中国半导体消耗量惊人国外供应商占主导地位
中国半导体材料的消耗量达到历史最高水平，占据全球市场一半以上。但中国却过于依赖国外供应商。2012年中国半导体消耗量占据全球52.5%，相比之下，2012年全球半导体市场却下降了3%。 中国可能会继续加大半导体购置，在2017年占据60%的全球市场。 中国半导体消耗量如此巨大的原因是中国正在成为世界电子制造业大国，不仅如此，中国电子设备的半导体材料含量要高于世界其他国家。中国个人电脑生产量占据全球90%、电视生产量占据全球过半、手机和数码相机生产量占据世界四分之三。这些设备都需要极高的半导体含量。 然而，半导体生产仍旧是中国电子制造业的薄弱环节。中国在半导体制造方面还没有企业巨头的出现。中国半导体使用仍旧超过其生产速度，2012年造成的差额高达1016亿美元。 中国排名前30的半导体供应商中没有一家是中国企业，大多是世界驰名的跨国企业，如因特尔、高通以及三星等。 有分析师表示：“半导体制造是一项......阅读全文
2024上海国际半导体芯片展览会|半导体设备、材料展
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
半导体展会|2024上海芯片粘合材料展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
半导体展会|2024上海模混合集成电路制造展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
化合物半导体材料的组成介绍
化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。
半导体热敏电阻材料相关介绍
这类材料有单晶半导体、多晶半导体、玻璃半导体、有机半导体以及金属氧化物等。它们均具有非常大的电阻温度系数和高的龟阻率，用其制成的传感器的灵敏度也相当高。按电阻温度系数也可分为负电阻温度系数材料和正电阻温度系数材料.在有限的温度范围内，负电阻温度系数材料a可达-6*10-2/℃，正电阻温度系数材料
硫化银半导体材料的贮存方法
保持贮藏器密封。放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方。
化合物半导体材料的制备方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶，用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。
如何测量半导体材料的光致发光谱
我目前只知道一种仪器，叫TXRF(Total Reflection X-ray Fluorescence)。其原理是用X光激发原子层电子逃逸，导致外层电子跃迁释放出特征X射线，其可以被接收器（EDX）检测形成能量弥散X射线谱。其他的不太清楚，X-ray Fluorescence的仪器用的都是这个原理
硫化银半导体材料的物质特性
在1833年，电子学之父法拉第发现了硫化银的电阻与金属不同，随着温度的上升，它的电阻反而降低，即导电性增强。有双晶结构：（1）灰黑色斜方结晶硫化银。密度7.326g/cm3。175℃为转变点。溶于氰化钾、浓硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方结晶硫化银。密度7.317g/cm3。熔点825℃。溶于氰
化合物半导体材料的制备方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶，用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。
氮化镓半导体材料的优点与缺陷
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁
2024北京半导体材料展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024上海半导体材料展览会|全国半导体展|第十三届
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024上海国际半导体芯片展览会|上海半导体设备、材料展
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2024上海国际半导体芯片展览会|上海半导体设备、材料展
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2025深圳半导体光刻机设备展览会半导体IC制造与封装展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2025中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2025 China (Shenzhen)
