什么是湿法刻蚀
这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的方法称为“湿法”刻蚀。它的优点操作简便；对设备要求低；易于实现大批量生产；刻蚀的选择性好。化学反应的各向异性较差，横向钻蚀使所得的刻蚀剖面呈圆弧形，很难做到精确控制图形。湿法刻蚀的另一问题，是抗蚀剂在溶液中，特别在较高温度的溶液中易受破坏而使掩蔽失效，因而对于那些只能在这种条件下刻蚀的薄膜必须采用更为复杂的掩蔽方案。......阅读全文
湿法消解的主要技术
目前湿法消解的设备主要有两种：常规加热消解设备，主要有：电炉、水浴、电热板、孔式消解器如hanon的石墨消解仪、重金属消解仪等;电炉是实验室的传统消解设备，简单实用，但是由于实验室技术的革新和实验室管理的要求，电炉属于明火设备，同时它控温难、易损坏的缺点，致使现在大多数实验室均以抛弃这个最早的消解设
湿法消化法的特点
湿法的特点是分解速度快，时间短，因加热温度低可减少金属的挥发逸散损失。缺点是消化时易产生大量有害气体，需在通风橱中操作，另外消化初期会产生大量泡沫外溢，需随时照看，因试剂用量较大，空白值偏高。
湿法消化法的分类
湿法破坏根据所用氧化剂不同分为如下几类：硫酸-硝酸法将粉碎好的样品放入250~500 mL凯氏瓶中（样品量可称10~20 g），加入浓硝酸20 mL，小心混匀后，先用小火使样品溶化，再加浓硫酸10 mL，渐渐加强火，保持微沸状态并不断滴加浓硝酸，至溶液透明不再转黑为止。每当溶液变深时，立即添加硝酸，
湿法消解的主要技术
目前湿法消解的设备主要有两种：常规加热消解设备，主要有：电炉、水浴、电热板、孔式消解器如hanon的石墨消解仪、重金属消解仪等;电炉是实验室的传统消解设备，简单实用，但是由于实验室技术的革新和实验室管理的要求，电炉属于明火设备，同时它控温难、易损坏的缺点，致使现在大多数实验室均以抛弃这个最早的消解设
湿法上样改进综述
工业级大规模正相硅胶纯化制备生产上现在大多是干法拌样上样，每天需要处理大量的粗品，费时费力，产量提不上去，同时会产生大量的粉尘影响身体健康和造成环境的污染，导致各方面的损失和伤害。本文采用工业级的中低压制备液相色谱仪（利穗科技（苏州）有限公司）可以优化干法上样为湿法上样，将样品通过合适的纯化系统和层
关于湿法、干法上样
湿法省事，一般用淋洗剂溶解样品，也可以用二氯甲烷、乙酸乙酯等。。。但溶剂越少越好，不然溶剂就成了淋洗剂了。很多样品在上柱前是粘乎乎的，一般没关系。可是有的上样后在硅胶上又会析出，这一般都是比较大量的样品才会出现，是因为硅胶对样品的吸附饱和，而样品本身又是比较好的固体才会发生，这就应该先重结晶，得到大
湿法磷酸的反应原理
湿法生产是用无机酸分解磷矿粉，分离出粗磷酸，再经净化后制得磷酸产品。湿法磷酸比热法磷酸成本低20%~30%，经适当方法净化后，产品纯度可与热法磷酸相媲美。湿法磷酸工艺处于磷酸生产的主导地位。湿法磷酸工艺按其所用无机酸的不同可分为硫酸法、硝酸法、盐酸法等。矿石分解反应式表示如下：Ca5F(PO4)3+
爱发科ICP刻蚀机Cl共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
爱发科ICP刻蚀机F共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
微波等离子体亚深微米刻蚀
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用
中微5纳米等离子体刻蚀机又被网媒“戴高帽”
近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。 中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略意义，则被相关专家反对。刻蚀只是芯片制造多个环节
集成微泵式微流控芯片关键技术的研究
本课题以平面型结构的微型无阀泵和集成微型无阀泵式微流控芯片为研究对象，研究了高刻蚀速率与高表面质量兼具的玻璃湿法刻蚀工艺，创新性的建立了非超净环境下玻璃高效键合的工艺路线，同时，系统地研究了Micro—DPIV微流场可视化检测技术中的显微拍摄、激光照明方式、纳米级示踪粒子布朗运动误差消除、跨帧技术以
湿法激光粒度仪的原理
湿法激光粒度仪理论上采用全量程米氏散射原理； 结构上采用单一光源、单一镜头和大角度的非均匀交叉的三维扇形探测器阵列； 避免了多光源、多镜头带来的数据多重性误差，保证了仪器宽量程测试范围以及测试结果的准确性和重复性。 湿法激光粒度仪采用湿法分散，可用蒸馏水、纯净水和酒精等液
湿法制粒机的构造说明
1、机身为一独立长方体、由轴承架、减速箱、机座三大件组成。加料粉斗与轴承架连接、伸向机外，机座前端设计为伸出、着地广而平稳，因此不须安装、可任意放置室内使用。 2、颗粒制造装置：旋转滚筒横卧装置在料斗下面，前后有轴承支座，它通过齿条的传动，作倒顺回转。端面的前轴承座为活动式，装拆时、只要旋下三
