光电倍增管和硅光二极管两种，这二者有什么优缺点
光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。NIST自行研制的的参考级（基准）分光光度计，分别在紫外区用PMT，可见区用Si，近红外区用InGaAs这三种检测器，以实现对透射比（吸光度）计量性能的终极追求，当然Si的缺点导致不可检测低于0.1%的透射比，这也限制了美国光谱透射比基准的参数范围：0.1%~100%......阅读全文
物理所硅基可集成全光二极管和隔离器研制获得进展
长期以来，全光二极管与隔离器的研制是微纳集成光子学领域的一个世界性的难题。正如传统集成电路系统运算功能需要电二极管这一基本元件一样，全光信号运算处理也离不开能使得光子满足非对异性传输的单元，即所谓的“全光二极管”。与此同时，信息技术的迅猛发展，要求信息传递的速度更快，信息存储能力更大
光电倍增管和硅光二极管两种，这二者有什么优缺点
光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。NIST自行研制的的参考级（基准）分光光度计，分别在紫外区用PMT，可见区用Si，近红外区用InGaAs这三种检
光电倍增管和硅光二极管两种，这二者有什么优缺点
光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。NIST自行研制的的参考级（基准）分光光度计，分别在紫外区用PMT，可见区用Si，近红外区用InGaAs这三种检
华南农大设计出新型慢速光孤子全光二极管
近日，华南农业大学电子工程学院2011级本科生李鸿基团队，利用两个具有不同啁啾系数的线性啁啾布拉格光纤光栅以及一段均匀的光纤光栅，设计出一种新型慢速光孤子全光二极管。近日，相关研究发表在美国《光学快报》上。 在光通信领域，实现光场在集成光路中单向导通是极其困难。研究人员利用两个具有不同啁啾系数
硅激光向中红外光“挺进”
研究人员在近期在线出版的《自然—光子学》（Nature Photonics）期刊上报道，将硅激光的运行波长从近红外扩展到中红外光的可能性得到了极大提升。 在医学诊断和环境监测等领域，非常需要一种便宜、高能量、运行波段在中红外光范围(2微米~5微米)的硅半导体激光，但目前还没有这种激光。 Haishe
Nature－Photonics：高速高效率硅光电二极管！
高速、高效率的光电探测器在光通信技术中扮演者十分重要的角色，是构建大带宽、高通量光链路的核心原件之一。从现有技术条件来看，无论为了节约制造和组装分离元部件的成本，还是为了降低系统寄生阻抗带来的损耗，实现光通信模块与其他相关电子信号处理模块的硅基单片集成（monolithic integratio
金属所发展出光控二极管
未来集成电路的发展呈现出多元化发展趋势，其中，光电芯片可实现光传输及信息处理功能，通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。二极管作为重要的基本电学元件，在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域颇具应用价值，其结构和功能十分丰富（图1）。 光电
亚洲硅业巧渡光伏产业难关
多晶硅生产是光伏产业的基础环节。多年前，多晶硅生产技术还被垄断在美国、德国、日本等光伏产业发达大国手中。2006年，随着我国光伏产业的迅速发展，我省第一家主要生产多晶硅的光伏制造企业——亚洲硅业诞生了。2008年底，企业的投产填补了我省在多晶硅生产行业的空白。 然而，就在光伏产业迅速发展6
“光启天地”上海硅光未来产业集聚区在上海启动建设
6月28日，“智融硅光·芯启未来”2025上海硅光未来产业创新发展推进会在浦东张江成功举办。大会汇聚科技、产业、金融界权威专家代表，共谋硅光前沿技术创新与未来产业发展，推动硅光未来产业创新生态建设，打造硅光技术与产业创新高地。 会上，上海硅光未来产业集聚区“光启天地”在浦东新区正式启动建设，8
科学家制成彩色高效硅基发光二极管
