晶体热缺陷两种基本形式

a-弗仑克尔缺陷,b-肖特基缺陷(1)弗仑克尔缺陷具有足够大能量的原子(离子)离开平衡位置后,挤入晶格间隙中,形成间隙原子离子),在原来位置上留下空位。特点:空位与间隙粒子成对出现,数量相等,晶体体积不发生变化。在晶体中弗仑克尔缺陷的数目多少与晶体结构有很大关系,格点位质点要进入间隙位,间隙必须要足够大,如萤石(CaF2)型结构的物质空隙较大,易形成,而NaCl型结构不易形成。总的来说,离子晶体,共价晶体形成该缺陷困难。(2)肖特基缺陷表面层原子获得较大能量,离开原来格点位跑到表面外新的格点位,原来位置形成空位这样晶格深处的原子就依次填入,结果表面上的空位逐渐转移到内部去。特点:体积增大,对离子晶体、正负离子空位成对出现,数量相等。结构致密易形成肖特基缺陷。晶体热缺陷的存在对晶体性质及一系列物理化学过程,导电、扩散、固相反应、烧结等产生重要影响,适当提高温度,可提高缺陷浓度,有利于扩散,烧结作用,外加少量填加剂也可提高热缺陷浓度......阅读全文

真空共晶炉简介

  真空共晶炉(vacuum soldering system)是一种针对高端产品的工艺焊接炉,例如激光器件、航空航天,电动汽车等行业,和传统链式炉相比,具有较大的技术优势。真空共晶炉系统主要构成包括:真空系统,还原气氛系统,加热/冷却系统,气体流量控制系统,安全系统,控制系统等。

晶振仪的应用

  一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容,请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。  一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ,如果再考虑元件引

沿晶脆性断裂

沿晶脆性断裂  是指断裂路径沿着不同位向的晶界(晶粒间界)所发生的一种属于低能吸收过程的断裂。根据断裂能量消耗最小原理,裂纹的扩展路径总是沿着原子键合力最薄弱的表面进行。晶界强度不一定最低,但如果金属存在着某些冶金因素使晶界弱化(例如杂质原子P、S、Si、Sn等在晶界上偏聚或脱溶,或脆性相在晶界析出

突破感官极限-FLIR-G300在线式气体热像仪发布

  2015年3月,专注从事军用及车载夜视系统用红外摄像头业务的热像专家美国菲力尔公司(FLIR Systems)发布了两款创新的热成像仪产品,与以往产品不同的是,这款产品不仅可以精准感知空气中的温度,更拥有对空气成份的感知功能。  苯、乙醇、乙苯、庚烷、正己烷、异戊二烯、甲醇、MEK、MIBK、辛

新型短裤和睡袋可利用人体热量为手机充电

  据英国每日邮报报道,在户外参加节日聚会的人们不必再为手机无法充电而苦恼,目前,英国沃达丰公司和南安普敦大学最新研制一种手机装置,可通过牛仔短裤和睡袋获取人体热量,实现手机充电。英国沃达丰手机公司和南安普敦大学合作研制一种便携式充电器——“短裤和睡袋”,这款充电短裤可捕捉穿戴者移动

“中国期刊投稿31%剽窃”引国内主流媒体热议

  近日,科学网通过刊发文章、设置专题报道等形式,持续关注“中国期刊编辑致信《自然》,称中国期刊投稿31%剽窃”事件,在国内学术界引发热烈讨论,《文汇报》、中央电视台等众多国内主流媒体纷纷跟进追踪报道。   9月9日出版的《自然》杂志以“Chinese journal finds 3

煤专项气体热载体煤热解技术项目取得进展

  煤热解直接转化制备高品质热解油与热解气是支撑煤炭分级利用新技术路线建立的核心技术,是目前我国洁净煤技术领域的研发热点。现有技术由于存在着煤热解油产率低、重质组分多、含尘高以及难以处理10mm以下碎煤等问题,一直无法实现煤炭解热制油气技术的工业化推广应用。中科院过程工程研究所煤炭分级高效综合利用创

