美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研究的领导者、密歇根理工大学的物理学家叶跃进(音译)表示：“以目前的技术发展形势看，10年到20年间，这种晶体管不可能变得更小。半导体还有另一个先天不足，即会以热的形式浪费大量能源。” 科学家们尝试使用不同材料和半导体设计方法来解决上述问题，但都与硅等半导体有关。2007年，叶跃进开始另辟蹊径，制造没有半导体的晶体管。叶跃进说：“我的想法是用纳米尺度的绝缘体并在其顶部安放纳米金属来制造晶体管，我们选择了氮化硼碳纳米管(BNNTs)做基座。”随后，他们使用激光，将直径为3纳米宽的金量子点(QDs)置于氮化硼碳纳米管顶端，形成了量子点—氮化硼碳纳米管(QDs- BN......阅读全文
科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效
二维半导体材料家族又有“小鲜肉”
据美国犹他大学官网消息，该校工程师最新发现一种新型二维半导体材料一氧化锡（SnO），这种单层材料的厚度仅为一个原子大小，可用于制备电子设备内不可或缺的晶体管。研究人员表示，最新研究有助于科学家们研制出运行速度更快且能耗更低的计算机和包括智能手机在内的移动设备。 一氧化锡这个“小鲜肉”由犹他大学
科学家研制出新型量子晶体管
记者日前从中科大获悉：该校郭国平教授研究组与日本科学家合作，首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。最新一期国际权威学术期刊《科学·进展》发表了该成果。 经过几十年发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管，已成为制备量
高效有机双极晶体管工作频率首次达到千兆赫兹
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/6/481626.shtm 科技日报北京6月26日电 （记者刘霞）德国科学家在最新一期《自然》杂志上发表论文称，他们首次成功演示了一款高效的有机双极晶体管，其关键是使用高度有序的纤薄有机层。新晶体管的运行速
科学家用天然棉纤维造出晶体管
据美国物理学家组织网10月27日报道，美国、法国和意大利科学家组成的国际科研团队使用天然棉纤维制造出了晶体管，为在不远的将来制造出整合有电子产品的、更智能功能更强大而多样的服装铺平了道路。 该研究由美国康奈尔大学的纤维科学家、意大利博洛尼亚大学的物理学家和意大利卡利亚里大学的工程师们以及法
基于量子干涉的单分子晶体管面世
英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子晶体管，利用量子干涉来控制电子流。这一成果为在电子设备中使用量子效应带来了新的可能性，有望催生比现有设备更小、更快、更节能的新型晶体管，以制造新一代电子设备。相关论文发表于25日出版的《自然·纳米技术》杂志。研究示意图 晶体管是现代电子技
迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管
据美国趣味科学网站14日报道，美国芯片初创企业Cerebras Systems推出了全新的5纳米级“晶圆级引擎3”（WSE-3）芯片。该公司官网称，这是目前世界上运行速度最快的人工智能（AI）芯片，将此前纪录提高了1倍。WSE-3拥有4万亿个晶体管，也使其成为迄今最大的计算机芯片，专门用于训练大型A
全碳运算元件有望取代硅晶体管
据物理学家组织网近日报道，美国科学家提出一种完全用碳制成运算元件的设计方案。他们表示，这一元件未来能被制造得比硅晶体管更小，且性能更好，有望替代硅晶体管，大大提升计算机的运算速度。研究发表在最新一期的《自然·通讯》杂志上。 现有电子设备离不开晶体管，这种微小的硅结构器件类似开关，能打开和关闭电
新方法“刻”出最快柔性硅晶体管
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科研团队，在20日出版的《科学报告》杂志上撰文称，他们使用一种独特方法，研制出了处理速度最快的柔性硅基晶体管，能无线传输数据和能量，有望用在包括可穿戴电子设备和传感器等在内的诸多领域。 目前这一柔性硅晶体管的截止频率为创纪录的38吉赫兹（GHz），而模拟表明，其最
意美联合研发高效有机发光敏晶体管
近日，意美科学家联合研制出新的有机发光敏晶体管（OLET），其发光效率是采用相同发射层的优化有机发光二极管（OLED）的2倍。相关研究成果发表在近期的《纳米·材料学》杂志上。 近年来，OLED技术在手机、MP3、数码相机甚至电视上得到了越来越多的应用，颇有取代液晶显示器的趋势
由单光子控制的全光晶体管问世
据物理学家组织网7月4日报道，美国麻省理工学院(MIT)电子研究实验室(RLE)、哈佛大学以及奥地利维也纳技术大学的科学家们在最新一期《科学》杂志撰文指出，他们研制出了一种由单个光子控制的全光开关，新的全光晶体管有望让传统计算机和量子计算机都受益。 新的全光开关的核心是一对高度反
新型纳米晶体管可直接探测细胞内部
据美国物理学家组织网、英国《自然》杂志网站8月12日报道，美国哈佛大学化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管，外膜覆有一层磷脂双分子层，能非常容易地进入细胞内部进行检测，而不会对细胞造成任何可见伤害。 这种新设备称为纳米级场效应传感器或纳米FETs，在本周出版的《
