晶圆制备——如何从沙子到wafer？（三）
4. 抛光(Lapping)：因为刚刚切下来的wafer，表面一定有很多损伤，而且表面粗糙，所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平，所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。 5. 湿法蚀刻(wet etch)：因为刚才的抛光还是机械的磨平，所以还是无法完全去除损伤，所以需要一步化学反应去除表面缺陷。主要用4:1:3的HNO3+HF+CH3COOH(醋酸)。硝酸氧化，HF吃SiO2。 6. 退火(Anneal)：怕有晶格损伤，所以退火可以去除晶格损伤，一般用Ar气体，所以我们有时候看到我们的flow用Ar anneal的wafer。用Ar的原因是因为Ar是惰性气体不反应，不用H2的原因以前据说是会导致表面浓度发生变化，原因我也不知道。 到此wafer就做完了，卖给FAB了。一般国际上比较牛X的可以卖wafer的公司也就是MEMC，SEH，德国瓦克，LG，日本小松KEH，等等。还是小日本牛啊。......阅读全文
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（三）
4. 抛光(Lapping)：因为刚刚切下来的wafer，表面一定有很多损伤，而且表面粗糙，所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平，所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。 5. 湿法蚀刻(wet etch)：因为刚才的抛光还是机械的磨平，所以还是无法完全去除损伤
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（一）
我们所讲的半导体制造，它的载体一定是晶圆(Wafer)，这个东西是怎么来的？我们今天就来好好讲讲。 前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了，我们的Si一定都是单晶晶格的，而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出电子或空穴而参与导电，如果我们用了多晶或者非晶，这
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（二）
1. 多晶硅提纯： 先是沙子(SiO2)与碳在高温下(2000C)置换反应，生成硅和CO2。此时的硅为冶金级别的(MGS: Metallic Grade Silicon)，也就是粗制的多晶硅。 然后再用MGS的硅与HCl在300C下反应生成TCS(SiHCl3)，然后经过过滤和冷凝可
水滴角测量仪应用芯片半导体行业（晶圆wafer）的关键
半导体芯片行业特别是晶圆制程中对于清净度的要求非常高，只有符合要求的晶圆才可视为合格品。作为测试等离子清洗效果评估的唯一手段，水滴角测量仪是评估晶圆品质的最有效的工具。2018年以来，中国的芯片行业得到了迅速发展，因而，对于水滴角的测试提出了更高要求。根据水滴角测试基本原理：固体样品表面因本身存在的
晶圆如何通过testkey监控
晶圆特性测试系统由测试仪(tester)与探针台(prober)共同组成，探针台上具有包括多个探针的探针卡，在测试之前的第一步是将探针卡上的探针扎到零点testkey对应的焊垫(pad)上，扎针动作由探针台主导；第一步扎针完成之后，需要在探针台侧进行人工确认扎针对应的零点testkey位置和针迹效果
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
硅晶圆展|2024年上海硅晶圆展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法
半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备，因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞，会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。 一般来说，晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆，且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者，于开口处亦设置有可
从“降压治疗”到“血压管理”（三）
4 围手术期的血压管理 围手术期血压过高和过低都是手术并发症和死亡的独立危险因素，在术前将血压控制在什么水平更安全、如何避免术前、术中和术后的血压过高和过低等问题都需要我们考虑。应当根据患者手术的急迫性、患者的术前血压情况、患者的靶器官损害情况综合考虑，对高血压患者应当在术前进行详细评
晶圆测试与探针台
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路
晶圆切割设备的目的
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
晶圆清洗设备的前景
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
土壤样品制备从人工到智能，兰友科技7年如何实现跨越？
党的二十届三中全会审议通过的《中共中央关于进一步全面深化改革 推进中国式现代化的决定》提出，健全提升产业链供应链韧性和安全水平制度。 产业链、供应链在关键时刻不能掉链子，这是大国经济必须具备的重要特征。我国制造业长期“大而不强、全而不精”的主要原因在于部分关键核心技术被国外“卡脖子”。 为此
晶圆切割设备的切割方法
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
VCSEL晶圆探针台招标项目