热敏电阻的半导体热敏电阻材料的介绍

  这类材料有单晶半导体、多晶半导体、玻璃半导体、有机半导体以及金属氧化物等。它们均具有非常大的电阻温度系数和高的电阻率,用其制成的传感器的灵敏度也相当高。按电阻温度系数也可分为负电阻温度系数材料和正电阻温度系数材料.在有限的温度范围内,负电阻温度系数材料a可达-6*10-2/℃,正电阻温度系数材料

有什么方法可以测量出固体热膨胀系数

金属材料受热时其体积膨胀而变大的性能叫热膨胀性,一般的说,物质都有受热膨胀受冷受缩的性能,其受膨胀量与受冷爱缩相等,并且在体积的各方向上,成比例地伸长,为了计算方便,一般使用线膨胀系数,的概念是在温度长高1K时其增加的长度,与原长度之比,单位是1/k,称为线胀系数。,这个数值是常温下测定的,不同温度

有关三叉晶界线的研究成果

  最近,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心研究员金海军团队在电化学环境下进行原位压缩实验,比较纳米晶和粗晶纳米多孔金属的力学行为,成功分离出纳米金属强度的表面—晶界截交线(STJ)效应,并确定其开始发挥作用的临界尺寸。相关成果日前发表于《物理评论快报》(Physical Review L

非晶纳米晶专用中间合金在太钢研制成功

  在非晶合金带材生产中,使用一种中间合金来替代母合金,以实现成分均匀、性能稳定的理想状态,这是一直以来仅存在于理论层面和工艺设想中的方案,如今,这种中间合金在太钢研制成功。通过批量化生产检验表明,应用该中间合金生产的非晶纳米晶带材具有成分均匀、韧性好、磁性能明显提升、制造成本下降的四大优势。  

结晶时,获得等轴晶和柱状晶的手段及原理

改变流动状态和拉伸或挤压。1、等轴晶,通过改变熔体流动状态,在结晶开始时为固液两相同时,在液相中断电和机械搅拌等手段下,使晶核形成于流动状态下的熔体液相,随后晶粒在液相中等轴地长大,这样便可以得到等轴组织。2、柱状晶,对于某些合金,只要在有晶核存在时恒定的方向上进行拉伸或挤压,就可以获得沿着拉伸或挤

晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法

   半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备,因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞,会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。  一般来说,晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆,且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者,于开口处亦设置有可

为什么在放大电路中输出电阻越小,带负载能力越强

因为输入电阻的大小反映了放大电路对信号源的影响程度。输入电阻越大,放大电路从信号源汲取的电流(即输入电流)就越小,信号源内阻上的压降就越小,带负载能力越强。根据放大电路的作用可以将其分为:电压放大电路、电流放大电路和功率放大电路。根据放大电路的组成元件可以分为晶体管放大电路和场效应管放大电路。晶体管

晶体缺陷符号及缺陷反应方程式

缺陷符号 以二元化合物MX为例(1)晶格空位:正常结点位没有质点,VM,VX(2)间隙离子:除正常结点位置外的位置出现了质点,Mi ,Xx(3)错位离子:M排列在X位置,或X排列在M位置上,若处在正常结点位置上,则MM,XX(4)取代离子:外来杂质L进入晶体中,若取代M,则LM,若取代X,则LX,若

中国科大孪晶金属纳米晶催化作用机制研究取得进展

  近日,中国科学技术大学教授曾杰课题组与李震宇合作,在孪晶金属纳米晶催化作用机制研究方面取得新进展。研究人员成功制备了Au75Pd25二十面体和八面体,尽管两种合金暴露同一种晶面,但是具备孪晶结构的Au75Pd25二十面体在环己烷氧化反应中催化活性和选择性明显高于单晶结构的八面体。通过深入的理论计

样品穿晶断裂和沿晶断裂在SEM图片上各有什么特征?