据物理学家组织网2月18日报道，硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米，却具有很高的发光潜力。现在，来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(KIT)和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管(SiLEDs)，其不含重金属，却能够发射出多种颜色的光。相关研究报告发表在近期出版的《纳米快报
可以处理新信号的光控二极管问世
近日，中国科学院金属研究所科研团队发明了一种具有新信号处理行为的光控二极管，相关研究成果在线发表于《国家科学评论》（National Science Review）。 未来集成电路的发展将呈现出多元化发展趋势，其中光电芯片可实现光传输及信息处理功能。通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大
可以处理新信号的光控二极管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/6/480139.shtm 近日，中国科学院金属研究所科研团队发明了一种具有新信号处理行为的光控二极管，相关研究成果在线发表于《国家科学评论》（National Science Review）。 未来集
光伏行业周报：多晶硅价格继续上涨
一季度由于部分硅片企业的复产，多晶硅价格维持在较高的位臵，目前下游价格维持稳定，多晶硅价格有望高位震荡，整体市场来看，多晶硅仍然是产业的强点。同时，近期美股四季报将会集中披露，我们预计报表将会超过市场的预期，行业有望迎来新一轮的行情。PVInsights：组件面临降价压力，多晶硅价格继续上涨
小尺寸、高消光比的低功耗硅光开关研制出炉
硅光集成是指利用CMOS工艺平台，将实现高性能调制、探测、传输和复用等功能的器件集成在同一芯片上，通过规模集成面向片上和片间光互连、高速光通信、集成传感和智能计算等提供性能更优、更具性价比的芯片和组件，其中低功耗、高性能的光开关是硅光集成在上述应用场景中需要的核心器件。 当前，硅光集成开关器件
光伏行业深度洗牌－光伏市场高品质多晶硅需求增大
光伏行业正经历一次深度洗牌。国内市场平价上网的时间节点越来越近，对降本需求更加急迫；海外市场向光伏“中国制造”展开怀抱。近日，欧盟委员会发表声明称，将结束欧盟自2013年起对中国太阳能光伏电池和组件的反倾销和反补贴措施，成熟的海外市场对优质光伏产品抱有极大的期待。在这样的市场环境下，企业对高效组
华南农大设计出飞秒光孤子脉冲二极管
记者从华南农业大学获悉，该校电子工程学院2013级光信3班邓智桂在黎永耀副教授的指导下，设计出一种基于螺旋液晶材料的异质结布拉格光栅结构，首次实现了完整飞秒孤子光脉冲（脉宽为80到120fs）单向传输的二极管效应。相关研究日前发表在《应用物理快报》。 飞秒光脉冲的操控，是超快光学中的一个核心问
美研制出能隔离光信号的硅波导
美国科学家在8月5日出版的《科学》杂志上撰文指出，他们研制出了一块新的硅基光学波导，能将硅芯片上的光信号隔离开，解决了建造光子芯片长期存在的问题，为下一代光子芯片的研制铺平了道路。 与电子芯片相比，光子芯片拥有超高速的运算速度、超大规模的信息存储容量、能量消耗小、散发热量低等优点，因此，用
《国家科学评论》：金属所发展出光控二极管
未来集成电路的发展呈现出多元化发展趋势，其中，光电芯片可实现光传输及信息处理功能，通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。二极管作为重要的基本电学元件，在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域颇具应用价值，其结构和功能十分丰富（图1）。 光
美将继续双反调查中国晶体硅光伏产品
美国国际贸易委员会14日裁定,从中国大陆和中国台湾地区进口的晶体硅光伏产品对美国相关产业造成实质性损害,美国政府将继续对此类产品进行“双反”调查。 根据美国贸易救济政策程序,美国国际贸易委员会当天的裁决意味着美国商务部可以继续对中国大陆和中国台湾地区出口的上述产品进行“双反”调查。美国商务
