中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶

常用的光学单晶特性介绍

常用的光学单晶有：①卤化物单晶。分为氟化物单晶，溴、氯、碘的化合物单晶，铊的卤化物单晶。氟化物单晶在紫外、可见和红外波段光谱区均有较高的透过率、低折射率及低光反射系数；缺点是膨胀系数大、热导率小、抗冲击性能差。溴、氯、碘的化合物单晶能透过很宽的红外波段，其熔点低，易于制成大尺寸单晶；缺点是易潮解、硬

单晶培养科研实验知识分享

好多同学/老师一直培养不出单晶，或者周期太长了，希望这个分享能得到一些帮助。单晶培养的方法多种多样，如升华法、共结晶法等。最简单的最实用常用的有1.溶剂缓慢挥发法；2.液相扩散法；3.气相扩散法。99％的单晶是用以上三种方法培养出来的。一、单晶培养要点 1、一般以10--25mg 为佳，如果你只有2

单晶炉的简介及构成

　　单晶炉简介：　　单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。　　单晶炉构成：　　提拉头：主要由安装盘 减速机 籽晶腔 划线环 电机 磁流体 籽晶称重头 软波纹管等其他部件组成　　副室：主要是副室筒以及上下法兰组成　　炉盖：副室

国产碳化硅进击8英寸工艺节点－“掘金”窗口期步入倒计时

在新能源汽车、光伏、储能等市场持续推动下，国产碳化硅产业商业化持续推进，获得国际功率半导体巨头青睐和结盟，积极追赶更为先进的8英寸工艺节点，碳化硅产品价格有望步入“甜蜜点”。另一方面，碳化硅产业呈现跑马圈地的扩张态势，竞争日趋激烈，甚至有头部厂商已经喊话碳化硅创业窗口期已经接近关闭。获国际龙头青睐“

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己

碳化硅杂化聚合物原料性能介绍

　　碳化硅杂化聚合物原料性能介绍　　碳化物，是金刚石的混合体，故取名金刚砂，碳化硅微粉在油漆和涂料：　　1、树脂用量少/加量的潜力大：因为形状中，球形具有小的比表面积，对树脂的需求量也少。颗粒的堆积情况。碳化硅陶瓷微粉的宽的粒径分布使得小的微球能够填充到大的微球之间的空隙中。其结果就是：高加入量、高

碳化硅杂化聚合物涂料防腐

坚持在底材表面温度低于5℃和不能满足高于露点3℃的情况下不能施工，如果施工队或业主等非要施工，应做好记录或出具不符合性报告。蕞好有人见证签字。这些手续不出事没用，但出现索赔时可是重要证据；2、涂面漆前检验前道碳化硅杂化聚合物涂料涂层表面状况，如果发现表面发粘，要求先对胺霜进行处理后再进行施工，处理方

关于碳化硅，你不知道的事……

　　碳和硅的原子序数分别为6和14，在元素周期表中处于碳族元素的第二和第三周期，即上下相邻的位置。这种位置关系，表明它们在某些方面具有类似的性质。 　　碳元素在我们的生活中无处不在，含碳化合物是生命的物质基础。硅也在地壳中的含量巨大，尤其是它在半导体和现代通讯业中的应用，推动了人类文明的发展。

上海硅酸盐所与中航607所开展技术交流

　　9月26日，应中科院上海硅酸盐研究所邀请，中航607所特种器件部副部长龙佩敏一行到上海硅酸盐所进行技术交流。 　　在前期交流的基础上，针对607所需求，上海硅酸盐所研究人员作了新型功能材料及器件相关领域研究进展的9个报告。随后，双方开展了广泛的交流和探讨，并在铁氧体和低温共烧陶瓷（LTCC）、

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己

如何初步判断单晶与多晶

单晶X射线衍射的理论发展

　　发现衍射现象　　图片　　1912年劳埃等人根据理论预见，并用实验证实了X射线与晶体相遇时能发生衍射现象，证明了X射线具有电磁波的性质，成为X射线衍射学的第一个里程碑。当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的 晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有相同 数量级，故由

单晶半导体材料的制备方法

为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较

X射线单晶体衍射仪

X射线单晶体衍射仪(X-ray single crystal diffractometer)。本仪器分析的对象是一粒单晶体，如一粒砂糖或一粒盐。在一粒单晶体中原子或原子团均是周期排列的。将X射线（如Cu的Kα辐射）射到一粒单晶体上会发生衍射，由对衍射线的分析可以解析出原子在晶体中的排列规律，也即解出

x射线单晶体衍射仪

　　X射线单晶体衍射仪X射线单晶体衍射仪(X-ray single crystal diffractometer,简写为XRD)。本仪器分析的对象是一粒单晶体，如一粒砂糖或一粒盐。在一粒单晶体中原子或原子团均是周期排列的。将X射线（如Cu的Kα辐射）射到一粒单晶体上会发生衍射，由对衍射线的分析可以解