湿法制粒机的安装说明
1、本机为整台装箱，拆箱后搬至适当使用地方，垫平后即可使用。 2、电气线路的装置，是不受旋转方向的限制，线路由底座下面经由皮带罩接至开关，有线卡夹紧。
湿法制粒机的保养说明
1、定期检查机件，每月进行一次，检查蜗轮、蜗杆、轴承等活动部份是否灵活和磨损情况，发现缺勤陷应及时修复，不得免费使用。 2、机器应放在干燥清洁的室内，其大气中不得含有酸类、及其它对机件有腐蚀性气体流动的场所使用。 3、机器一次使用完毕后或停工时，应取出旋转滚筒进行清洗和刷清斗内剩余粉子，然后
湿法制粒机技术参数
滚筒直径（毫米） 60 滚筒有效长度（毫米） 184 滚筒正反转数（转/分） 46 料斗口面长宽（毫米） 210×240 生产能力： 干品（公斤/时） 30 湿品（12目）（公斤/小时） 20 配用动力： 功率（千瓦） 0.55 外型尺寸（长宽高-毫米） 460×550×570
湿法激光粒度仪优势特点
湿法激光粒度仪优势： 1.机身设计紧凑，占用空间小； 2.干湿法测量单元可自由选配； 3.激光器数量多于市面上大多数同类产品，使用寿命长，度高； 4.可移动样品池使信号接收。 Nano Tec与Micro Tec 比较，提升了测量范围从0.08-2000μm提高到0.01-200
湿法激光粒度仪测试原理
湿法激光粒度仪是将被测微粉置入样品池中，通过液体分散（一般为水）利用He-Ne激光器测定液体中的颗粒的粒度。当颗粒流动通过样品窗时，产生散射光，样品窗后的探测器接受散射光信号，并通过分析确定光的能级。利用MIE理论反演计算出颗粒粒度大小和分布。测试范围能够达到0.1-300μm。 使用湿法激光粒
什么是湿法激光粒度仪？
激光粒度仪是一种通过光打在颗粒上进而经过各种测算出颗粒大小及粒径分布的物性测试设备。湿法激光粒度仪是传统和经典的检测手段。Rise-2002，Rise-2006，Rise-2008都是属于这个湿法范畴。 而常说的湿法是什么意思呢？它是指把需要检测的样品放在水或者酒精等常见分散介质中混合分散后进
湿法的功效和特点介绍
湿法(又称消化) ，是在酸性溶液中，向样品中加入硫酸、硝酸、高氯酸、过氧化氢、高锰酸钾等氧化剂，并加热消煮，使有机质完全分解、氧化，呈气态逸出，待测组分转化成无机状态存在于消化液中，供测试用。湿法是一种常用的样品无机化法。其特点是分解速度快，时间短，因加热温度低可减少金属的挥发逸散损失。缺点是消化时
湿法脱硫防腐玻璃鳞片胶泥
湿法脱硫防腐玻璃鳞片胶泥产品性能：1、佐涂中温玻璃鳞片胶泥能耐大部分的酸碱盐类溶液2、对水蒸气和水有较低的可渗透性3、佐涂中温玻璃鳞片胶泥是常温硬化型树脂，施工工艺性好可缩短工期4、耐热温度高，耐热冲击性好5、具有优异的机械性能及耐候性能施工步骤：1、基材前处理要求：常见的基材为钢材为主，表面喷砂除
湿法制粒的工艺过程
湿法制粒（wet granulation）是在药物粉末中加入液体粘合剂，靠粘合剂的架桥或粘结作用使粉末聚结在一起而制备颗粒的方法。由于湿法制粒的产物具有外形美观、流动性好、耐磨性较强、压缩成形性好等优点，在医药工业中的应用最为广泛。而对于热敏性、湿敏性、极易溶性等特殊物料可采用其它方法制粒。（一）制
关于等离子刻蚀机装片的相关介绍
等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。 将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下： 热探针和N型半导体接触时，传导电
等离子刻蚀机的光学发射检测技术介绍
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。 光学发射 光学发射光谱法（OES）是使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终
微流控技术原理及发展史（二）
5.显影用光胶配套显影液通过化学方法除去经曝光的光胶（正光胶）或未经曝光的光胶（负光胶），显影液和显影时间的选择对显影效果的影响很大。选择显影液的原则是，对需要去除的那部分胶膜溶解度大、溶解速度快，对需要保留的那部分溶解度小。显影时间视光致抗蚀剂的种类、胶膜厚度、显影液种类、显影温度和操作方法而异。
湿法粒度仪－HELOSSUCELL特点
功能及特点：1. 样品分散池上带有高低双液位控制器，实现全自动的进料、测试和出料；对分散介质容量自动监测；2. 内置60W超声分散，能量和作用时间可调，带可调速率双机械搅拌分散器，达到最佳分散效果；3. 运转稳定的蠕动泵循环，根据被测试物料的不同，泵的速率可无级调节；4. 全自动系统自清洁功能，避免
湿法激光粒度仪如何完美测试
很多客户在使用湿法激光粒度仪的过程中，往往掌握不好测试过程中的细节问题，导致一系列的测试异常出现，下面小编在这里就给大家综述一下湿法激光粒度仪在测试过程中需要注意的事项，掌握了这些注意事项，相信大家在今后的使用中会得心应手。 首先、湿法激光粒度仪在测试样品前要确保仪器的光路系统处于良好