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半导体所等在拓扑绝缘体研究中获进展

拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有独特的电子结构,它在体内能带存在能隙,表现出绝缘体的行为;表面或边界的能带是线性的无能隙的Dirac锥能谱,因而是金属态。这种量子物态展现出丰富而新奇的物性,如量子自旋霍尔效应、磁电耦合、量子反常霍尔效应等。由于这种新奇的物性源自自旋轨道耦合,因而目前所知的拓扑绝缘体都是含有重原子的窄能隙半导体体系,如HgTe,Bi2X3(X=Se,Sb,...)和Heusler合金等材料。这两个约束极大地限制拓扑绝缘体家族的扩展,而这些材料不够成熟的生长制备工艺则阻碍了拓扑绝缘体潜在的器件应用。 最近,中国科学院半导体研究所常凯研究组和美国加州大学圣巴巴拉分校Van de Walle小组M. S. Miao博士合作,从理论上证明利用GaN/InN/GaN半导体异质结界面的极化电场,可以将InN薄层驱动到拓扑绝缘体相。GaN/InN/GaN系统是应变的异质结系统,强烈的......阅读全文

马丁•伍德爵士中国奖:牛津仪器放飞中国科研梦

【导语】作为一家世界领先的高科技系统设备供应商,牛津仪器将创新视为公司发展的生命线与业务的核心,自1959年以来科技创新一直是牛津仪器公司发展和成功的关键;作为一个奖项的设立者,牛

浙江大学发表7篇CNS,在材料,生命科学等领域取进展

  截止2019年10月10日,浙江大学在Cell,Nature及Science上发表了7篇重要研究成果,iNature系统总结了这些成果:  【1】高熵合金是一类材料,其中包含五个或更多近似等原子比例的元素。它们非常规的成分和化学结构有望实现前所未有的机械性能组合。这类合金的合理设计取决于对几乎无

半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现

  中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。   拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有

拓扑绝缘体常温常压下表面态行为研究取得进展

  不同于传统意义上的“金属”或“绝缘体”,拓扑绝缘体代表一种全新的量子物态:它的体态是有能隙的半导体/绝缘体,表面则表现为没有能隙的金属态。这种完全由材料体态电子结构的拓扑性质所决定的表面态,由于受到对称性的保护,基本不受杂质或无序的影响,因此非常稳定。拓扑绝缘体的研究对探索和发现新的量子现象,以

物理所预言立方对称性破缺下的新型拓扑绝缘体材料

  拓扑绝缘体已成为材料研究领域中的“明星”,吸引着众多科学家的目光,理论和实验两方面的研究工作进展都极为迅速。拓扑绝缘体是一种新奇的量子物态,具有绝缘体和导体双重特性,通过引入超导序和铁磁序,拓扑绝缘体可能在量子计算机和自旋电子学等领域有着潜在的广泛应用。然而,要实现这些应用,首先

半导体所HgTe半导体量子点研究取得新进展

  近年来,拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体,而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言,拓扑绝缘体纳米结构的

拓扑晶态绝缘体碲化锡纳米线研究获得新进展

  拓扑绝缘体(Topological Insulator)是一种新奇的物质状态,它的体相是绝缘态而表面却是零带隙的金属态。尤其它的表面是受拓扑保护的导电态,不受非磁性杂质和晶体缺陷的干扰,因而在无损耗的量子计算和新奇的自旋电子器件等领域具有重要的应用价值。时间反演对称性保护的三维拓扑绝缘体如B

物理所强关联拓扑绝缘体电子结构研究取得进展

  拓扑绝缘体是近年来凝聚态物理的研究热点之一。这类材料不同于传统的“金属”和“绝缘体”,其体内部为有能隙的绝缘态,其表面则是无能隙的金属态。这种金属表面态是由其内在电子结构拓扑性质决定的,受时间反演不变性的保护,因而受缺陷、杂质等外界影响较小。目前,理论上预言的拓扑绝缘体都是半导体材料,电子间的关

物理所拓扑化合物研究取得新进展

  最近,中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)靳常青研究组和方忠研究组密切合作,在拓扑化合物研究中取得新进展。相关工作发表在美国《国家科学院院刊》上【Proc. Natl Acad. Sci. (PNAS) 108, 24 (2011);doi: 10.1073/pnas

