低维半导体材料的定义

实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料,之所以不愿意使用这个词,主要是不想与现在热炒的所谓的纳米衬衣、纳米啤酒瓶、纳米洗衣机等混为一谈!从本质上看,发展纳米科学技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路,纳米生物传感器件等,以造福人类。可以预料,纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式,也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。......阅读全文

低维半导体材料的定义

实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料,之所以不愿意使用这个词,主要是不想与现在热炒的所谓的纳米衬衣、纳米啤酒瓶、纳米洗衣机等混为一谈!从本质上看,发展纳米科学技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路,纳米生物传感器件

低维半导体材料的特性

实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料,之所以不愿意使用这个词,发展纳米科学技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路,纳米生物传感器件等,以造福人类。可以预料,纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式

低维半导体材料的特征

实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料,之所以不愿意使用这个词,发展纳米科学技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路,纳米生物传感器件等,以造福人类。可以预料,纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式

半导体材料的定义

半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件

  如今人们的生活节奏在加快,对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而,电子设备的功能越丰富、性能越强大,意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多;体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。   就像我们每天都使用的手机,它的中央处理

化合物半导体材料的定义

化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。

低维单晶材料制造研究获重要进展

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510607.shtm

美国发现新型二维半导体材料

  近日,美国犹他大学发现一种新型二维半导体材料一氧化锡。据了解,该材料可用于制备计算机处理器和图形处理器等电子设备内的晶体管,有助于研制出运行速度更快、更加节约能源的智能手机和计算机等电子设备。  当前,电子设备内晶体管的玻璃基板由许多层三维材料构成,如硅材料。其弊端在于当电子通过时,会在所有层内

二维半导体材料家族又有“小鲜肉”

  据美国犹他大学官网消息,该校工程师最新发现一种新型二维半导体材料一氧化锡(SnO),这种单层材料的厚度仅为一个原子大小,可用于制备电子设备内不可或缺的晶体管。研究人员表示,最新研究有助于科学家们研制出运行速度更快且能耗更低的计算机和包括智能手机在内的移动设备。  一氧化锡这个“小鲜肉”由犹他大学

低维材料的限域催化研究获重要进展

华南师范大学物理与电信工程学院研究员徐小志与上海科技大学教授Zhu-Jun Wang、北京大学教授刘开辉、韩国蔚山科学技术学院教授丁峰合作,在低维材料的限域催化研究方面取得重要进展,原位发现了石墨烯在限域空间里的反常刻蚀、再生长行为。相关研究近日发表于Nano Letters。

水溶性低维材料合成与应用获突破

  华东理工大学费林加诺贝尔奖科学家联合研究中心田禾院士、贺晓鹏副研究员团队与上海交通大学颜德岳院士、麦亦勇特别研究员团队合作,在水溶性低维材料的可控合成、超分子自组装及其生物技术领域的应用拓展取得突破性进展,相关研究成果近日在线发表于《德国应用化学》。  石墨烯及其低维衍生材料具备优异的机械、光电

一杯水中的纳米世界:低维半导体的绿色合成研究

  以石墨烯、MXene、h-BN等为代表的二维纳米材料在光电子领域广为流行,一方面得益于尺度效应赋予它们的独特性能,另一方面可以归功于这些层状结构材料易于合成,甚至可以通过机械剥离的方法快速获得。在二维材料兴起的背后,传统光电功能材料,如金属氧化物半导体,本应同享盛誉,但是由于它们通常以三维晶体结

我国成功制备零维/二维钙钛矿/黑磷低维复合纳米材料

  近日,中国科学院深圳先进技术研究院喻学锋研究员与李佳副研究员合作在钙钛矿/黑磷复合纳米材料的研究领域取得新进展,通过简单的液相制备工艺成功在黑磷纳米片上原位生长全无机钙钛矿纳米晶颗粒,制备出了零维钙钛矿/二维黑磷的低维异质结结构,展现出优良的光电应用潜力。相关成果“In situ growth

半导体所发现一种新的二维半导体材料——ReS2

  最近,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室由中美联合培养的博士后Sefaattin Tongay等人在吴军桥教授、李京波研究员、李树深院士的团队中,在二维ReS2 材料基础研究中取得新进展,发现ReS2 是一种新的二维半导体材料。相关成果发表在2014年2月6日的《自然-通讯》上,

