反铁磁多层膜全电学调控实现
安徽大学王守国教授团队实现了外延应力下超薄反铁磁多层膜中垂直交换偏置的全电学调控。相关研究成果日前发表在《自然·通讯》上。交换偏置效应起源于铁磁/反铁磁界面处的交换相互作用，体现为磁滞回线沿外磁场方向的偏移。其在具有垂直磁各向异性的多层膜体系中的有效调控，对于构建高密度、高速度及高能效的新型磁存储和逻辑器件具有重要意义。作为传统的调控手段，通过“场冷过程”实现钉扎方向的重新取向需要外磁场参与，并提升器件温度，不利于实际应用。而通过电流驱动交换偏置的翻转则成为更加理想的手段。但此前在具有垂直磁各向异性的多层膜体系中，该过程始终依赖于外磁场。因此，如何实现交换偏置效应的“全电学调控”就成为基于反铁磁多层膜体系构建新型自旋电子学器件的关键问题之一。基于此，王守国教授团队利用超高真空分子束外延系统，成功制备具有垂直磁各向异性的单晶外延多层膜。该体系在反铁磁层厚度仅为2纳米时仍具有较强的室温交换偏置效应。此外，研究团队通过多种晶体结构表征......阅读全文
磁控溅射技术设计合成ZrN/WN和CrN/ZrN纳米多层膜
本文在Si（100）基底表面上分别利用超高真空射频磁控溅射技术（ultra-high vacuum rf magnetron sputtering system）设计合成ZrN／WN纳米多层膜，利用非平衡直流磁控双靶交替反应溅射技术（unbalanced dual-cathode dc reacti
铁磁谐振告警信号出现的不同规律
告警信号出现的不同规律 在中性点经消弧线圈接地系统中，单相接地不会导致保护出口跳闸来切除故障，因此也不会出现重合闸动作信号，并且由于消弧线圈的补偿作用，较小的短路电流不至于烧损导线或电缆而发展为断线故障。按照调度规程的要求，单相接地故障可有2h的处理时间。虽然弧光接地所引起的过电压可能导致消弧
电压互感器的铁磁谐振
磁铁谐振的产生是在进行操作或系统发生故障时，由于铁心饱和而引起的一种跃变过程，电网中发生的铁磁谐振分为并联铁磁谐振和串联铁磁谐振。 主要特点 1）对于铁磁谐振电路，在相同的电源电势作用下回路可能不只一种稳定的工作状态。电路到底稳定在哪种工作状态要看外界冲击引起的过渡过程的情况。 2)PT的
X射线诱导产生单个零场斯格明子及其二维“人工晶体”
磁斯格明子具有尺寸小和易电流驱动的优点，被认为可以应用于下一代高能效、高密度的磁性存储器当中。而斯格明子的精确产生则是进一步研究斯格明子物理特性及相关器件的前提。最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M02课题组的光耀、刘艺舟、特聘研究员于国强、研究员韩秀峰等人
研究揭示磁近邻效应和界面电荷转移诱导的层状铁磁结构
钙钛矿镍氧化物作为典型的关联电子体系，表现出金属-绝缘体相变、拓扑结构相变等物性。近期，由于112相和327相镍基超导体系的陆续发现，更使得镍氧化物成为功能氧化物材料/器件研究领域的热点。通常，钙钛矿镍氧化物随着温度的降低而发生金属-绝缘体相变，并伴随着磁性的顺磁-反铁磁相变。而LaNiO3成为钙钛
研究揭示磁近邻效应和界面电荷转移诱导的层状铁磁结构
钙钛矿镍氧化物作为典型的关联电子体系，表现出金属-绝缘体相变、拓扑结构相变等物性。近期，由于112相和327相镍基超导体系的陆续发现，更使得镍氧化物成为功能氧化物材料/器件研究领域的热点。通常，钙钛矿镍氧化物随着温度的降低而发生金属-绝缘体相变，并伴随着磁性的顺磁-反铁磁相变。而LaNiO3成为钙钛
高温超导技术在微磁传感器中的应用（三）
在这个结构中，GMR传感器是NiFe 层耦合CoFe层，硬磁层由反铁磁性层（如IrMn，MnPt）耦合铁磁性层（CoFe）。整个层结构的电阻随两个层的磁化轴之间的角度变化，工业条件下制作的150 mm的晶片上可以得到6%/mT—8%/mT 的电阻变化，微米尺寸的MR传感器可以得到5%
铁磁绝缘体中磁子输运性质的全电学方法研究获进展
磁性存储和磁逻辑等自旋电子学器件的核心在于自旋信息的传递，特别是自旋信息的产生、操控和探测是自旋电子学领域的一个基本问题。现有的自旋电子学中自旋信息主要依赖金属中的传导电子，一个非常有趣的问题是，是否有其他粒子甚至是准粒子可以作为自旋信息的载体？作为铁磁体中低能激发态的准粒子——磁子，是一种玻色
中子散射技术确定铁硒超导体磁基态