低维单晶材料制造研究获重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510607.shtm
提升“中国制造”含金量－新材料重任在肩
10月16日—18日，在浙江宁波召开的IFAM2021新材料国际发展趋势高层论坛暨2021中国（宁波）新材料与产业化国际论坛上，近30位院士、1500余位材料领域知名专家、学者、业界代表齐聚一堂，围绕新材料领域发展前沿动态、研究成果展开探讨和交流。 “材料是科技创新和发展的物质基础及先导，对于
超硬材料：引领高端制造业发展
以金刚石为代表的超硬材料及制品被誉为“最硬最锋利的工业牙齿”。航空航天、国防军工以及光伏与电子信息等领域里的各种高难材料加工难题，在它面前都迎刃而解。 而在科学家的眼中，单晶金刚石不光是“工业牙齿”，还是“终极半导体”。在7月17日召开的中国超硬材料行业发展专题研讨会上，有专家甚至表示，“
镁合金新材料研发制造基地落户怀化
4月18日，怀化工业园区洋溢着节日般的喜庆气氛。当天，中德合资镁合金新材料研发制造基地项目奠基典礼在这里隆重举行。市委书记李亿龙宣布项目开工。省政府原经济顾问陈德铨，市领导杨方明、王小华、石希欣、李志坚、赵应云等出席典礼并为项目培土奠基。 镁合金新材料是21世纪最具生命力的新型环保材料，广
纳米材料具有奇特分光特性－能制造彩虹
这种纳米结构被设计用于捕获金属表面不同位置上不同波长的光线。根据研究团队所说，纳米结构能够在大约人类头发丝百倍宽度的金属膜上捕获一种彩虹色。能够在这种小规模水平上操纵色彩暗示了一系列广泛的技术应用
增材制造中TPU材料的性能表征
摘要:增材制造中材料性能影响到其在3D打印中加工的性能以及最终产品的质量，TPU是首批可用于SLS工艺的柔性材料之一。本文从粉末流动性，粒度粒形以及比表面积等各项性能来表征TPU材料的性能，用于评估其对于最终加工性能的影响。 关键词：增材制造；性能表征；粉末流动性；粒度粒形表征；比表面
美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研究的领导者、密歇根理工大学的物理学家
新型半导体材料仅一个分子厚
俄国立研究型技术大学（NUST MISIS）莫斯科钢铁冶金学院与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学和日本国立材料科学研究所的科学家一起，制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。 半导体是现代电子学的基础，目前世界领先国家正展开半导体微型化竞赛。新技术可用于制造“块头”仅为现有处理器千分之一
美国发现新型二维半导体材料
近日，美国犹他大学发现一种新型二维半导体材料一氧化锡。据了解，该材料可用于制备计算机处理器和图形处理器等电子设备内的晶体管，有助于研制出运行速度更快、更加节约能源的智能手机和计算机等电子设备。 当前，电子设备内晶体管的玻璃基板由许多层三维材料构成，如硅材料。其弊端在于当电子通过时，会在所有层内
硫化银半导体材料的计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无2.氢键供体数量:13.氢键受体数量:14.可旋转化学键数量:05.互变异构体数量:无6.拓扑分子极性表面积17.重原子数量:38.表面电荷:09.复杂度:2.810.同位素原子数量:011.确定原子立构中心数量:012.不确定原子立构中心数量:013.确定化
王占国：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通
半导体高效光催化材料研究获突破
从浙江省科技厅获悉，浙江师范大学与香港大学以及新加坡南洋理工大学合作成立了专项课题组，在半导体纳米复合光催化材料的设计与合成方面取得突破性进展，开发出一种碳包覆硫化镉(CdS)新纳米结构。相关研究成果发表在《德国应用化学》，并被评选为VIP文章。 课题组通过一步溶剂热合成法在CdS纳米结构
硫化银半导体材料的合成方法
1.在90～100℃条件下，将氧化银(Ⅰ)与硫反应生成硫化银(Ⅰ)，当有水气存在时，Ag2SO4也能被过量硫转化为硫化银(Ⅰ)。2.将硫代硫酸钠与氧化银(Ⅰ)、硝酸银等可溶性银盐反应，可得硫化银(Ⅰ)。3.将可溶性银盐与可溶性硫化物反应，制得硫化银(Ⅰ)。
半导体材料技术突破－芯片散热性能飞跃
近日，中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队打破了20年的半导体材料技术瓶颈，让芯片散热效率与综合性能得到了飞跃性提升，为解决各类半导体材料高质量集成提供了可复制的中国范式。相关成果已发表在《自然·通讯》与《科学·进展》。 在半导体器件中，不同材料层之间的界面质量直接决定了整体性能。传统