约2亿度。相比之下，人脑是自然界中非常
德国弗朗霍夫硅光伏研究中心增添最新一代LED太阳模拟器
德国弗朗霍夫硅-光伏研究中心实验室新近增添了一台新型LED太阳模拟器，以便更精确地测试太阳能电池。该模拟器在测量参数方面高度灵活，利用LED照明具有更高的测量精确度。科研人员称，借助这个新型太阳模拟器，他们可以完成很多复杂的测量程序，能快速精确地运用研究成果。 光与光差别很大。地点不同，时
薄膜硅光伏电池光吸收率创新纪录，这个数字不能不知道
荷兰和英国科学家借助一种纳米纹理结构，使薄膜硅光伏电池变得不透明并因此增强了其吸收太阳光的效率。实验结果表明，采用新方法设计出来的薄膜电池能吸收65%的阳光，是迄今薄硅膜表现出的最高光吸收率，接近约70%的理论吸收极限，有望催生柔性、轻质且高效的硅光伏电池。研究发表在《美国化学学会·光子学》杂志上。
集成电路按导电类型分类
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型
一文读懂IC设计/晶圆/纳米制程/封装都是啥？（一）
大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必
芯片战中兴休克－光伏何以完全无惧
美国针对中兴的禁令已经持续发酵，中兴通讯20日发布会称，美禁令可能导致中兴进入休克状态。中兴的销售额超过1000亿人民币，核心设备缺失瞬间就如此。 同样是中国制造2025中的光伏产业，也是基于半导体技术和新能源需求而兴起的朝阳产业，中国光伏产业多晶硅、技术也曾依靠国外，但突破技术封锁，成了技
微电子所在阻变存储器研发与平台建设方面取得进展
日前，中科院微电子研究所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。微电子所纳
5G毫米波无线电射频技术演进－（二）
近期最实用、最有效的波束合成方法是混合数模波束成型，它实质上是将数字预编码和模拟波束合成结合起来，在一个空间（空间复用）中同时产生多个波束。通过将功率引导至具有窄波束的目标用户，基站可以重用相同的频谱，同时在给定的时隙中为多个用户服务。虽然文献中报道的混合波束成型有几种 不同的方法
影响非晶硅电池转换效率和稳定性的主要因素介绍
由于非晶硅结构是一种无规网络结构，具有长程无序性，所以对载流子有极强的散射作用，导致载流子不能被有效地收集。为了提高非晶硅太阳能电池转换效率和稳定性，一般不采取单晶硅太阳能电池的p－n结构。这是因为轻掺杂的非晶硅费米能级移动较小，如果两边都采取轻掺杂或一边是轻掺杂另一边用重掺杂材料，则能带弯曲较小，
影响非晶硅电池性能的因素介绍
影响非晶硅电池转换效率和稳定性的主要因素有：透明导电膜、窗口层性质（包括窗口层光学带隙宽度、窗口层导电率及掺杂浓度、窗口层激活能、窗口层的光透过率）、各层之间界面状态（界面缺陷态密度）及能隙匹配、各层厚度（尤其i层厚度）以及太阳能电池结构等。非晶硅薄膜电池的结构一般采取叠层式或进行集成或构造异质结等
一文读懂：什么是华为PAM4技术？
今天，华为中国官方微博发文称，由华为、LightCounting、光迅科技、住友、索尔思、思博伦以及颖飞等产业链上下游合作伙伴联合发起的第三届50G PAM4技术和产业论坛近日在深圳举行。PAM4（4 Pulse Amplitude Modulation）是新一代信号传输技术，其采用
硅衬底上单层WS2二次谐波高效定向性发射研究获进展
近日，中国科学院国家纳米科学中心刘新风团队与北京大学、北京理工大学研究团队合作，通过将原子级薄的WS2薄膜与硅孔阵列耦合形成法布里-珀罗(F-P)腔，实现增强的二次谐波定向发射。相关研究成果发表在ACS Nano上。 二次谐波又称为倍频效应，是一种源于激发场下的电磁场极化高阶项的非线性光学过程
中国集成电路展|2024上海国际集成电路展览会「点击咨询」
2024中国（上海）国际电子展览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍： 电子产业是电子信息产业的基础支撑，中国电子元器件的发展过程是从无
集成电路制造展会|2024上海分立器件展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
集成电路制造展会|2024上海芯片制造展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
集成电路制造展会|2024上海物联网展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
集成电路制造展会|2024上海封装测试展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