复旦大学物理系赵俊课题组利用中子散射技术在铁硒（FeSe）超导体中首次观测到了一种新奇的自旋为1的向列性量子无序顺磁态，这一磁基态的发现对理解FeSe类高温超导机理提供了新的角度，相关研究成果7月19日发表于《自然—通讯》。 超导电性是指在某一温度之下材料的电阻完全消失的现象。高温超导电性往往
铁磁材料居里温度测试实验仪功能作用
磁性材料在电力、通讯、电子仪器、汽车、计算机和信息存储等域有着十分广泛的应用，近年来已成为促新技术发展和当代文明步不可替代的材料，因此在大学物理实验开设关于磁性材料的基本性质的研究显得尤为重要。居里温度是表征磁性材料基本性的物理量．反映了磁性材料由铁磁性转变为顺磁性的相变温度． 本实验仪器根据铁
膜厚仪的特点及技术参数
膜厚仪又叫膜厚计、膜厚测试仪，分为磁感应镀层测厚仪，电涡流镀层测厚仪，荧光X射线仪镀层测厚仪。 采用磁感应原理时，利用从测头经过非铁磁覆层而流入铁磁基体的磁通的大小，来测定覆层厚度。也可以测定与之对应的磁阻的大小，来表示其覆层厚度。 可应用于在线膜厚测量,测氧化物,SiNx,感光保护膜和半导体膜.也
高温超导技术在微磁传感器中的应用（二）
目前，对高温SQUID的研究主要集中在两个方面： 一是高温超导SQUID基本理论的研究，主要指高温超导SQUID 电压与电流特性，电压与磁通之间的变换系数等数值仿真；二是各种高温超导SQUID 器件的研制以及在相关领域实现对微弱磁场信号的检测。近几年，超导薄膜技术的提高使得薄膜质量有显著提高，将超导
层状反铁电材料首次获得本征六重极化态
近期，西安交通大学与中国科学技术大学、湖南师范大学、南京大学等单位合作，在二维层状反铁电材料实验研究中取得进展，在该体系中首次获得本征六重极化态，提出了垂直铁电/反铁电畴堆叠耦合实现的本征六态和四态机制。近期该成果在线发表于《自然-通讯》上。在该研究中，研究团队利用化学气相输运法成功合成了高质量二维
福建物构所无金属反铁电分子材料研究获进展
反铁电材料具有独特的电偶极子反平行排列结构，在温度或电场作用下表现出丰富的结构相变与临界物理性能，在高功率电容器、固态制冷和能量存储器件等方面展现出广阔的应用前景。作为铁性材料家族的重要组成，反铁电分子材料由于易裁剪、易加工、环境友好以及生物相容性突出等特点引起了人们的关注。但受制于反铁电材料自
铁磁材料在新型半导体器件中的工作原理
铁磁特性。由于氧空位的存在，许多氧化物薄膜或者纳米颗粒会表现出室温铁磁特性，而第一性原理计算表明氧化物半导体磁性产生的原因是由于其阳离子空位的存在。
膜的浓差极化对反渗纯水设备的影响
在反渗透过程中，由于膜的选择渗透性，溶剂（通常为水）从高压侧透过膜，而溶质被膜截留，其浓度在膜表面处升高；同时发生从膜表面向 本体的回扩散，当这两种传质过程达到动态平衡时，膜 表面处的浓度。：高于主体溶液浓度C1，这种现象称为浓 差极化。上述两种浓度的。比率C1/C2，称为浓差极化度。根据薄膜理论模
科学家发现制备室温下获得二维铁磁半导体新方法
《中国科学报》从湖北工业大学获悉，日前该校Hong Jeongmin教授团队在《自然》子刊“npj-自旋电子学”发表了自旋电子学领域取得的最新成果，论文题目为“用二硫化钼（MoS2）制备室温光敏铁磁半导体”。湖北工业大学理学院、芯片产业学院青年教师陆晶晶为第一作者，Hong Jeongmin教授为论
磁纳米探针检测人绒毛膜促性腺激素
【摘要】 采用链霉亲和素包被磁纳米粒子，将生物素标记的特异性抗体偶联在磁纳米粒子上，制备出高特异性的磁纳米探针；利用此探针对人绒毛膜促性腺激素（HCG）进行测定，建立了定量检测蛋白类激素的化学发光分析方法。利用紫外可见分光光度计、透射电镜及动态检验地带网光散射仪对磁纳米探针进行表征，同时对化学发光
物理所等发现高压诱导的磁性量子临界点和MnP超导电性
近年来的大量研究表明，量子临界性是强关联电子体系中诸多反常物理现象的共通性特征。对于目前已知的很多非常规超导体系，包括重费米子、铜基和铁基超导体，它们的超导相图Tsc(δ=调控参量)都可以在反铁磁量子临界点的框架下得到统一的理解，即超导的出现往往伴随着反铁磁序的消失，而且圆拱状Tsc(δ)的最佳
离子束辅助沉积ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN纳米多层膜的研究
