小尺寸、高消光比的低功耗硅光开关研制出炉
硅光集成是指利用CMOS工艺平台，将实现高性能调制、探测、传输和复用等功能的器件集成在同一芯片上，通过规模集成面向片上和片间光互连、高速光通信、集成传感和智能计算等提供性能更优、更具性价比的芯片和组件，其中低功耗、高性能的光开关是硅光集成在上述应用场景中需要的核心器件。 当前，硅光集成开关器件主要采用马赫-曾德干涉仪或微环谐振器的结构设计，这些器件存在如占用空间大、对外界温度敏感，以及需要持续的外部电源来维持开关状态导致高静态功耗等不足，这为高密度的硅光集成带来了额外困难。非易失性相变材料得到关注和研究，例如，研究将Ge2Sb2Te5集成到光子器件中以实现具备可重构功能的硅光器件。然而，普通的Ge2Sb2Te5薄膜在反复相变的过程中结构稳定性较差，消光比被制约在10dB量级。针对这一问题，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队等提出对Ge2Sb2Te5薄膜进行离散化的结构设计，将支持局域共振的亚波长......阅读全文
可控硅器件的概念
晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。 可控硅器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电
什么是硅基负极材料？
更高的正极比容量、更高的负极比容量和更高的电池电压（以及更少的辅助组元），是高能量密度电池的理论实现路径。正极材料的比容量相对更低，性能提升对电池（单体）作用显著；负极比容量提升对于电池能量密度提升仍有相当程度作用。硅材料的理论比容量远高于（约10倍）已逼近性能极限的石墨，有望成为高能量密度锂电池的
硅化钙－用途与生产方法
用途用于炼钢脱氧、特种钢添加剂生产方法1.由单质硅与钙直接熔融可制得纯度较高的硅化钙。但操作必须分两步进行。第一步：将纯钙屑与纯硅粉混合均匀，放在硬质素烧瓷舟中，迅速将瓷舟放入石英反应管内，向管内通入CO2，瓷舟处已加热到1000℃，只需几秒钟，混合物熔融，反应随之激烈进行。取出瓷舟，生成物CaSi
纳米硅粉的制备方法
性质硅粉是一种烟灰色超级细粉末，随着其含碳量的多少，颜色略有深浅变化。硅粉的白度在40～50之间，容重约为200kg/m3，其真密度为2.2g/cm3。纳米硅粉指的是小于5纳米（10亿（1G）分之一米）的晶体硅颗粒。它具有纯度高、粒径小、分布均匀、比表面大、表面活性高、松装密度低等特点。它无毒、无味
警惕多晶硅产能过剩
业内人士表示，国内光伏行业正逐渐回归理性，重塑供需关系、市场格局的平衡。同时，不能因为目前光伏业出现回暖就过于乐观的估计形势，仍需对多晶硅产能过剩保持警惕。 2013年对中国光伏行业来说是跌宕起伏的一年。受国内外产业环境低迷的影响，再加上欧美对中国光伏进行双反调查，光伏行业陷入前所未有的低
纳米硅粉的应用介绍
纳米硅粉是新一代光电半导体材料：硅是典型的半导体材料，纳米晶是优异的太阳能材料，非晶在锂电池作电极材料、纳米晶活性强、烧结温度低、强韧性提高、介电损耗强、宽能隙半导体、记忆器件、高功率光材料，纳米硅粉可用在耐高温涂层和耐火材料里，还可用在燃料电池里替代纳米碳粉，降低成本。（1）用纳米硅Chemica
硅纳米负极是什么材料
研究人员发现硅纳米作为负极理论容量可以达到4200，而目前的石墨负极材料理论也就372，行内很多厂家想用纳米硅作为负极材料，问题是硅充电时体积膨胀好几倍，有出现粉化现象，基本证明纳米硅不能单独作为负极材料，现在比较流行的是硅碳复合材料，缓解硅的膨胀，我们咸阳六元碳晶公司也是初入此行，也想研究开发硅碳
硅的优点：中波红外窗口
红外和热成像技术继续进军商业市场,例如工业检验、汽车安全、化学和生物传感,安全和监视。 虽然防御热成像仍然是行业的主导力量,我们看到增长随着中波红外激光发展(MWIR)用于应用程序(如医疗设备、食品检验、半导体检验、垃圾分类和其他材料分析应用程序。 硅是一种理想的材料很多MWIR应用因为它的光学性质
icp能检测硅元素吗
某个元素能不能用ICP-MS来分析，取决于1.该元素是否有标样，如果没有标样肯定定量做不准确；2.该元素的含量范围，ICP-MS本就是做微量，痕量范围内的元素，如果你的样品里面Si超过20%了，那就算了，做出来误差非常大的
可控硅的主要分类
可控硅有多种分类方法。 （一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。 （二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。 （三
硅与氢氟酸反应的原理
氢氟酸（主要是氟化氢）可以与硅、硅的氧化物和硅酸盐反应生成四氟化硅气体。
纳米硅粉的制备方法
纳米硅粉的制备方法主要有机械球磨法、化学气相沉积法、等离子蒸发冷凝法三种。西方国家工业生产纳米硅粉的起步较早，有专门的硅粉制品公司，如日本帝人、美国杜邦、德国H.C.Stark、加拿大泰克纳等均能够应用等离子蒸发冷凝法生产多种不同粒度的Chemicalbook高纯纳米硅粉，生产技术方面处于世界领先地
