稀磁半导体的磁学机理和物理特性
磁性离子掺入到半导体中替代部分阳离子的位 置形成稀磁半导体，通过局域自旋磁矩和载流子之间 存在强烈的自旋-自旋交换作用，在外加电场或者磁 场的影响下，会使载流子的行为发生改变，从而产生 异于半导体基质的特性。自旋-自旋交换相互作用是 DMS 材料区别于非磁半导体材料的关键，也是形成 各种磁极化子的主要原因。在 DMS 中，交换作用包 括类 s 导带电子和类 p 价带电子同磁性离子的 d 电子 间的交换作用(sp-d 交换作用)和磁性离子的 d 电子间 的交换作用(d-d 交换作用)。Soalek 等人分析了许多试验结果后发现在 Mn 基 DMS 中，决定交换积分大小的主要是最近邻 Mn2+离 子的距离。实验表明，在 DMS 中磁性离子问的交换作用是在畸变了的晶格中以阴离子为媒介的超交换作用。 负磁阻效应:磁性离子掺杂到半导体结构中形成 DMS 后，载 流子自旋和磁性离子自旋之间存在交换耦合作用，磁 性离子自旋可以产生铁磁性极化作......阅读全文
稀磁半导体的基本特性
稀磁半导体（Diluted magnetic semiconductors，DMS）是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素（transition metals，TM）取代后形成的磁性半导体。因为一般掺入的杂质浓度不高，磁性比较弱，因而叫做稀磁半导体，或者半磁半导体。因兼具有半导体和磁性的性质，即
稀磁半导体的磁学机理和物理特性
磁性离子掺入到半导体中替代部分阳离子的位 置形成稀磁半导体，通过局域自旋磁矩和载流子之间 存在强烈的自旋-自旋交换作用，在外加电场或者磁 场的影响下，会使载流子的行为发生改变，从而产生 异于半导体基质的特性。自旋-自旋交换相互作用是 DMS 材料区别于非磁半导体材料的关键，也是形成 各种磁极化子的主
稀磁性半导体的应用
稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，因兼具有半导体和磁性的性质，即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度，因而引起广泛关注，尚处于研究阶段。
稀磁性半导体的制备方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技术由于其在原子尺度上精 确控制外延膜厚、掺杂和界面平整度的特点，明显优 于液相外延法和气相外延生长法，更有利于生长高质 量DMS薄膜。采用低温分子束外延（LT-MBE）技术， 能够有效的抑制新相的析出，同时辅助以高能电子衍 射仪（RHEED），监控生长过程中的表面再
稀磁性半导体的研究进展
从根本上说主要是由于自旋电子之间的交换作用使得磁性半导体具有磁性。经常用于解释磁性半导体的磁性起源的交换作用模型有描述绝缘体中磁性的直接交换作用和超交换作用、载流子媒介交换作用和描述部分氧化物中掺杂磁性的束缚磁极化子模型。传统铁磁金属之间的铁磁耦合用直接交换作用机制来描述，而金属氧化物、硫化物、氟族
稀磁性半导体的发展前景
稀磁半导体兼具半导体和磁性材料的性质，使同时利用半导体中的电子电荷与电子自旋成为可能，为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器件提供了条件。尽管对于DMS材料应用的研究尚处于实验探索阶段，但已展示出其广阔的应用前景。如将 DMS材料用作磁性金属与半导体的界面层，实现自旋极化的载流子向非磁性半导体中的
掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析
采用水热法,以CoCl2.6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相对含量和分布的均匀性进行了研究。研究结果表明:水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌,较大的晶体具
常用铁磁半导体介绍
以下是几种铁磁半导体：掺锰的砷化铟和砷化镓（GaMnAs），居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟，不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体：1.掺锰的氧化铟，常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛：掺钴的二氧化钛，常温下
磁性半导体的发展历史
第一代磁性半导体关于磁性半导体的研究可以追溯到20世纪60年代。我们首先来简单回顾一下关于浓缩磁性半导体（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究进展。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体，例如Eu或Cr的硫族化合物：岩盐
稀糊状、稀汁样便和柏油样黑便分析
稀糊状或稀汁样便： 常因肠蠕动亢进或分泌物增多所致见于各种感染或非感染性腹泻，尤其是急性胃肠炎。小儿肠炎时肠蠕动加速，粪便很快通过肠道，以致胆绿素来不及转变为粪便胆素而呈绿色稀糊样便。遇大量黄绿色的稀汁样便并含有膜状物时应考虑到伪膜性肠炎；艾滋病伴有发肠道隐孢子虫感染时也可排也大量稀汁样便。副溶