新方法“刻”出最快柔性硅晶体管
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科研团队，在4月20日出版的《科学报告》杂志上撰文称，他们使用一种独特方法，研制出了处理速度最快的柔性硅基晶体管，能无线传输数据和能量，有望用在包括可穿戴电子设备和传感器等在内的诸多领域。 目前这一柔性硅晶体管的截止频率为创纪录的38吉赫兹（GHz），而模拟表明，其
迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519270.shtm
Tektronix370B泰克晶体管图示仪
泰克370B是一种高性能的，GPIB可编程的数字存储曲线示踪器，提供静态和动态的半导体器件测量。该仪器刺激、测量和显示各种二、三、四端器件的半导体特性；包括双极晶体管、场效应晶体管、硅控制整流器、二极管、晶闸管、光隔离器、晶片和集成电路。可以使用接地发射器或接地底座配置进行各种测量。集电器电源产生交
金属所等发明热发射极晶体管
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有
n型单组分光晶体管研究获进展
有机半导体材料的发展推动其在可穿戴电子、人工视觉与神经形态计算等前沿技术中的应用。随着新兴技术对光电器件提出更高要求，以异质结构为核心的光晶体管逐渐暴露出结构复杂、可重复性差、激子解离效率低、n型材料库有限等问题，难以适应高集成度与多功能化的发展趋势。相比之下，基于单组分活性层的光晶体管有望简化器件
金属所等发明热发射极晶体管
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体
泰克Tektronix－370A晶体管测试仪
泰克Tektronix 370A晶体管测试仪附加的功能：半导体器件的高精度测量高达 2000 伏或 10 安的电源高达 220 瓦1 纳安测量分辨率低至 2 毫伏的测量分辨率波形比较信封显示波形平均点光标开尔文感应测量完全可编程3.5 英寸 MS DOS 兼容磁盘存储，用于保存和调用设置泰克 370
晶体管特性图示仪抗干扰能力强
晶体管特性图示仪是与GSX-J2458型教学示波器或GSX-J2459型学生示波器组合成一套专用测试晶体管特性的专用仪器，它能在示波器荧屏上直观地显示出小功率晶体三极管、二极管的特性曲线簇，通过荧屏的标尺刻度读出被测晶体管的各项参数，该仪器还可以与其它类型的专业示波器配套使用。 仪器采用晶
德国开发出世界最小单原子晶体管
德国卡尔斯鲁厄理工学院托马斯·希梅尔教授领导的团队开发出了单原子晶体管——一种利用电流控制单个原子位移实现开关的量子电子元件。单原子晶体管可在室温下操作，并消耗很少电能，这为未来信息技术开辟了新的应用前景。这项成果已被刊登在《先进材料》杂志上。 数字化对能源有巨大需求，在工业化国家中，信息技术
简介功率场效应晶体管的特性
功率场效应晶体管及其特性 一、 功率场效应晶体管是 电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是 V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为 VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在 功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫 TMOS管，它是
澳研制出完美的单原子晶体管
据英国《新科学家》杂志2月20日(北京时间)报道，澳大利亚科学家表示，他们研制出一种单原子晶体管，其由蚀刻在硅晶体内的单个磷原子组成，拥有控制电流的门电路和原子层级的金属接触，有望成为下一代量子计算机的基础元件。研究发表在2月19日出版的《自然·纳米技术》杂志上。 在最新研究中，科学家们利
基于量子干涉的单分子晶体管面世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519862.shtm
氧化镓功率电子器件领域新进展，入选ISPSD
近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD，全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域国际顶级
半导体设备展会|2024上海国际半导体清洗设备展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体设备展会|2024上海国际半导体氧化设备展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体设备展会|2024上海国际半导体扩散设备展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体封装展2024中国上海半导体封装测试展览会「半导体展会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
半导体展会|2024上海封装基板半导体材料与设备展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际