硅钼棒使用说明
1、窑炉的干燥。新砌筑或长期不用的炉子在使用前需要干燥。一般干燥温度为100℃～200℃，而元件长期在低温下使用将会引起低温氧化。小型炉子干燥时间短，几个小时对元件影响不大，大型炉子干燥时间长，需要注意。为了通风，将炉门打开，随着温度升高可以半开，到1000℃以上完全关闭炉门。 2、窑炉的启动。如果
炉前碳硅分析仪
炉前碳硅分析仪又称炉前快速铁水分析仪、碳硅成份分析仪、碳硅当量仪、热分析仪。
半导体集成电路的分类概述
集成电路如果以构成它的电路基础的晶体管来区分，有双极型集成电路和MOS集成电路两类。前者以双极结型平面晶体管为主要器件（如图2），后者以MOS场效应晶体管为基础。图3表示了典型的硅栅N沟道MOS集成电路的制造工艺过程。一般说来，双极型集成电路优点是速度比较快，缺点是集成度较低,功耗较大；而MOS
上海着力推进世界级硅光子基地建设
本报讯（见习记者朱泰来 记者黄辛）上海市首批市级科技重大专项之一 ——“硅光子市级重大专项”项目近日在张江实验室启动。 作为上海建设具有全球影响力的科技创新中心的重要举措，“硅光子”专项由张江实验室牵头，一批沪上在硅光子领域开展深入研发的企业和高校院所参与，面向硅光子全产业链，针对国内发展硅光子
坐标上海，事业编！“双一流”高校招聘近百人
上海大学微电子学院成立于2019年11月，坐落于上海大学嘉定校区，为上海大学与上海微技术工业研究院、中国科学院上海分院、集成电路全产业链创新企业共建，积极探索新机制，集聚社会优质资源，打造国际领先的集成电路泛摩尔人才培养高地。微电子学院前身是1958年嘉定校区成立的半导体器件与物理专业，历经60年发
高速数据传输能力异质集成薄膜铌酸锂电光调制器研究取得进展
光子回路的异质集成解决方案可以充分利用不同材料平台的优势。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员蔡艳、欧欣团队合作，通过“万能离子刀”剥离转移技术在六英寸图形化SiN晶圆上集成了高质量的铌酸锂薄膜，并通过晶圆级工艺制备出具备高速数据传输能力的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器。在该异质集成方案中
新兴半导体：一种透明柔性的单晶硅微框架结构
柔性、透明是光电子器件的发展趋势，柔性透明的器件能够不易察觉的与其他器件或物体进行集成，在电子皮肤、物联网、透明柔性显示器和人工视觉等领域有着巨大的应用潜力。然而，发展新型柔性、透明电子器件首先需要克服的就是材料问题。传统光电子器件主要是依靠半导体这一成熟的材料体系，但是目前常用的半导体材料都是
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
光电倍增管和硅光二极管两种，这二者有什么优缺点
光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。NIST自行研制的的参考级（基准）分光光度计，分别在紫外区用PMT，可见区用Si，近红外区用InGaAs这三种检
光电倍增管和硅光二极管两种，这二者有什么优缺点
光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。NIST自行研制的的参考级（基准）分光光度计，分别在紫外区用PMT，可见区用Si，近红外区用InGaAs这三种检
刘明院士团队：自旋神经形态器件研究新进展
生物启发脉冲神经网络架构有望通过模拟人脑的高算力、高并行度、低功耗等特性，解决冯·诺依曼架构存储墙和能效瓶颈等问题。然而，面向构建脉冲神经网络的神经形态硬件的研究尚处于探索阶段，基于传统CMOS的神经形态芯片通常需要数十个晶体管和若干电容；基于新型存储器等新原理神经元器件亦需集成额外电容或复位操
科技部解读太阳能发电和洁净煤技术十二五规划
5月16日，科技部在其官方网站分别就《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》和《洁净煤技术科技发展“十二五”专项规划》作出解读。 《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》解读 问：《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》(以下简称《规划》)是在什么样的背景下出台的? 答：
单晶硅太阳能电池与多晶硅太阳能电池区别和共同点
一、区别：单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFE
深度剖析凝胶成像系统的核心参数
1、像素越高是不是成像更清晰，产品就越好？ 像素是要针对成像设备来看的， 其实 CCD本身的质量比单纯的像素高低更重要。 对于同级别 CCD来说， 最重要的指标是 CCD的尺寸大小，尺寸越大其本身价值就成几何倍地增长。2. CCD 和 CMOS有什么区别，哪种芯片更好？ CCD和 CMOS在制造上的