集成电路制造展会|2024上海功率器件展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
基金委公布一重大研究计划集成升华平台“集成项目”指南
国家自然科学基金委员会9月16日在其官方网站公布“非常规突发事件应急管理研究”重大研究计划集成升华平台“集成项目”指南，欢迎具有相应研究工作基础和能力的科学技术人员通过依托单位提出申请。 详情请见：关于发布“非常规突发事件应急管理研究”重大研究计划集成升华平台“集成项目”指南及申请注意事项的通
新年第一篇！南京大学成果登Nature
下一代电子技术的发展需要将通道材料厚度缩小到二维极限，同时保持超低的接触电阻。过渡金属二卤属化合物可以维持晶体管扩展到路线图的结束，但尽管有无数的努力，器件性能仍然受到接触限制。特别是，由于固有的范德华间隙，接触电阻还没有超过共价结合的金属-半导体结，最好的接触技术面临稳定性问题。 2023年
高效晶体硅太阳能电池研究有突破
经过在8月初的论证，中科院微电子研究所在基于下转换原理的高效晶体硅太阳能电池研究中取得进展。 世界光伏新能源产业近几年飞速发展，晶体硅光伏电池仍处于主流地位，占据78%的市场份额。据业界预测，未来10至15年之内晶体硅光伏电池仍将占据市场主导地位。晶体硅电池的理论极限效率为31
哥伦比亚大学研发出用细胞内生物能量驱动的芯片
三磷酸腺苷（ATP）是生物细胞维持生命活动的直接能量来源，美国哥伦比亚大学的研究团队却首次用这种生物能量来驱动芯片。他们将一个传统的固态互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路同一个带有ATP供电离子泵的人工脂质双层膜结合在了一起。这项发表在7日《自然通讯》网络版的最新研究为创建同时包含生物和固
助力高速、大容量数据通信，光子芯片大显身手
1月7日，《激光与光子学评论》以期刊正封面的形式在线发表了来自兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉团队的文章《基于氮化硅—薄膜铌酸锂异质集成平台的模式与偏振复用》，该工作有望助力高速、大容量数据通信，并为薄膜铌酸锂平台上有源及无源器件全集成的光子芯片提供新的解决方案。 光学复用器是集成光子回路中
首次研制与CMOS兼容的氧化铪基反铁电神经元
人类社会正由信息化向智能化发展，借鉴人脑结构与信息处理方式的神经形态计算系统，成为当下研究热点。人工神经元是构建该神经形态计算系统的关键单元。然而基于传统CMOS技术的神经元电路在复杂度和集成密度方面存在挑战，亟需开发新的物理介质降低神经元电路的硬件开销。记者11月27日从国防科技大学获悉，该校电子
使用Tanner在物联网边缘智能器件设计中融合CMOS－IC与MEMS
简介创建基于传感器的物联网（IoT）边缘器件会涉及多个设计领域，因此极具挑战性（图1）。但是，在同一硅片上创建一个既有采用传统CMOS IC流程制作的电子器件，又有MEMS传感器的边缘器件似乎不大现实。实际上，许多IoT边缘器件会在单个封装中集成多个芯片，将电子器件与MEMS设计分开。Tan
AvaSpecULS2048CLEVO型CMOS光谱仪光谱分辨率
*取决于光栅的起始波长；波长越长，色散越大，分辨率越高。狭缝宽度 (µm)光栅线对数/mm102550 100200500300 1.0 1.4 2.5 4.8 9.221.36000.40-0.53* 0.7 1.2 2.4 4.610.8830 0.
手持式工业内窥镜轻巧便携，可随意移动
工业内窥镜是一种融合了精密机械、电子技术、光学等多项技术的新型无损检测仪器。良好的精密机械设计和信号采集处理是电子工业内窥镜的技术核心，需要建立完整的能够流畅进行弯曲控制的机构和完成图像采集与远距离传输的单元。总体来说，其原理主要是通过CMOS或CCD图像传感器将图像光信号转变为电信号，经过处理后
新型的硅深刻蚀技术
牛津仪器发布了名为PlasmaPro® Estrelas100的硅深刻蚀技术，该技术提供了工业级的领先工艺性能，可以为微机电系统(MEMS)市场提供极为灵活的解决方案。 考虑到研发领域的需要，PlasmaPro® Estrelas100提供了极致的工艺灵活性。因为硬件的设计考虑到了
锰磷硅分析仪
锰磷硅分析仪是用于对钢铁及其合金（如生铁、铸铁、球铁、碳钢、合金钢、不锈钢等）材料中的锰、磷、硅元素含量进行快速分析的光电比色分析仪。该仪器采用了“智能动态跟踪”和“标样曲线的非线性回归”等技术，使传统比色计的日常调整和标样曲线的建立方法起了根本性的变化。仪器内部可储存多条测试曲线，并能根据需要自由
可控硅的结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构