单晶硅属于什么立方晶格

金刚石结构，属于体心立方晶格，倒格子是面心立方！

单晶X射线衍射的原理简介

　　利用晶体形成的 X射线衍射，对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。将具有一定波长的X射线照射到结晶性物质上时，X射线因在结晶内遇到规则排列的原子或离子而发生散射，散射的X射线在某些　　方向上相位得到加强，从而显示与结晶结构相对应的特有的 衍射现象。衍射X射线满足布拉格（W.L.Brag

生物大分子单晶衍射仪

　　生物大分子单晶衍射仪是一种用于生物学领域的分析仪器，于2005年7月11日启用。　　技术指标　　Mar-X型生物大分子X射线衍射采集系统是新一代即开即用的X射线衍射仪，具有节能稳定、耗材少，操作简单、使用可靠，不需要维护等特点。　　主要功能　　晶体衍射方法是测定生物大分子空间结构解析的主要研究手

单晶半导体材料的制备方法

具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶

氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）

　　全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。　　早在1893年诺贝尔奖获得者法国化

x射线单晶体衍射仪单晶体结构分析实验方法的发展

　　 单晶体结构分析实验方法的发展　　目前的实验室单晶体结构分析方法对于测定小分子的单晶体结构已经是相当完美了, 但对于巨大的生物大分子就显得软弱无力，主要是光源强度不够，光的平行性不良，波长又不好调。目前主要要依靠 同步辐射作为 X射线源。我国二个 同步辐射光源之一的位于合肥的国家同步辐射实验室（

粒度分析在碳化硅微粉生产中的影响

光伏材料又称太阳电池材料，只有半导体材料具有这种功能。太阳能光伏发电产业链分为五个环节，即从硅材料到硅片、太阳电池片、太阳电池组件，zui后到光伏发电系统应用。光伏产业上游硅片多线切割技术主要采用以碳化硅微粉为切割刃料并辅以其他试剂进行切割，在此技术中绿碳化硅微粉的品质状况直接决定了切片的效率。因此

我建成亚洲最大宽禁带碳化硅基地

　　近日，记者从中国宽禁带功率半导体产业联盟获悉，国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。　　 据悉，宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)

金属/碳化硅光催化有机合成研究取得进展

　　中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室研究员郭向云带领的研究团队与美国伊利诺伊大学香槟分校教授杨宏合作，采用能够响应可见光的立方型高比表面积碳化硅（SiC）为载体，利用金（Au）纳米颗粒的表面等离子体共振效应，设计出新型Au/SiC光催化体系，在室温常压和可见光照的条件下，成功实现ɑ,

氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异

SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，

基于碳化硅的量子器件获重大突破

　　记者从中国科大获悉，该校郭光灿院士团队李传锋、许金时等人与合作者合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石氮空位（NV）色心后第二种在室温下同时具有高自旋读出对比度和高单光子发光亮度的固态色心，该成果对发展基于碳化硅这种成熟半导体材料的

4米碳化硅反射镜诞生记

　　一块直径4米的碳化硅反射镜躺在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（以下简称长春光机所）实验室中，闪闪发光。这块看似普通的镜子，却是国防工程中期待已久的技术突破。　　8月21日，由长春光机所承担的国家重大科研装备研制项目“4米量级高精度碳化硅非球面反射镜集成制造系统”通过项目验收。不久的将来，

碳化硅杂化聚合物施工方案

杂化聚合物结合了两种已知的聚合物，即由强共价键作用而成的聚合物和非共价键作用而成的聚合物，即所谓的分子聚合物。它们结合能提供了两个截然不同的区室，化学家和材料科学家可以用其生成功能材料，比如能像肌肉一样收缩或扩张的聚合物材料。我们聚合物拥有纳米大小的区室，它们能够被移除并多次化合功能。他进一步解释说

我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

　　近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。　　 通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高

怎样从SAED图谱区分单晶和多晶

看品 绝数看 般情况普通SEM图能用证明材料单晶 确定材料晶材料通SEM观察晶界（能需要进行些预处理比腐蚀） 于陶瓷材料肯定晶直接掰能用SEM看晶界晶粒于金属材料通腐蚀观察晶界于薄膜材料腐蚀观察晶界 于金属品种叫：电背散射衍射种需要品抛光非平整观察品表面结晶向种辨率较低种般用析金属金相组织几乎用做单