能带隙（bandgap）可以拟合或者计算出来吗
除了用光学方法计算禁带宽度以外, 利用密度泛函, 赝势法, 第一性原理等方法可以理论计算物质的能带结构的. 只是理论计算往往没有实验测量的方法准确而已. 具体针对如何计算可以参考文献, 我想大多数物质都已经被计算过了.......阅读全文
治疗腔隙性脑梗塞的相关介绍
有效控制高血压和各种类型的脑动脉硬化可减少腔隙性卒中的可能性，是预防本病的关键。 与动脉粥样硬化性血栓性脑梗死的治疗类似，一般不用脱水治疗。虽然腔隙性梗死的预后良好，但易反复发作，故预防疾病复发尤为重要。应针对脑血管病的各种危险因素进行积极治疗，作好脑血管病的二级预防。 根据患者年龄、病情程
关于腔隙性脑梗塞的基本介绍
腔隙性脑梗塞是中风的新成员，在CT问世之前很难确诊，其主要特点是病变多而小。其病理基础是在高血压和动脉硬化的基础上，脑深部的微小动脉发生闭塞，引起脑组织发生缺血性病变。腔隙性脑梗塞的临床表现为单纯运动障碍、感觉障碍，感觉运动型腔隙综合征或共济失调性轻偏瘫。症状轻微为其又一特点，一般人仅有注意力不
关于腔隙灶的基本信息介绍
腔隙灶称之为小灶性脑组织梗塞后发生的脑组织软化（脑组织病理改变）。 积极治疗能预防大的梗塞发生 转摘---腔隙性脑梗塞是以病理诊断而命名的，系指直径在15～20毫米以下的新鲜或陈旧性脑深部小梗塞的总称。这些小动脉闭塞后，可引起多个大小不同的脑软化灶，最后形成大大小小的腔隙。因梗塞的血管不同，
关于腔隙性脑梗死的病因分析
1.高血压 高血压在腔隙性脑梗死患者的发病率为45%～90%。长期高血压造成脑内小动脉血管壁变性，使得管腔变窄，在某种血流动力学因素或血液成分变化的诱因下发生小动脉的闭塞。腔隙性脑梗死最常见的原因是高血压动脉硬化，尤其是慢性高血压超过21.3/12.7kPa（160/95mmHg）时。且舒张压
多发腔隙性脑梗塞的相关介绍
腔隙性脑梗塞是指脑部深穿动脉所致缺血性坏死灶。腔隙性脑梗塞约占中风的10%～30%。腔隙性脑梗塞是以病理诊断而命名的，是指直径在15～20毫米以下的新鲜或陈旧性脑深部小梗塞的总称。
治疗腔隙性脑梗死的相关介绍
有效控制高血压和各种类型的脑动脉硬化可减少腔隙性卒中的可能性，是预防本病的关键。 与动脉粥样硬化性血栓性脑梗死的治疗类似，一般不用脱水治疗。虽然腔隙性梗死的预后良好，但易反复发作，故预防疾病复发尤为重要。应针对脑血管病的各种危险因素进行积极治疗，作好脑血管病的二级预防。 根据患者年龄、病情程
简述阴离子隙检查的临床意义
异常结果： 增高：见于代谢性酸中毒、糖尿病酮症酸中毒、尿毒症等。阴离子间隙正常的代谢性酸中毒如高血氯性代谢性酸中毒。 减低：见于低蛋白血症等。 需要检查的人群：严重低氧血症，肾功能不全导致氮质血症或尿毒症。
简述腔隙性脑梗塞的诊断依据
中老年患者，有多年高血压病史，急性起病，出现局灶性神经功能障碍，CT或MRI检查可发现相应的脑部有腔隙性病灶，可作出诊断。 腔隙性脑梗死的诊断标准，基本采用临床、病理及CT扫描相结合的方法。中华医学会第四次全国脑血管病会议诊断标准为： 1.发病多由高血压动脉硬化引起，呈急性或亚急性起病。
简述阴离子隙检查的正常值
AG=(Na++K+)-(Cl--HCO3-)，一般是利用血清中的电解质含量运算。血清K+浓度较低，且较恒定，对AG影响轻微，故上述公式可简化为AG=Na+ -(Cl-+HCO3-)。AG正常参考值为8-16mol/L，平均12mmol/L。临床上利用血清主要阴、阳离子的测定值即可算出AG值，它
并行FDTD方法分析光子带隙微带结构
