科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效应等优势，是下一代集成电路芯片的理想沟道材料。然而，二维半导体沟道材料缺少与之匹配的高质量栅介质材料，导致二维晶体管实际性能与理论存在较大差异。研究团队开发了单晶金属插层氧化技术，在室温下实现单晶氧化铝（c-Al2O3）栅介质材料晶圆制备，并应用于先进二维低功耗芯片的开发。以锗基石墨烯晶圆作为预沉积衬底生长单晶金属Al（111），利用石墨烯与单晶金属Al（111）之间较弱的范德华作用力，研究人员实现了4英寸单晶金属Al（111）晶圆无损剥离，剥离后单晶金属Al（111）表面呈现无缺陷的原子级平整。在极低的氧气氛围下，氧原子可控的、逐层......阅读全文
半导体产业的根基：晶圆是什么？
在半导体的新闻中，总是会提到以尺寸标示的晶圆厂，如 8 寸或是 12 寸晶圆厂，然而，所谓的晶圆到底是什么东西？其中 8 寸指的是什么部分？要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢？以下将逐步介绍半导体最重要的基础——“晶圆”到底是什么。 何谓晶圆？ 晶圆（wafer），是制造各式电脑芯
晶圆清洗设备的两种形式
按照清洗方式的不同，清洗设备可分为两种，分别是单片式和槽式。 一、单片式清洗机是由几个清洗腔体组成，再通过机械手将每一片晶圆送至各个腔体中进行单独的喷淋式清洗，清洗效果较好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，但缺点是清洗效率较低，成本偏高。 二、槽式清洗机是将晶圆放在花篮中，再利用机械手依次
2024晶圆制造展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024硅晶圆展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（三）
4. 抛光(Lapping)：因为刚刚切下来的wafer，表面一定有很多损伤，而且表面粗糙，所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平，所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。 5. 湿法蚀刻(wet etch)：因为刚才的抛光还是机械的磨平，所以还是无法完全去除损伤
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（二）
1. 多晶硅提纯： 先是沙子(SiO2)与碳在高温下(2000C)置换反应，生成硅和CO2。此时的硅为冶金级别的(MGS: Metallic Grade Silicon)，也就是粗制的多晶硅。 然后再用MGS的硅与HCl在300C下反应生成TCS(SiHCl3)，然后经过过滤和冷凝可
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（一）
我们所讲的半导体制造，它的载体一定是晶圆(Wafer)，这个东西是怎么来的？我们今天就来好好讲讲。 前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了，我们的Si一定都是单晶晶格的，而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出电子或空穴而参与导电，如果我们用了多晶或者非晶，这
－晶圆制造及封装展|2024上海国际硅晶圆及IC封装载板展览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
上海：“科技创新行动计划”先进材料领域技术攻关项目申报指南通知
关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”先进材料领域技术攻关项目申报指南的通知科指南〔2024〕21号 各有关单位： 为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会特发布2024年度“科技
Intel展示Tiger－Lake晶圆，核心面积增大20％
CES 2020大展上Intel首次公开了下一代移动平台Tiger Lake（或将命名为十一代酷睿）的部分细节，采用10nm＋工艺，集成新的Willow Cove CPU核心、Xe LP GPU核心，IPC性能提升超过两位数，同时大大增强AI性能。在会后的内部展示上，Intel首次拿出了Ti
扩大功率半导体产能，全球再添一座12英寸晶圆厂
近日，东芝电子元件及存储装置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，将在日本石川县的主要分立半导体生产基地（加贺东芝电子公司）建造一座新的300毫米晶圆制造工厂，用于生产功率半导体。Source：东芝官网 据介绍，该晶圆厂的
一文读懂IC设计/晶圆/纳米制程/封装都是啥？（一）
大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必
晶圆检测显微镜OLYMPUS－MX63L
晶圆检测显微镜OLYMPUS MX63L 进入21世纪以来，电子产品的发展速度日新月异，电子产品被设计的越来越小，功能越来越强大，这离不开高精尖的技术支持，芯片的大小决定了我们的电子产品的大小，薄厚等做工，芯片的都厉不拍晶圆片作为载体俗称硅片。 硅片的发展从4寸到6寸，再到现在的8
【解决方案】不可思议的晶圆厚度测量
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林费迪南德布劳恩研究所生产的半导体激光和高频放大器晶圆必须达到一个极度精密的层厚度。洁净室工人使用WERTH多传感器坐标测量机监督这个过程。该机配有色差传感器，的无接触捕捉所需的测量元素。 在柏林的费迪南德