在SEM图片中,沿晶断裂可以清楚地看到裂纹是沿着晶界展开,且晶粒晶界明显;穿晶断裂则是裂纹在晶粒中展开,晶粒晶界都较模糊。

晶界弛豫可大幅提升纳米晶高温合金抗蠕变性能

如何有效提升热—力—时间耦合作用下晶界的结构稳定性,进而抑制晶界高温软化和扩散蠕变,成为长期以来材料领域的一个重大科学难题,也是发展高性能高温合金的主要瓶颈之一。 《中国科学报》从中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心获悉,近期该中心卢柯院士团队与武汉大学教授梅青松合作,在这一科学难

探究如何将STJ从表面及晶界效应中分离出来

  作为两种面缺陷间的几何交线,表面-晶界截交线(surface triple junction或STJ)是多晶体材料表面上的常见线缺陷。在块体材料中,位于STJ的原子体积分量极低,其对材料整体强度的贡献几乎可以忽略。随着材料尺寸降低至亚微米甚至纳米尺度(如薄膜、纳米线等),STJ原子体积分量急剧上

精密型水流式气体热量计SY4技术文献

热量计的结构设计和仪器制造时属于国际上公认的有机精密型水流式燃气热量计类型工艺制作质量达到国家专业部门规定的标准鉴定合格的技术要求,可准确测得各种燃气的热值数据。可用于城市煤气公司和煤气生产厂的各种煤气的热值质检测试,可用于天然气。油制气、石油炼制气和液化石油气的热值质检测试,可用于炼焦厂、钢铁厂、

什么是免疫缺陷?

免疫缺陷是一种由于人体的免疫系统发育缺陷或免疫反应障碍致使人体抗感染能力低下,临床表现为反复感染或严重感染性疾病。

免疫缺陷的原因

机体内部对各种刺激或侵袭具有做出反应的能力,免疫就是机体的一种保护性反应。免疫的作用在于能识别和排除异己物质,以达到维护机体的生理平衡和稳定的状态。免疫反应后的结果在正常情况下对机体有利,但在一定条件下,又可以是有害的。免疫的主要功能是清除病原体或抗原物质,是抗感染过程的表现;清除体内衰老、变性细胞

原发性补体缺陷

原发性补体缺陷病是临床医学检验技士/技师/主管技师考试复习需要了解的检验基础知识,医学|教育网搜集整理了相关内容与考生分享,希望给予大家帮助! 在五类原发性免疫缺陷病中,补体缺陷的发病率最低。补体系统的各种成分均可发生缺陷,其中以C1q缺陷、C2缺陷(常染色体隐性遗传)和C1抑制剂缺陷(常染色

​涂镀层缺陷检测

涂镀层缺陷检测  D236-15A电火花检测仪15KVD236-30A电火花检测仪30KVD266-1电火花检测仪主机220VT26620033-1手柄0.5 - 5KVT26620033-2手柄0.5 - 15KVT26620033-3手柄0.5 - 30KVD270-2针孔检漏仪(湿海绵法)67

缺陷检测算法

基本两个步骤:1、缺陷检出,算法较多,本人认为是不变矩阵法和主成分分析法;2、缺陷识别和分类,多数使用BP神经网络进行训练,提高识别率。

基因缺陷的定义

中文名称基因缺陷英文名称gene defect定  义由于某种原因(如核苷酸的缺失或突变)导致基因不能行使正常功能的现象。应用学科生物化学与分子生物学(一级学科),基因表达与调控(二级学科)

免疫缺陷的概念

免疫缺陷是一种由于人体的免疫系统发育缺陷或免疫反应障碍致使人体抗感染能力低下,临床表现为反复感染或严重感染性疾病。

基因缺陷的概念

中文名称基因缺陷英文名称gene defect定  义由于某种原因(如核苷酸的缺失或突变)导致基因不能行使正常功能的现象。应用学科生物化学与分子生物学(一级学科),基因表达与调控(二级学科)

免疫缺陷的种类

免疫缺陷分为原发性和继发性两类。前者主要见于婴儿和儿童。如儿童出生后出现反复感染,就应该到医院检查一下免疫功能,确定是否有免疫缺陷。有免疫缺陷的儿童不能接种各种活疫苗,否则可能会带来严重的后果。

晶振仪的原理简介

  如图1所示电路,焊接一个简易石英晶体测试器,就可以准确地测试出晶体的好坏。图中XS1、XS2两个测试插口可用小七脚或小九脚电子管管座中拆下来的插口。LED发光管选择高亮度的较好。  检测石英晶体时,把石英晶体的两个管脚插入到XS1和XS2两个插口中,按下开关SB,如果石英晶体是好的则由三极管VT