1、引言光子带隙(photonic Bandgap-PBG)结构，又称为光子晶体(photonic Crystal)，它是一种介质材料在另一种介质材料中周期分布所组成的周期结构。尽管光子带隙最初应用于光学领域，然而由于其禁带特性，近年来在微波和毫米波领域也获得极大关注。在光子带隙结构中,电磁
试述电动振动台气隙的作用
电动振动台的不动部分如磁铁，励磁、线圈或磁铁的磁缸和可动部分例如动圈、悬挂弹簧及台面，是靠气隙互相耦合的，气隙虽小，却起很重要的作用，它把电气系统和机械系统耦合起来了。气隙过小，易造成摩擦损坏且波形不好，这是不允许的；气隙过大则电气耦合弱，电—机转换效率低。因此要求气隙干净、干燥，如果是压缩空气的话
晶体表面带状褶皱结构对超导电性的影响研究取得进展
铁基超导体中超导电性的起源在经过十几年的研究后仍然没有定论。在国家重点研发计划“量子调控与量子信息”重点专项等科技计划的支持下，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心高鸿钧、丁洪研究团队利用极低温扫描隧道显微镜系统，研究了LiFeAs表面两类带状褶皱结构及其方向依赖对超导电性的影响。他
晶体表面带状褶皱结构对超导电性的影响研究重要进展
铁基超导体中超导电性的起源在经过十几年的研究后仍然没有定论。在国家重点研发计划“量子调控与量子信息”重点专项等科技计划的支持下，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心高鸿钧、丁洪研究团队利用极低温扫描隧道显微镜系统，研究了LiFeAs表面两类带状褶皱结构及其方向依赖对超导电性的影响。他
晶体表面结构可影响超导电性？
铁基超导体中超导电性的起源在经过十几年的研究后仍然没有定论。在国家重点研发计划“量子调控与量子信息”重点专项等科技计划的支持下，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心高鸿钧、丁洪研究团队利用极低温扫描隧道显微镜系统，研究了LiFeAs表面两类带状褶皱结构及其方向依赖对超导电性的影响。他
联合研究团队在FeSi(110)单晶表面金属态研究新进展
FeSi属于关联d电子窄能带半导体，具有低对称性手性立方晶体结构（B20体系）和优异的热电性能。FeSi的物理性质具有不寻常的温度依赖关系，与f电子近藤绝缘体极为相似。虽然能带计算表明FeSi的费米能级位于体相能隙当中，早期多个实验组对于该体系电输运测量却发现，FeSi的电阻在低温区间偏离热激活
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
重费米子体系中杂化动力学的理论研究与实验探测获突破
长期以来，对重费米子物理的理解主要基于平均场方法所提供的静态杂化图像。该图像认为f电子在相干温度T*之下会在费米面附近与导带发生杂化，从而形成重电子能带，并产生直接和间接杂化带隙，引起f电子的局域－巡游转变。但是近些年来，有越来越多的实验证据表明，真正理解重费米子的局域－巡游转变物理必须超越平均
科学智能带来研究新范式：从“作坊”到“平台”
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497499.shtm
“读心”有术！人工智能带来新惊喜
任何同Siri或Alexa有过令人沮丧的互动体验的人都知道，数字助理无法同人类媲美。而它们需要的是被心理学家称为“心智理论”的东西—— 一种意识到其他人的信念和欲望的能力。如今，计算机科学家创建了能窥探其他计算机“心灵”并预测其行为的人工智能（AI）。这是实现机器之间以及机器和人之间流畅合作的第
半导体所等在拓扑绝缘体研究中获进展
拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有独特的电子结构，它在体内能带存在能隙，表现出绝缘体的行为；表面或边界的能带是线性的无能隙的Dirac锥能谱，因而是金属态。这种量子物态展现出丰富而新奇的物性，如量子自旋霍尔效应、磁电耦合、量子反常霍尔效应等。由于这种新奇的物性源
双极磁性半导体的概念和特征
双极磁性半导体（英文Bipolar Magnetic Semiconductors，缩写BMS) 是一类特殊的磁性半导体材料，它具有独特的电子能带结构：价带顶和导带底是100% 自旋极化的，且它们的自旋极化方向是相反的。 双极磁性半导体具有三个特征能隙：价带内的自旋翻转能隙Δ1，半导体带隙Δ2和导带
物理所发现ZrTe5中温度诱导Lifshitz转变及其拓扑本质
自上世纪70年代以来，科学家们就发现过渡金属碲化物ZrTe5和HfTe5在电阻-温度曲线上表现出一个宽峰，并且在宽峰温度的上下，霍尔效应和热电势所测得的载流子发生变号。尽管许多研究组对这一奇异的输运性质做了研究，但其起源一直是一个悬而未决的问题。近年来，量子拓扑材料研究的兴起导致发现了一大批包括
再登顶刊！南京大学团队发表拓扑物理研究评述
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503480.shtm近日，南京大学固体微结构物理国家重点实验室、现代工程与应用科学学院的陈延峰教授团队的卢明辉教授课题组与西班牙马德里先进材料研究所的Johan Christensen教授课题组合作共同回
什么是同质结与异质结
1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。2、异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半
简述腔隙性脑梗塞的临床表现
大脑深部的基底节区和脑干是许多神经纤维束走行的重要通路，是实现大脑与躯体神经联系的桥梁。如果腔隙性脑梗死发生在这些通路上，就会造成某些神经传导的阻断，产生运动、感觉或语言障碍等方面的症状。由于腔隙很小，有时单纯影响运动纤维或感觉纤维，而出现纯运动性偏瘫，或者仅出现没有偏瘫的半身感觉障碍。但是，并
关于腔隙性脑梗死的诊断检查介绍
腔隙性脑梗死诊断标准 各家报告的诊断标准不尽相同，但基本采用临床、病理及CT扫描相结合的方法。中华医学会第四次全国脑血管病会议诊断标准：⑴发病多由高血压动脉硬化引起，呈急性或亚急性起病。 ⑵多无意识障碍。 ⑶腰穿脑脊液无红细胞。 ⑷临床表现都不严重，较常表现为纯感觉性卒中、纯运动性轻偏瘫
关于腔隙性脑梗死的临床特点介绍
一般症状有头晕头痛、肢体麻木、眩晕、记忆力减退、反应迟钝、抽搐、痴呆，无意识障碍，精神症状少见。主要临床体征为舌僵、说话速度减慢，语调语音变化，轻度的中枢性面瘫，偏侧肢体轻瘫或感觉障碍，部分锥体束征阳性，而共济失调者少见。
简述腔隙性脑梗死的临床表现
大脑深部的基底节区和脑干是许多神经纤维束走行的重要通路，是实现大脑与躯体神经联系的桥梁。如果腔隙性脑梗死发生在这些通路上，就会造成某些神经传导的阻断，产生运动、感觉或语言障碍等方面的症状。由于腔隙很小，有时单纯影响运动纤维或感觉纤维，而出现纯运动性偏瘫，或者仅出现没有偏瘫的半身感觉障碍。但是，并
关于腔隙性梗死的诊断及鉴别诊断
1、诊断：目前国内外尚无统一的诊断标准，以下标准可供参考：①中老年发病，有长期高血压病史；②临床表现符合腔隙综合征之一；③CT或MSI检查证实与神经功能缺失一致的病灶，EEG、脑脊液和脑血管造影正常；④预后良好，多在短期内恢复。 2、鉴别诊断：腔隙综合征病因处缺血性梗死外，还包括小量脑出血、感