主办EXPO－2024上海晶圆级封装展官网」
展会名称：2024中国(上海)国际电子封装测试展览会英文名称：China (Shanghai) International Electronic Packaging and Testing Exhibition 2024大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）展会时间：2024年11月
晶圆推力测试机半导体推拉力测试机
芯片推拉力测试机具有测试动作迅速、准确、适用面广的特点，被广泛应用于半导体封装、光通讯器材件封装、LED封装、COB/COG工艺测试、研究所材料力学研究、材料可靠性测试等应用领域。能满足包含有：金属、铜线、合金线、铝线、铝带等拉力测试、金球、铜球、锡球、晶圆、芯片、贴片元件等推力测试、锡球、Bump
Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制
Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制 MKS 提供了多种高性能的、适用于晶圆检测工具和其他运动控制应用的空气轴承位移台 , 经验丰富的 MKS/Newport 应用工程师与 OEM 客户合作，为正在开发的半导体制造过程提供专门的自动化运动控制解决方案，下文描述这些系统中用于提高精度和
EVG－510晶圆键合机有哪些特征？
EVG 510-晶圆键合机（晶圆键合机）是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。
多晶,单晶及非晶衍射花样的特征及形成原理
单晶花样是一个零层二维倒易截面，其倒易点规则排列，具有明显对称性，且处于二维网格的格点上。多晶面的衍射花样为各衍射圆锥与垂直入射束方向的荧光屏或者照相底片的相交线，为一系列同心圆环。每一族衍射晶面对应的倒易点分布集合而成一半径为1/d的倒易球面，与Ewald球的相贯线为圆环，因此样品各晶粒{hkl}
多晶，单晶及非晶衍射花样的特征及形成原理
简要说明多晶（纳米晶体），单晶及非晶衍射花样的特征及形成原理：单晶花样是一个零层二维倒易截面，其倒易点规则排列，具有明显对称性，且处于二维网格的格点上。多晶面的衍射花样为各衍射圆锥与垂直入射束方向的荧光屏或者照相底片的相交线，为一系列同心圆环。每一族衍射晶面对应的倒易点分布集合而成一半径为1/d的倒
多晶、单晶及非晶衍射花样的特征及形成原理
单晶花样是一个零层二维倒易截面，其倒易点规则排列，具有明显对称性，且处于二维网格的格点上。 多晶面的衍射花样为各衍射圆锥与垂直入射束方向的荧光屏或者照相底片的相交线，为一系列同心圆环。每一族衍射晶面对应的倒易点分布集合而成一半径为1/d的倒易球面，与Ewald球的相贯线为圆环，因此样品各晶粒{
金属氧化物的概念
金属氧化物是指氧元素与另外一种金属化学元素组成的二元化合物，如氧化铁（Fe₂O₃）、氧化钠（Na₂O）等。氧化物包括碱性氧化物、酸性氧化物、过氧化物、超氧化物、两性氧化物。
常见金属氧化物介绍
氧化铜氧化铜（CuO）是一种铜的黑色氧化物，略显两性，稍有吸湿性。相对分子质量为79.545，密度为6.3～6.9 g/cm3，熔点1326℃。不溶于水和乙醇，溶于酸、氯化铵及氰化钾溶液，氨溶液中缓慢溶解，能与强碱反应。氧化铜主要用于制人造丝、陶瓷、釉及搪瓷、电池、石油脱硫剂、杀虫剂，也供制氢、催化
什么是纳米晶非晶态金属
它是一种特殊用途的金属，粒径已经达到纳米级，但是没有固定的形态结构，纳米非晶态金属比纳米晶态金属有更大的比表面积。因此其在催化剂行业用途比较广泛。如纳米镍非晶态颗粒，是一种高效的燃料催化剂。
新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破
据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可
上海微系统所在石墨烯单晶晶圆制备方面取得进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆研究取得新进展。信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队首次在较低温度（750℃）条件下采用化学气相沉积外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。研究论文于4月4日在Small上在线发表(X.F. Zhang, et al,
金属及金属氧化物的通性及特例
金属的通性：（1）与非金属单质（O2、Cl2、S、I2等）的反应（2）金属与H2O的反应（3）与酸的反应：金属单质+酸→盐+氢气（置换反应）（4）金属与氧化物的反应（5）与盐的反应：金属单质+盐（溶液）→另一种金属+另一种盐金属氧化物的通性（1）与水反应（2）与酸反应（3）与非金属氧化物反应无上述反
金属圆棒扭转试验力学特点分析
金属圆棒扭转试验力学特点分析如今，金属扭转试验越来越多的应用于生产制造、质量分析、科研教学中；成为材料物理性能检测中拉伸、压缩、弯曲外另一种常规的检测手段。今天就金属圆棒扭转试验力学特点分析罗列一下，金属圆棒的扭转试验是zui为常见的也具有代表性，希望能对大家有所帮助。1.由材料力学可知，圆柱形试样
晶圆接触角测量仪的应用场合
晶圆接触角测量仪采用专用的CCD数字摄像机，配倍高分辨率变焦式显微镜和高亮度LED背景光源系统，搭配三维样品台，可进行工作台上下、前后等方向移动。实现微量进样及上下、左右精密移动。同时还设计了伸缩杆结构工作台，能适应在不同用户材料厚度加大的场合。晶圆接触角测量仪的应用场合：1、液体在固体表面的接触角