三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器.离子阱重定性,可得到多级碎片,从而推导结构,常用于未知化合物结构推导,全扫描灵敏度很高,可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量,全扫描灵敏度低大约10到100个数量级,但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量,常用于农残、兽残、血药浓度测定.......阅读全文
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器.离子阱重定性,可得到多级碎片,从而推导结构,常用于未知化合物结构推导,全扫描灵敏度很高,可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量,全扫描灵敏度低大约10到100个数量级,但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量,常用于农残、兽残、血药浓度测定.
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器。离子阱重定性，可得到多级碎片，从而推导结构，常用于未知化合物结构推导，全扫描灵敏度很高，可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量，全扫描灵敏度低大约10到100个数量级，但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量，常用于农残、兽残、血药浓度测定。
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器.离子阱重定性,可得到多级碎片,从而推导结构,常用于未知化合物结构推导,全扫描灵敏度很高,可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量,全扫描灵敏度低大约10到100个数量级,但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量,常用于农残、兽残、血药浓度测定.
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器。离子阱重定性，可得到多级碎片，从而推导结构，常用于未知化合物结构推导，全扫描灵敏度很高，可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量，全扫描灵敏度低大约10到100个数量级，但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量，常用于农残、兽残、血药浓度测定。
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器.离子阱重定性,可得到多级碎片,从而推导结构,常用于未知化合物结构推导,全扫描灵敏度很高,可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量,全扫描灵敏度低大约10到100个数量级,但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量,常用于农残、兽残、血药浓度测定.
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器.离子阱重定性,可得到多级碎片,从而推导结构,常用于未知化合物结构推导,全扫描灵敏度很高,可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量,全扫描灵敏度低大约10到100个数量级,但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量,常用于农残、兽残、血药浓度测定.
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
质量分析器不同,依次是四级杆,离子阱和飞行管道,但TOF一般和四级杆联用Q-TOF,三重四级杆飞行时间质谱仪.
三重四级杆质谱，离子阱和Tof的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器。离子阱重定性，可得到多级碎片，从而推导结构，常用于未知化合物结构推导，全扫描灵敏度很高，可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量，全扫描灵敏度低大约10到100个数量级，但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量，常用于农残、兽残、血药浓度测定。
离子阱与四级杆质谱的区别
离子阱与四级杆是不同的质量分析器。离子阱重定性，可得到多级碎片，从而推导结构，常用于未知化合物结构推导，全扫描灵敏度很高，可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量，全扫描灵敏度低大约10到100个数量级，但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量，常用于农残、兽残、血药浓度测定。
离子阱与四级杆质谱的区别
离子阱重定性，可得到多级碎片，从而推导结构，常用于未知化合物结构推导，全扫描灵敏度很高，可超过TOF.四级杆或三重四级杆重定量，全扫描灵敏度低大约10到100个数量级，但是在选择离子扫描模式下灵敏度很高从而用于已知化合物定量，常用于农残、兽残、血药浓度测定。
四级杆质谱和离子阱质谱小型化后的区别
两种质谱对真空的不同需求，会带来使用成本的差异。不同类型的质谱有其不同的适宜工作的真空度，使得使用成本上有近百倍的区别。一般而言，四极杆质谱一般需要10^(-6)的高真空，若真空度没有达到该值，会使得设备无法做到单位质量分辨。而离子阱质谱仅需要10^(-3)的真空[2]，在该条件下其分辨率就可以
离子阱质谱和四极杆质谱的区别？
离子阱和四极杆质量分析器有很多相似之处，在质谱的选择上，往往让人难以取舍。一句话总结的话，离子阱对于完全未知的没有帮助。对于差不多心理有数的物质分析，会大有帮助，多级的嘛，可以获得比四极杆、TOF更多的信息，分析结构有很多用处。 四极杆质量分析器的结构就是在相互垂直的两个平面上平行放置四根金属圆
离子阱质谱和四极杆质谱的区别
四极杆质量分析器的结构就是在相互垂直的两个平面上平行放置四根金属圆柱。能够通过电场的调节进行质量扫描或质量选择，质量分析器的尺寸能够做到很小，扫描速度快，无论是操作还是机械构造，均相对简单。但这种仪器的分辨率不高;杆体易被污染;维护和装调难度较大。 在很多时候大家都认为四极杆质量分析器与离子阱的
离子阱和四极杆质谱的区别
顾名思义，离子阱是个“陷阱”，四极杆是四根杆。离子阱像一只煮饭用的锅，上下两个端盖电极可以想象成锅盖和锅底，中心各开了一个孔，离子从上面进来下面出去，周围的环状电极（一圈）就是锅壁，离子就被限制在这个锅里运动，不同质荷比m/z的离子在阱里有不同的运动轨道，进来的离子就在特定的轨道上旋转，改变射频
四极杆质谱和离子阱质谱小型化后的区别
使用不同的技术路线，两种质谱在使用过程中的多个方面有所不同。两种质谱对真空的不同需求，会带来使用成本的差异。不同类型的质谱有其不同的适宜工作的真空度，使得使用成本上有近百倍的区别。一般而言，四极杆质谱一般需要10^(-6)的高真空，若真空度没有达到该值，会使得设备无法做到单位质量分辨。而离子阱质谱仅
离子阱质谱和四极杆质谱的原理
四极杆（Quadrupole）：由四根带有直流电压（DC）和叠加的射频电压（RF）的准确平行杆构成，相对的一对电极是等电位的，两对电极之间电位相反。当一组质荷比不同的离子进入由DC和RF组成的电场时，只有满足特定条件的离子作稳定振荡通过四极杆，到达监测器而被检测。通过扫描RF场可以获得质谱图。四极
四极杆质谱和离子阱质谱原理对比
不论是四极杆质谱，还是离子阱质谱，其分析原理是相似的，其差别在于具体的分离过程。在离子化的过程中，待测的物质被一定能量的电子束撞击，解离成离子，并碎裂成一系列能反映其物质性质信息的碎片离子。接下来，这些碎片离子被离子阱或四极杆分离并检测，按照质荷比m/z的大小绘制成一张可以体现物质定性信息的质谱图，
三重四级杆质谱原理
在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子因为不能受到足够的电
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。 当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子因为不能受到
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子
三重四级杆质谱原理
三重四级杆质谱原理:在U的值为500-2000 V，V为0-3000 V 。这样的电场环境下，离子会根据电场进行震荡。然而，只有特定荷质比的离子可以稳定的通过电场。当极杆上的电压被指定时，质量过小的离子会受到很大的电压影响，从而进行非常激烈的震荡，导致碰触极杆失去电荷而被真空系统抽走；质量过大的离子