砷化镓太阳能电池性能详解
砷化镓太阳能电池 GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。 砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4—6英寸，比硅晶圆的12英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台，同时砷化镓原材料成本高出硅很多，最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一种是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错，反应压力，III-V比率，总流量等诸多参数的影响。 GaAs（砷化镓）光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%（一般在19.5%左右） ，产......阅读全文
科技创新给光伏产业带来发展的正能量
曾几何时，“太阳能光伏”给我们带来了对更高的发电效率和更好的环保性能的憧憬。然而，近年来光伏发电并网难题、光伏产业产能过剩、太阳能产品价格走低、国际贸易纠纷四起等等因素，让这个产业前景黯淡。也许，只有技术的革新才是这个产业发展的坚实依靠。 新型可弯曲可嵌入太阳能电池
微波功率晶体管相关介绍
微波功率晶体管可在微波频率下可靠地输出几百毫瓦至几十瓦的射频功率。这就要求晶体管在微波频率下具有良好的功率增益和效率。高频率和大功率是矛盾的，故微波功率晶体管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率性能的主要途径有:①提高发射极的“周长/面积比”，以提高单位
太阳能电池的性能参数
太阳能电池的性能参数1、开路电压开路电压UOC：即将太阳能电池置于AM1.5光谱条件、100 mW/cm2的光源强度照射下，在两端开路时，太阳能电池的输出电压值。2、短路电流短路电流ISC：就是将太阳能电池置于AM1.5光谱条件、100 mW/cm2的光源强度照射下，在输出端短路时，流过太阳能电池两
太阳能电池的性能参数
1、开路电压开路电压UOC：即将太阳能电池置于AM1.5光谱条件、100 mW/cm2的光源强度照射下，在两端开路时，太阳能电池的输出电压值。2、短路电流短路电流ISC：就是将太阳能电池置于AM1.5光谱条件、100 mW/cm2的光源强度照射下，在输出端短路时，流过太阳能电池两端的电流值。3、最大
薄膜太阳能电池的类型及其优缺点详解
薄膜太阳能电池要达到两个目标：一是要具有足够的柔韧性，能够在大型建筑材料表面附着，二是要实现和传统太阳能电池一样的效率，甚至更高。不同的制备技术所得的薄膜太阳能板和传统的太阳能板相比，具有不同的优缺点。通常对薄膜太阳能板的命名来自于半导体材料的类型。1、不定形硅（a-Si）不定形硅是最早的也是最成熟
碲化镉太阳能电池
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率（28%），性能很稳定，一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。碲化镉容易沉积成大面积的薄膜，沉积速率也高。CdTe薄膜太阳电池通常以CdS ／CdT e异质结
高性能氮化镓晶体管研制成功
据美国物理学家组织网9月22日（北京时间）报道，法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。此前，氮化镓只能用于（111）-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体（CMOS）芯片一般
太阳能电池板的主要种类
太阳能电池板是通过吸收太阳光，将太阳辐射能通过光电效应或者光化学效应直接或间接转换成电能的装置，大部分太阳能电池板的主要材料为“硅”，但因制作成本较大，以至于它普遍地使用还有一定的局限。当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90%以上,而且在今后相当长的一段时期也依
镓是什么意思
镓的意思是金属元素，符号Ga（gallium）。镓（Gallium）是灰蓝色或银白色的金属，符号为Ga，原子量69.723。镓熔点很低，但沸点很高，在空气中易氧化，形成氧化膜，纯液态镓有显著的过冷的趋势，可由铝土矿或闪锌矿中提取，最后经电解制得纯净镓，适合使用塑料瓶（不能盛满）储存。布瓦博得朗没有意
光电池的案例分析
太阳能电池将太阳光能直接转化为电能。不论是独立使用还是并 网发电,光伏发电系统主要由太阳能电池板（组件）、控制器和逆变器三大部分组成，它们主要由电子元器件构成，不涉及机械部件。理论上讲,光伏发电技术可以用于任何需要电源的场合,上至航天器,下至家用电源,大到兆瓦级电站,小到玩具,光伏电源无处不在。
辽宁墒情遥测站结构性能详解
辽宁朝阳墒情遥测系统建于2007年5月，经过2007、2008年两年汛期的运行，系统运行状态良好，达到了设计要求。 1 系统总体设计 1.1 系统组成朝阳墒情遥测系统分布于辽宁省朝阳市四大流域。朝阳墒情遥测中心下设：独立墒情遥测站7处，雨墒整合站3处。其中大凌河流域7处、小凌河流域1处、老哈河流域1
液相色谱柱性能参数详解
本文主要介绍液相色谱柱的相关参数，具体如下。 1、表面积 颗粒外表面和内部孔表面的总和，以m2/gram表示。 高表面积对于多组份样品的分离具有较强的保留能力，柱容量和分离度。表面积低的填料通常能迅速达到平衡状态，对于梯度淋洗尤为重要。 2、孔径 颗粒的孔或腔的平均尺寸，范围60
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（三）
设计注意事项 采用GaN设计电源时，为降低系统EMI，需考虑几个关键因素：首先，对于Cascode结构的GaN，阈值非常稳定地设定在2 V，即5 V导通，0 V关断，且提供±18 V门极电压，因而无需特别的驱动器。其次，布板很重要，尽量以短距离、小回路为原则，以最大限度地减少元