本文利用超高真空离子束辅助沉积技术在Si(100)基底上设计合成ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN纳米多层膜。利用表面轮廓仪和纳米力学测试系统研究薄膜的机械性能,包括表面硬度、弹性模量以及薄膜与基底的附着力;还通过X射线衍射(XRD),俄歇电子能谱仪(AES)和扫描电子显微镜(SEM)等分析手
我国科学家自主研发强磁场磁力显微镜－可识破电子相
LaCa0.33MnO3单晶薄膜样品在160 K低温下的变磁场循环MFM图像。 一直以来，科学家对锰氧化物的庞磁电阻（CMR）效应研究始终保持高昂热情。 所谓的庞磁电阻（CMR）效应，就是指随着外加磁场的改变，锰氧化物电阻急剧变化。而恰恰锰氧化物这一特性，能够使其具有成为新一代高密度磁存储材
物理所等在CrAs螺旋磁有序量子临界点研究中取得进展
CrAs是具有螺旋反铁磁序的关联金属。常压下，CrAs具有“MnP”型正交晶体结构，随着温度降低，在TN ≈ 265 K会发生一级的顺磁-反铁磁相变，形成双螺旋反铁磁结构，即Cr离子自旋(~1.7μB)躺在ab平面内旋转，螺旋传播方向沿着c轴。实验还发现，螺旋反铁磁相变还同时伴随着等结构转变，即
自旋塞贝克效应与反常能斯特效应研究获进展
热自旋电子学亦称自旋卡诺电子学，作为自旋电子学的一个重要分支，因在微电子器件废热再利用等方面的应用前景而迅速兴起。其中，自旋塞贝克效应(SSE)、自旋依赖的塞贝克效应(SDSE)、反常能斯特效应(ANE)等与自旋相关热电效应，因其背后扑朔迷离的物理机制，而备受关注。Uchida等人【Nature
超导材料的自旋涨落和电子平带结构研究获进展
美国莱斯大学教授戴鹏程、博士李钰，以及北京师范大学教授殷志平课题组与中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员沈大伟和副研究员刘中灏等课题组开展合作研究，利用中子散射、角分辨光电子能谱实验测量和动力学平均场理论计算，对高质量的SrCo2As2单晶的自旋涨落和电子能带结构进行研究，首次提供了该材料
超导材料的自旋涨落和电子平带结构研究获进展
美国莱斯大学教授戴鹏程、博士李钰，以及北京师范大学教授殷志平课题组与中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员沈大伟和副研究员刘中灏等课题组开展合作研究，利用中子散射、角分辨光电子能谱实验测量和动力学平均场理论计算，对高质量的SrCo2As2单晶的自旋涨落和电子能带结构进行研究，首次提供了该材料
外尔费米子与铁磁自旋波共舞研究获进展
外尔半金属的费米面有且仅有孤立的能带交叉点构成，因而其低能激发的准粒子可以用描述外尔费米子的外尔方程来刻画，具有外尔费米子的零质量、确定手性等特征。虽然自由粒子形式的外尔费米子至今未能被实验确认，但在外尔半金属中却能够实现外尔费米子形式的准粒子，这为研究外尔费米子的行为提供了新途径。固体中的外尔
全氮化物铁磁/超导界面近邻效应研究获进展
超导体（S）和铁磁体（F）之间的界面是凝聚态物理研究的热点。二者界面耦合产生了较多有趣的物理现象。S/F界面的磁近邻效应是由界面两侧的电子自旋之间的交换相互作用，导致抑制磁序或出现非传统超导电性。当磁性材料靠近超导体时，磁场进入超导体内仅几纳米的区域并破坏库珀对，致使界面的超导行为发生空间变化，影响
中科院半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497531.shtm 自旋电子器件是解决后摩尔时代信息科学“存储墙”等瓶颈的重要选项。作为新原理器件，自旋电子器件如何通过新材料和新原理快速突破性能极限成为当务之急。近年来，亚铁磁和共线反铁磁等反铁磁
吹膜机的多层共挤
为了满足生产过程中对塑料薄膜包装材料一些特殊功能的需要，将多种特性材料（如透气、防水、保温、韧性等）吹膜并共挤在一起，形成多功能的塑料薄膜，发展了多层共挤吹膜机。多层共挤吹膜机的目的就是发挥多种材料的优点，规避单种材料或者单层吹膜机的一些缺点。 比如PP、PE的共挤吹膜机，正是利用了PP材料硬
多层土工布测厚仪
【工作原理】：不对多层试样的每层进行机械分离，在规定的压力下测量试样各单层的厚度，预先须按GB/T 13761的要求测定多层产品总厚度的平均值【符合标准】：GB/T 17598【技术参数】：装置应由带固定下平板和相同尺寸的可移动上平板的的框架构成上下平板应为矩形上平板应能在其行程的任意位置上固定上平