物理所预言硅烯中的量子自旋霍尔效应

  最近,中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)姚裕贵研究员以及博士生刘铖铖、冯万祥采用第一性原理,系统地研究了硅烯的晶体结构、稳定性、能带拓扑和自旋轨道耦合打开的能隙,预言了在硅烯中可以实现量子自旋霍尔效应。     近几年来,拓扑绝缘体的研究在世界范围内飞速发展,并成为凝

磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应研究取得进展

图1:量子霍尔效应(左)与量子化反常霍尔效应(右)的比较示意图  最近,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室方忠、戴希研究组在无需外磁场的量子霍尔效应研究中取得重要进展。本工作发表在《科学》杂志上【R.Yu,et.al., Science, 3June2010

美国研制出奇特的拓扑超导体材料

  3年前,美国普林斯顿大学的一个研究小组发现了三维拓扑绝缘体,这是一种金属表面的奇怪绝缘体,虽然它独特的属性具有很大应用潜力,但用于量子计算机却并非理想材料。两年来,科学家经过不断探索,完全扭转其性质,使之成为表面是金属、内部却具有超导性的拓扑超导体。这种新材料的发现有望发展出新一代电子

超高压下半导体材料可变身拓扑绝缘体

  一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作,通过对一种半导体施加压力,将其转变成了“拓扑绝缘体”(TI)。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料,让它变成了拓扑绝缘状态,也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。   拓扑

张首晟谈拓扑绝缘体:将信息社会带向更高层次

  美籍华人物理学家张首晟3月20日晚在日内瓦接受新华社记者专访时说,内部绝缘、表面却导电的拓扑绝缘体将来有望在信息行业中得到重要应用,帮助信息行业克服发展瓶颈,并有可能将信息社会带到更高层次。  20日晚,张首晟与同事查尔斯·卡内、劳伦斯·莫兰坎普因拓扑绝缘体理论预言及实验发现在日内瓦获

《麻省理工科技评论》35位中国科技青年入选英雄榜!

  《麻省理工科技评论》于 2016 年正式落地中国,次年,“35 岁以下科技创新 35 人” (Innovators Under 35)中国榜单正式发布!四年成长、四届榜单,我们持续关注和发掘中国科技发展中不断崛起的新兴力量。从实验室里最新的技术研发成果,到各前沿领域的科技创业者们所取得的里程碑式

中美科学家在光滑基座上种植出两类拓扑绝缘体

  据物理学家组织网10月14日报道,中美科学家携手合作,为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。该研究团队报告称,他们在一个超高真空腔内,分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面,种植出了两类拓扑绝缘体材料,并对它们输送电子的能力进行了评估。相关研究发表在最新一期的美国

中美合作团队在光滑基座上种植出两类拓扑绝缘体

  据物理学家组织网10月14日报道,中美科学家携手合作,为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。该研究团队报告称,他们在一个超高真空腔内,分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面,种植出了两类拓扑绝缘体材料,并对它们输送电子的能力进行了评估。相关研究发表在最新一期的美国物理联合会

用太赫兹波进行光学计算

Alexey Shuvaev, Andrei Pimenov, Florian Aigner, Georgy Astakhov, Mathias Mühlbauer, Christoph Brüne, Hartmut Buhmann and Laurens W. Molenkamp通过导通光

美国科学家创建出一种新的更稳定的大能隙拓扑绝缘体

  美国犹他大学的研究人员创建出一种新的,其可作为硅半导体顶部金属层的特殊材料,将使超高速计算机在室温下执行快速运算成为可能。该项研究成果刊登在近日美国《国家科学院学报》上。  这种新的拓扑绝缘体,其里面犹如绝缘体,而其外部可导电,为量子计算机和快速自旋电子元件铺平了道路。  量子计算机是一种遵循量

2019年中国学者发表CNS统计,谁是CNS发表之王?

  物理与材料学领域  【1】2019年12月11日,中科院物理所张余洋、丁洪及高鸿钧共同通讯在Science 在线发表题为“Nearly quantized conductance plateau of vortex zero mode in an iron-based superconducto

盘点|2019年中国学者在CNS发表30篇文章 近半独立完成 !