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（四）
经过 频谱分析仪和LISN测试，该设计的EMI符合EN55022B标准，并通过2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌测试。输入电压为115 Vac和230 Vac时，系统峰值效率分别超过95%和94%。该参考设计较现有采用硅的216 W电源参考设计减小25%的尺寸，提升2%的
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（一）
第三代 半导体材料——氮化镓( GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在 电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于 功率因数校正(PFC)、软开关 DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏 逆变器或 太阳能逆变器、服务
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（二）
Cascode相当于由GaN HEMT和低压MOSFET组成：GaN HEMT可承受高电压，过电压能力达到750 V，并提供低导通电阻，而低压MOSFET提供低门极驱动和低反向恢复。HEMT是高电子迁移率晶体管的英文缩写，通过二维电子气在横向传导电流下进行传导。图1：GaN内部架构及
半导体材料的主要种类介绍
半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温
“人工树叶”系统可利用太阳能将水转化为氢气燃料
模拟大自然中植物的光合作用，用阳光、水和二氧化碳制造出可按需使用的化学能源，这是2010年美国人工光合作用联合中心（JCAP）成立时的主要目标。5年来该中心的研究取得重大进展，他们首次使用高效、安全、集成的太阳能系统分离水分子并制造出氢气燃料，新研究的系统实验证明可将10%的
“人工树叶”系统可利用太阳能将水转化为氢气燃料
模拟大自然中植物的光合作用，用阳光、水和二氧化碳制造出可按需使用的化学能源，这是2010年美国人工光合作用联合中心（JCAP）成立时的主要目标。5年来该中心的研究取得重大进展，他们首次使用高效、安全、集成的太阳能系统分离水分子并制造出氢气燃料，新研究的系统实验证明可将10%的太阳能转化为化学能。
氮化镓是实现－5G－的关键技术
日前，与 SEMICON CHINA 2020 同期的功率及化合物半导体国际论坛 2020 在上海隆重举行，Qorvo FAE 经理荀颖也在论坛上发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。
铜铟镓硒薄膜太阳电池的技术特点
铜铟镓硒薄膜太阳电池的特点铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，铜铟镓硒薄膜太阳电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观
光敏电子皮肤让机器人拥有“火眼金睛”
英国格拉斯哥大学科学家找到一种新方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得设备的性能可与目前市场上最好的传统光电探测器媲美，且能承受数百次弯曲，因此可用作未来机器人的智能电子皮肤，让其“看到”人类视觉范围以外的光。相关研究刊发于最近的《先进材料技术》杂志。 研究人员称，此前他
双异质结激光器的功能介绍
中文名称双异质结激光器英文名称double hetero junction laser定 义用多次外延法在砷化镓基片的两侧各生长一层砷化镓铝单晶(一层为p型，一层为n型），分别形成一个砷化镓铝-砷化镓异质结而制成的半导体激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备
双异质结激光器的结构特点
中文名称双异质结激光器英文名称double hetero junction laser定 义用多次外延法在砷化镓基片的两侧各生长一层砷化镓铝单晶(一层为p型，一层为n型），分别形成一个砷化镓铝-砷化镓异质结而制成的半导体激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备
多晶硅太阳能电池的性能特点
多晶硅太阳能电池一般采用低等级的半导体多晶硅，或者专门为太阳能电池使用而生产的铸造多晶硅等材料。与单晶硅太阳能电池相比，多晶硅太阳能电池成本较低，而且转换效率与单晶硅太阳能电池比较接近，它是太阳能电池的主要产品之一。多晶硅太阳能电池硅片制造成本低，组件效率高，规模生产时的效率已达18％左右。多晶硅太
单晶硅太阳能电池的性能特点
单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为24．7％（理论最高光电转化效率为25％），规模生产时的效率为18％（截至2011年）。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料，发展了多品硅薄膜和非晶硅薄膜作为单晶
太阳能电池的分类和参数性能介绍
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。又称为“太阳能芯片”或“光电池”，它只要被满足一定照度条件的光照度，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic，缩写为PV），简称光伏。太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