意美联合研发高效有机发光敏晶体管
近日，意美科学家联合研制出新的有机发光敏晶体管（OLET），其发光效率是采用相同发射层的优化有机发光二极管（OLED）的2倍。相关研究成果发表在近期的《纳米·材料学》杂志上。 近年来，OLED技术在手机、MP3、数码相机甚至电视上得到了越来越多的应用，颇有取代液晶显示器的趋势。不过，由于OLED的二极管结构，难以避免激子湮灭和光子损失现象，因此效率和亮度都受到了限制。现在，意大利和美国的研究人员研究发现，拥有晶体管结构而不是二极管结构的有机半导体设备—OLET比OLED更高效。 这一新OLET由意大利纳米材料研究院拉法艾拉·卡佩里领导的研究团队和美国保尔佳公司的研究人员合作研制，其发光效率达到了5%。而迄今为止基于荧光发射设备的OLED的最大发光效率仅为2.2%。 研究人员将新研发的OLET称为三层场效应OLET，因为其由三层有机半导体材料组成：最上面是15纳米厚的P沟道层，控制光通过的量；中......阅读全文
意美联合研发高效有机发光敏晶体管
近日，意美科学家联合研制出新的有机发光敏晶体管（OLET），其发光效率是采用相同发射层的优化有机发光二极管（OLED）的2倍。相关研究成果发表在近期的《纳米·材料学》杂志上。 近年来，OLED技术在手机、MP3、数码相机甚至电视上得到了越来越多的应用，颇有取代液晶显示器的趋势
我国学者在这一品种有机材料方面获进展
有机发光场效应晶体管器件（organic light-emitting transistor, OLET）是在同一器件中集成了有机场效应晶体管和有机发光二极管两种器件功能的新型有机光电子集成器件，兼具场效应晶体管的开关与信号放大功能和二极管的发光显示功能，是实现下一代变革性柔性显示技术、有机电泵
半导体二极管激光器的应用
半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及
半导体二极管激光器的特性
(1) 体积小，重量轻；(2) 驱动功率和电流较低；(3) 效率高、工作寿命长；(4) 可直接电调制；(5) 易于与各种光电子器件实现光电子集成；(6) 与半导体制造技术兼容；可大批量生产。由于这些特点，半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。成为世界上发展最快、应用最广泛、最早走出实
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
半导体二极管激光器的工作条件
半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件：（1）要产生足够的 粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数；（2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。半导体激光器
新技术可将半导体拉成纤维状二极管
据美国物理学家组织网近日报道，二极管是现代电子设备中的核心元件，麻省理工大学研究人员成功制造出一种具有二极管功能的精细纤维，并提供了一种将普通自旋半导体材料拉成纤维的工艺技术，有望给未来的高精电子设备和光子设备开辟一条制造新途径。该研究发表在近日出版的《美国国家科学院院刊》上。 新材料拉成复合
用半导体器件实验箱做二极管特性实验
一、实验目的：1、验证晶体二极管的单向导电特性。2、学会测量晶体二极管的伏安特性曲线。3、掌握几种常用特种功能二极管的性能和使用方法。二、实验前准备：1、复习晶体二极管结构和伏安特性。2、阅读光电二极管、发光二极管和稳压管的特性和使用范围。3、复习用万用表测量晶体二极管的方法。阅读用图示仪测试晶体二
半导体二极管激光器的技术优势
激光二极体的优点有：效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也达到数15%~25%，总而言之能量效率高是其最大特色。另外，它的连续输出波长涵盖了红外线到可见光范围，而光脉冲输出达50W（脉宽100ns）等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激发光源可说是非常容易
半导体二极管激光器的基本条件
半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件：（1）要产生足够的 粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数；（2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。半导体激光器
半导体二极管激光器的技术特点和应用
半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及
什么二极管可以代替肖基特二极管
一、在满足耐压，整流电流，没有特殊要求情况下可以使肖特基二极管与快速恢复二极管互换。 二、肖特基二极管的简单介绍： 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电
快恢复二极管与肖特基二极管有什么区别？
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。 肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上
肖特基二极管和稳压二极管有什么区别
肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约
如何检测二极管
1、检测小功率晶体二极管A.判别正、负电极(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负
激光二极管简介
激光二极管：激光二极管是当前最为常用的激光器之一，在二极管的PN结两侧电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，
半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
肖特基二极管和整流二极管区别在哪里
肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别？
对于高频开关电源来说,由于频率很高(相位变换)当正半周时二极管正篇导通此时无影响,如果肖特基二极管反向恢复比较慢时,当负半周到来由于肖特基二极管还没有从正偏时的导通状态变成截止相当于短路就等于是负半周的电压与正半周的电压叠加在肖特基二极管两端,由于频率很快,反向的时间就很短(等同与短路时间很短
肖基特二极管和开关二极管的区别
1:开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别详解
肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管它是具有
半导体展会2024上海半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2025深圳半导体展会|半导体材料展会|半导体设备展会|
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
肖特基二极管的结构
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又
二极管的检测方法
检测小功率晶体二极管A.判别正、负电极(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
单分子二极管问世
美国哥伦比亚大学应用物理学副教授拉莎·文卡塔拉曼指导的研究团队开发了一种新技术，成功创建出首个单分子二极管，其性能比之前所有设计的要高50倍，有望在纳米器件领域获得实际应用。论文发表在5月25日的《自然·纳米技术》杂志上。 单分子器件是电子设备微型化的极致。亚利耶·艾佛莱姆和马克·瑞特在197
肖特基二极管的应用
肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管，像肖特基二极管，TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。除了普通PN结肖特基二
肖特基二极管的原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩
全国官宣/半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
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