标讯类别： 国内招标招标编号：资金来源： 其他招标人：开标时间：招标代理： VCSEL晶圆探针台招标项目的潜在投标人应在网上报名获取招标文件，并于2023年07月10日 14时00分（北京时间）前在线递交投标文件。逾期提交的投标文件恕不接受。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件
如何从知识科普拓展到关系培育？
近日,核行业公众开放日（周）活动如约而至。我国核与辐射系统各相关单位举办了形式多样、贴近公众的核与辐射科普宣传活动。“魅力之光”“核安全文化校园行”等活动在近几年逐渐成为全国性科普活动。这些具有广泛影响力的年度品牌活动,都有一个共同的目标,即借助开放日（周）,向公众普及核科学知识。 就核能行业
从制备液相到多肽赛道，格莱高科如何撬动百亿制药装备市场
——二十年技术积淀，三年战略转型，一家成都企业的硬核升级之路在制药装备行业，制备液相色谱技术曾长期主导化学药生产领域。这项诞生于20世纪70年代的技术，通过高效的分离纯化能力，成为原料药生产的核心装备。而随着全球生物医药产业的结构性变革——2025年生物药市场规模预计突破6000亿美元，其中多肽药物
人脸检测发展：从VJ到深度学习（三）
在确定了选择窗口的策略，设计好了提取特征的方式，并学习了一个针对人脸和非人脸窗口的分类器之后，我们就获得了构建一个人脸检测系统所需要的全部关键要素——还有一些小的环节相比之下没有那么重要，这里暂且略去。 由于采用滑动窗口的方式需要在不同大小的图像上的每一个位置进行人脸和非人脸窗口的判别
从ChatGPT看“从0到1”和“从1到100”
转眼间，OpenAI发布ChatGPT已经一年多，但围绕其展开的话题仍然很“热”。 “从0到1”和“从1到100”是近年来常见于媒体的表述，前者指原始创新，后者意为原始创新落到实处并在各领域得到广泛应用。然而，究竟何为“1”？OpenAI发布ChatGPT前后的过程，其主线即“从0到100”，
从ChatGPT看“从0到1”和“从1到100”
■吕乃基 转眼间，OpenAI发布ChatGPT已经一年多，但围绕其展开的话题仍然很“热”。 “从0到1”和“从1到100”是近年来常见于媒体的表述，前者指原始创新，后者意为原始创新落到实处并在各领域得到广泛应用。然而，究竟何为“1”？OpenAI发布ChatGPT前后的过程，其主线即“从0
AML晶圆键合机共享应用
仪器名称：晶圆键合机仪器编号：13003988产地：英国生产厂家：AML型号：AWB-04出厂日期：201208购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>封装工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：郑瑶（010-62798268,13811
晶圆清洗设备的目的和分类
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感，为了达成晶圆表面无污染物的目标，必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。 目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为
PlasmaQuant®－MS－分析晶圆表面金属杂质
分析背景简介 硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面及少量的金属污染都可能导致器件功能的失效，所以硅片表面金属杂质测试是不可或缺的步骤。VPD跟ICPMS 联用检测硅片表面金属杂质是目前最常见的一种手段。目前 VPD也是有成熟的全自动化仪器，它的过程就是利用机械管先将硅片暴露于HF蒸气部分，以
晶圆切割设备的重要性
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的
分析HPLC如何放大到制备型HPLC？
在分析液相中色谱柱的典型进样量是微克级，甚至更低。样品量和固定相之比有的甚至小于1:10000。进样体积一般来说都大大小于色谱柱体积（小于1:100）。 在这种条件下，会达到很好的分离效果，峰形尖锐并且很对称。分析系统线形放大到制备型HPLC意味着使用直径更大的制备柱、更高的流速和根据色谱柱的长度增
半导体乍暖还寒－降价潮席卷晶圆代工厂
半导体晶圆代工降价潮开始从二线厂向一线蔓延，从成熟制程向先进制程扩散。 台积电7nm制程降价，降幅5%-10%左右，以缓解产能利用率下滑的状况。 此前曾有消息指出，台积电明年将针对部分成熟制程恢复价格折让，折让幅度在2%左右，但当时代工价格并未调降，价格折让主要是在光罩费用折抵，本次的7nm
从3D类器官到单细胞（三）
后续的研究中，作者借助PerkinElmer Xenogen IVIS成像系统，在胃癌NSG小鼠模型中进一步进行验证，同样证明与meso1 CAR T细胞相比，meso3 CAR T细胞介导的抗肿瘤反应更强。我们进一步确定meso3 CAR T细胞可以有效地抑制体内大卵巢肿瘤的生长。
低能离子辐照实现晶圆级大面积超高线密度光栅器件制备
6月4日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在《自然-通讯》杂志上在线发表了题为《采用反向外延技术实现晶圆级亚50nm周期的光栅器件制备》（Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period th
从餐桌到田间－食品安全追溯如何实现？
假羊肉、镉大米，时至年末，回忆2013年发生的一次次食品安全风波，仍觉惊心。 对于国人而言，食品安全已是老生常谈，但监控食品保障安全的政策规定不断推出，消费者对食品安全的信心却越来越低。 如何监控食品安全才能达到最佳效果?国际食品法典委员会(CAC)指出，可追溯性是食品安全风险管理的
二维催化材料如何“从模型到应用”
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员邓德会团队在《德国应用化学》发表综述文章，系统介绍了二维催化材料近年来在模型体系与实际应用中的进展，并对二维催化剂的设计策略、存在的挑战和未来发展方向作出了展望。 由于具有独特的表面结构和电子结构特性，二维材料近年来受到了广泛关注。相比于块状或颗粒状的催