  2019年即将结束,中国学者总共在Cell,Nature及Science发表了180项研究成果,其中生命科学领域有105篇,材料学有30篇,化学有12篇,地球科学有15篇,物理学有18篇。我们盘点一下材料学:  按杂志来划分:Cell 发表了0篇,Nature 发表了11篇,Science 发表

2014-2015中国物理学会各奖项揭晓

序号获奖者姓名工作单位奖项1白雪冬中国科学院物理研究所胡刚复物理奖2何 源中国科学院近代物理研究所胡刚复物理奖3刘运全北京大学饶毓泰物理奖4卢仲毅中国人民大学叶企孙物理奖5靳常青中国科学院物理研究所叶企孙物理奖6林承键中国原子能科学研究院吴有训物理奖7何红建清华大学王淦昌物理奖8苑长征中国

关于不同类型层状材料拉曼散射光谱的综述论文

  由中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研人员张昕和谭平恒撰写的关于不同类型层状材料的拉曼散射光谱的综述论文,近日在Nanoscale 发表(Xin Zhang, Qing-Hai Tan, Jiang-Bin Wu, Wei Shi and Ping-Heng Tan, Nanos

《科学》:碲化铋可大大提高计算机芯片的运行速度

  硅谷在不久的未来也许就要更名了,美国科学家已证实,碲化铋可大大提高计算机芯片的运行速度和工作效率。使用现有半导体技术,此种材料即可允许电子在室温条件下无能耗地在其表面运动,这将给芯片的运行速度带来飞跃,甚至可能会成为以自旋电子学为基础的下一代全新计算机技术的基石。   此项发现是美国能源部斯坦

中国科学家发现新型手性费米子

  中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员丁洪、钱天和副研究员孙煜杰团队与中国人民大学物理学系雷和畅等合作者共同发现三维材料CoSi中存在新型手性费米子的确定证据。该实验结果证明了新型手性费米子的存在,为探索由手性费米子引起的新奇物理现象提供了一个较为理想的平台。相关研究成果于3月2

物理所等在铁磷基超导家族中发现马约拉纳零能模平台

  近几年来,在拓扑非平庸的铁基超导材料中研究马约拉纳零能模是凝聚态物理学家关注的前沿问题之一。近期,中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧团队和物理所研究员丁洪团队、北京师范大学教授殷志平团队、美国麻省理工学院教授傅亮团队合作,在自掺杂的双层铁基超导体CaKFe4

铁基超导体超导涡旋中马约拉纳零能模的拓扑本质

  铁基超导体超导涡旋中的马约拉纳零能模是当前人们关注的前沿问题。近日,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员丁洪、中科院院士高鸿钧与美国麻省理工学院教授Liang Fu通力合作,在铁基超导体FeTe0.55Se0.45单晶样品上发现了伴随马约拉纳零能模出现的涡旋束缚态能级序列半整数

半导体所常凯研究员来固体所进行学术交流

  10月23日,中科院半导体研究所常凯研究员应邀访问合肥物质科学研究院固体所,并作了题为“自旋轨道耦合系统的奇妙物性”的学术报告。   报告首先介绍了拓扑边缘态的起源,纳米尺度结构中的边缘态和性质,他重点介绍了在量子点中体系会出现类似回音壁形式的边缘态,以及电子在石墨烯材料制成的P

石墨烯将承载产业变革希望

剑桥大学石墨烯中心主任安德烈·法拉利教授  近年来,石墨烯承载着未来变革产业领域的希望,欧盟于2013年10月率先启动了为期10年的“石墨烯旗舰项目”,旨在使欧洲公司“能够在全球石墨烯技术竞赛中获得主动权”。在该项目日前主办的“2015石墨烯周”大会期间,科技日报记者就有关问题采访了项目执行委员会主

深紫外固态激光源装备通过验收

  9月6日,由中国科学院承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”在北京通过验收。该系列前沿装备中的深紫外非线性光学晶体与器件平台、深紫外全固态激光源平台,以及基于这两个平台研制的8台新型深紫外激光科研装备各项既定目标全面完成,使我国成为世界上唯一一个能够制造实用