学者研究突破硅基芯光互连I/O器件性能
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518758.shtm
硅芯片上可集成最小量子光探测器
英国布里斯托大学的研究人员在扩展量子技术方面取得了重要突破。他们将世界上最小的量子光探测器集成到硅芯片上。相关研究发表在17日出版的《科学进步》杂志上。规模化制造高性能电子和光子学硬件是实现下一代先进信息技术的基础。然而，如果没有真正可扩展的量子技术硬件制造工艺，量子技术带来的益处将无法得到完全呈现
国标《晶体硅光伏组件回收处理方法－物理法》发布－引领光伏回收新纪元
近期，国家标准GB/T 43752-2024《晶体硅光伏组件回收处理方法 物理法》正式实施，为晶体硅光伏组件的高效回收和环境友好处理提供了严格的标准指导。 晶体硅光伏组件作为新能源产业的重要组成部分，在全球范围内得到了广泛的应用。随着技术的进步和市场的扩展，光伏组件的废弃处理问题也日益凸显。这
2024发光二极管LED展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
半导体所硅光调制器研究获新进展
高性能处理器目前普遍采用多核并行处理的架构，其性能不仅取决于处理核心的性能和数量，也取决于处理核心之间的通信效率。随着片上集成的处理核心越来越多，多核处理器对片上网络通信带宽的要求越来越高，传统金属连线实现的片上网络因其高功耗、低带宽及高延迟逐渐成为多核处理器发展的瓶颈，光互连以其低功耗、高带宽
“多晶硅电池”难以替代－环保问题为难光伏产业
“不十分严谨的说，在未来的50年里，还没有什么其它材料能够替代多晶硅而成为电子和光伏产业的主要原材料”，一名清华大学新能源领域研究员向《证券日报》记者强调这个说法并不科学，却又是不得不承认的现实。 资料显示，多晶硅在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任
只需扭一扭－光伏硅的替代品来了
研究人员找到了一种方法，通过对材料进行一点扭曲，就能获得性能提升70%的氧化铜半导体材料，有望低成本替代光伏硅材料。4月24日，相关成果发表于《自然》。氧化铜和氧化亚铜是一种价格低廉、储量丰富的半导体材料，具有良好的导电性和光学性能，可用于制造太阳能电池、光电器件、传感器等，被认为是目前主流的硅半导
近90％多晶硅企业停产光伏企业寒冬尚未过去
光伏企业的寒冬尚未过去，在光伏产业链中毛利率最高的多晶硅厂商的日子更不好过。在昨日举办的第二届IntersolarChina研讨会上，中国光伏产业联盟秘书长王勃华表示，2012年中国多晶硅产量出现负增长，停产企业数量接近90%。 中国光伏产业联盟秘书王勃华昨日向记者表示，今年前三季度，中国
数字万用表测量半导体的方法
一、二极管数字万用表二极管档开路电压约为2.8V，红表笔接正，黑表笔接负，测量时提供电流约为1mA，显示值为二极管正向压降近似值，单位是mV或V。硅二极管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二极管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二极管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V，说明
美决定对中国产晶体硅光伏电池征收双反关税
美国国际贸易委员会7日作出终裁，认定从中国进口的晶体硅光伏电池及组件实质性损害了美国相关产业，美国将对此类产品征收反倾销和反补贴(“双反”)关税。 美国国际贸易委员会当天以6票全部赞成通过此项裁定。由于美国商务部此前已终裁认定中国向美国出口的晶体硅光伏电池及组件存在倾销和补贴
高溢价剥离多晶硅－航天机电瘦身聚焦光伏电站
10月19日，航天机电(600151)发布重大资产出售预案公告，公司及全资子公司上海神舟新能源拟通过国有产权公开挂牌方式出售其各自持有的神舟硅业25.13%和4.57%的股权，合计29.70%，并由交易对方以现金方式购买。 这一举动意味着航天机电将甩掉高成本多晶硅包袱，集中力量发展盈利能力