热扫描探针光刻技术消除二维半导体材料

   二维半导体材料,比如二硫化钼(MoS2),表现出了诸多新奇的特性,从而使其具有应用于新型电子器件领域的潜力。目前,研究人员常用电子束光刻的方法,在此类仅若干原子层厚的材料表面定域制备图形化电极,从而研究其电学特性。然而,采用此类方法常遇到的问题之一是二维半导体材料与金属电极之间为非欧姆接触,且

低体温的定义

中文名称低体温英文名称hypothermia定  义恒温动物的体核温度降到正常体温以下的状态。应用学科生态学(一级学科),生理生态学(二级学科)

磁性半导体的定义

磁性半导体(英语:Magnetic semiconductor)是一种同时体现铁磁性(或者类似的效应)和半导体特性的半导体材料。

低维材料电荷转移的Marcus反转区间被发现

  近日,中科院大连化物所光电材料动力学研究组(1121组)吴凯丰研究员团队在低维材料电荷转移动力学研究方面取得新进展,首次观测到低维材料电荷转移的Marcus反转区间。  电荷转移是光合作用、生物信号传导及各类能源转化中的关键步骤。以Rudolph Marcus为代表的科学家自上世纪50年代以来对

中韩科学家在安徽合肥研讨低维材料应用

   日前,2014中韩低维电子与光子材料与器件双边研讨会在安徽合肥召开,来自中韩两国近30位材料领域的顶尖科学家,围绕低维电子以及光子材料与器件的制备和应用这一世界科技前沿问题,进行了深入探讨和交流。  参加论坛中方代表分别来自清华大学、中国科技大学等15所高校和科研院所。韩国代表则是来自首尔国立

新型金属硫化物二维半导体材料性质探明

  近日,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下,取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展,探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。2月7日,相关成果发表在英国皇家化学会主办的《纳米尺度》上,并被选为热点论文。

中国科大二维磁性半导体材料研究获进展

  中国科学技术大学国家同步辐射实验室副研究员闫文盛、孙治湖和刘庆华组成的研究小组在教授韦世强的带领下,利用同步辐射软X射线吸收谱学技术,在研究二维超薄MoS2半导体磁性材料的结构、形貌和性能调控中取得重要进展。该研究成果发表在《美国化学会志》上。   二维超薄半导体纳米片具有宏观上的超薄性、透明性

低区耐受的定义

中文名称低区耐受英文名称low-zone tolerance;lowdose tolerance定  义注射低剂量蛋白质抗原引起的特异性免疫无应答状态。应用学科免疫学(一级学科),免疫病理、临床免疫(二级学科),移植免疫及其他(三级学科)

含杂质半导体的定义

相对于无杂质半导体,含有杂质的半导体叫做含杂质半导体(extrinsic semiconductor)。

无杂质半导体的定义

无杂质半导体(intrinsic semiconductor,亦称作i型半导体)是指未掺入杂质的半导体。半导体制作过程中的一个重要步骤就是掺入杂质(doping)。

非晶半导体的定义

非晶半导体又称无定形半导体或玻璃半导体,非晶态固体中具有半导电性的一类材料。具有亚稳态结构,组成原子的排列是短程有序、长程无序,键合力未发生变化,只是键长和键角略有不同。按键合力性质有共价键半导体,包括四面体的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等,“链状”的S、Se、Te、As2Se3

什么是半导体材料?常见半导体材料有哪些?

半导体材料是什么?半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1

半导体材料的概念

半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

半导体材料的特性

半导体材料的特性:半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电,室温时电阻率一般在10-5~107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大;若掺入活性杂质或用光、射线辐照,可使其电阻率有几个数量级的变化。此外,半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、

福建物构所新型低维磁性材料研究获进展

  由于自旋量子效应的存在,低维磁性材料会出现与三维磁性材料不一样的磁性基态。对于二维自旋体系,量子涨落和热涨落之间的竞争将主导磁相变行为,长程序反铁磁相变有可能克服量子涨落而出现。但是,包含三角自旋网格特别是笼目(kagome)晶格的磁性材料,强烈的几何阻挫和量子自旋涨落的作用会使长程有序的基态无

上海光机所低维结构光学微腔材料研究取得系列进展

  中科院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室在低维结构光学微腔材料研究中持续取得系列创新性研究成果,研究成果已在材料领域国际期刊Journal of Material Chemistry、Nanoscale、Journal of Material Chemistry C上发表。   上海光机