铁磁材料在新型半导体器件中的工作原理
铁磁特性。由于氧空位的存在，许多氧化物薄膜或者纳米颗粒会表现出室温铁磁特性，而第一性原理计算表明氧化物半导体磁性产生的原因是由于其阳离子空位的存在。
中科院半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497531.shtm 自旋电子器件是解决后摩尔时代信息科学“存储墙”等瓶颈的重要选项。作为新原理器件，自旋电子器件如何通过新材料和新原理快速突破性能极限成为当务之急。近年来，亚铁磁和共线反铁磁等反铁磁
稀氨溶液的处方
浓氨溶液420ml水适量制成000ml
磁性半导体的分类
磁性半导体研究热点为主要为两类半导体：稀磁半导体、铁磁半导体。
稀氨溶液的检查方法
应符合涂剂项下有关的各项规定(通则0118)。
稀油振动筛概述
稀油振动筛处理能力大，筛分效率高；振动器采用轴承稀油润滑、外置式块偏心结构。具有激振力大，轴承负荷小、温度低，噪音小等特点（轴承温升小于35°）；振动器整体拆装，维护、更换方便，大大缩短了检修周期（更换振动器只需1～2小时）；筛机侧板采用整板冷作、无焊接、强度高使用寿命长。 横梁与侧板间联接采用
稀氨溶液的含量测定方法
精密量取本品5ml,置贮有水25m1的具塞锥形瓶中,加甲基红指示液2滴,用硫酸滴定液(0.5mol/L)滴定。每1ml硫酸滴定液(0.5mol/L)相当于17.03mg的NH3。
稀氨溶液的鉴别检查方法
鉴别取本品少量,另用玻璃棒蘸取盐酸,接近本品的液面,即发生白色的浓烟。检查应符合涂剂项下有关的各项规定(通则0118)。
稀氨溶液的基本性状
本品为无色的澄清液体;有刺激性特臭;显碱性反应相对密度本品的相对密度(通则0601)为0.955~0.962。
稀氨溶液的鉴别方法
取本品少量,另用玻璃棒蘸取盐酸,接近本品的液面,即发生白色的浓烟。
真空低温电学测试探针台的功能简介
真空低温电学测试探针台是一种用于材料科学领域的电子测量仪器，于2019年7月9日启用。 主要功能 低温探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，进行材料的凝聚态物理、磁学、低温物理、半导体物理、自旋电子学、超导材料、显示屏技
合肥研究院在有机半导体磁诱导生长和性能研究中获进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心张发培研究团队提出强磁场诱导有机材料生长的新策略，实现高性能半导体聚合物薄膜的结构调控并提高其电荷传输能力，相关研究成果分别发表在ACS Applied Materials & Interface，Journal of Materials Chem
金属氧化物半导体材料的制备、微分析及应用研究
本论文以氧化锌稀磁半导体和纳米二氧化钛光催化剂材料为研究对象,针对目前这一领域需要解决的一些问题,将表面微分析技术应用于它们的研究。一方面,探求了制备条件与材料组成、微结构、形貌以及性能的关系；另一方面,研究了载体、外加磁场等对纳米二氧化钛光催化性质的影响,并成功制备了具有实际应用前景的新型阳离子聚
稀氨溶液的类别及贮藏方法
类别刺激药。贮藏密封,在30℃以下保存。
稀氨溶液的性状鉴别检查方法
性状本品为无色的澄清液体;有刺激性特臭;显碱性反应相对密度本品的相对密度(通则0601)为0.955~0.962鉴别取本品少量,另用玻璃棒蘸取盐酸,接近本品的液面,即发生白色的浓烟。检查应符合涂剂项下有关的各项规定(通则0118)。
稀戊二醛溶液的类别规格
类别同浓戊二醛溶液规格2%
稀戊二醛溶液的检查方法
pH值应为3.0~4.0(通则0631)装量取本品,依法检查(通则0942),应符合规定。微生物限度取本品,照非无菌产品微生物限度检查微生物计数法(通则1105)和控制菌检查法(通则1106)及非无菌药品微生物限度标准(通则1107)检查,应符合规定。
稀葡萄糖酸氯己定溶液
性状本品为无色至淡黄色的液体;味香鉴别(1)取本品2ml,加热的1%溴化十六烷基三甲铵溶液5ml,加溴试液与氢氧化钠试液各1ml,即显深红色。(2)取本品2ml,加水2ml与硫酸铜试液5滴,即生成沉淀,煮沸使沉淀凝聚,显淡紫色。3)取本品2ml,加水2ml与三氯化铁试液0.5ml,缓缓加热至沸,即显
半导体所在反转能带半导体表面磁性全电控制方面取得进展
在国家基金委和中科院创新工程的支持下，半导体研究所常凯研究员和博士生朱家骥与美国斯坦福大学物理系张首晟教授合作，从理论上研究了BiSe等材料表面磁性全电控制的可能性。 通过控制载流子浓度以控制材料磁性是半导体自旋电子学领域的一个重要研究方向。这种控制方案已经在稀磁半导体GaM
物理所宽禁带半导体磁性起源研究取得新进展
中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）陈小龙研究员及其领导的功能晶体研究与应用中心一直致力于宽禁带半导体磁性起源问题的研究。最近，他们从实验和理论上证明了双空位导致磁性，首次在实验上给出了直接证据，为通过缺陷工程调控宽禁带半导体的磁性提供了实验基础，相应结果发表在Phy