硫化银半导体材料的物质特性
在1833年，电子学之父法拉第发现了硫化银的电阻与金属不同，随着温度的上升，它的电阻反而降低，即导电性增强。有双晶结构：（1）灰黑色斜方结晶硫化银。密度7.326g/cm3。175℃为转变点。溶于氰化钾、浓硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方结晶硫化银。密度7.317g/cm3。熔点825℃。溶于氰化钾、酸。......阅读全文
硫化银半导体材料的物质特性
在1833年，电子学之父法拉第发现了硫化银的电阻与金属不同，随着温度的上升，它的电阻反而降低，即导电性增强。有双晶结构：（1）灰黑色斜方结晶硫化银。密度7.326g/cm3。175℃为转变点。溶于氰化钾、浓硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方结晶硫化银。密度7.317g/cm3。熔点825℃。溶于氰
硫化银半导体材料的贮存方法
保持贮藏器密封。放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方。
硫化银半导体材料的计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无2.氢键供体数量:13.氢键受体数量:14.可旋转化学键数量:05.互变异构体数量:无6.拓扑分子极性表面积17.重原子数量:38.表面电荷:09.复杂度:2.810.同位素原子数量:011.确定原子立构中心数量:012.不确定原子立构中心数量:013.确定化
硫化银半导体材料的合成方法
1.在90～100℃条件下，将氧化银(Ⅰ)与硫反应生成硫化银(Ⅰ)，当有水气存在时，Ag2SO4也能被过量硫转化为硫化银(Ⅰ)。2.将硫代硫酸钠与氧化银(Ⅰ)、硝酸银等可溶性银盐反应，可得硫化银(Ⅰ)。3.将可溶性银盐与可溶性硫化物反应，制得硫化银(Ⅰ)。
硫化银半导体材料的基本信息
硫化银是一种无机化合物，化学式为Ag2S，外观为灰黑色粉末。密度6.85～7.23g/cm3。熔点825℃。在沸点分解。不溶于水，溶于浓硫酸和硝酸，并溶于氰化钾和氰化钠溶液。用于黑金镶嵌术和制陶瓷等。将硫化钠与硝酸银溶液混合过滤而制得。
硫化银半导体材料的主要用途
用作分析试剂；刺钉土垠中硫、氧、溴、碘离子。合金。制造陶器。
半导体材料的特性
半导体材料的特性：半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、
硫化银半导体材料的性质与稳定性
如果遵照规格使用和储存则不会分解：避免接触氧化物，酸。β-Ag2S为灰黑色正交晶体，在175℃转化为α-Ag2S；α-Ag2S为黑色立方晶体。硫化银极难溶于水；几乎不溶于稀的非氧化性酸；不溶于氨水和氨盐溶液；但溶于碱金属氰化物溶液和硝酸；浓H2SO4能将Ag2S转化为硫酸银和硫。硫化银在室温和空气中
半导体材料的基本特性
自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。
半导体材料的特性参数
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的
半导体材料的基本特性
自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。
半导体材料的特性要求
半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。晶体管对材料特性的要求 ：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度
半导体材料的特性要求
半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。晶体管对材料特性的要求 ：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度
低维半导体材料的特性
实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物传感器件等，以造福人类。可以预料，纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式
宽带隙半导体材料的特性
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
半导体材料的特性和参数
半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。
硫化银半导体材料的毒理学和生态学数据
毒理学数据有刺激性。 生态学数据通常来说对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。
常用的半导体材料的特性参数
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的
新型有机半导体材料的特性及应用介绍
其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智能绷带、柔性显示屏、智能挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。昂贵的原因主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有机电
半导体的特性
半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。 1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体zui显著、zui突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特
半导体材料硫化铂光电特性的相关研究获进展
记者6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。 “微电子技术历经半个多世纪发展，给人
半导体材料－硫化铂光电特性研究获新突破
记者6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。 “微电子技术历经半个多世纪发展，给人
半导体的发现历史
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接
半导体是何时发现的？
1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这
过程工程所在复合纳米材料研究领域获得新进展
复合结构纳米材料是指由两种或两种以上物理化学性质截然不同的组分构成的纳米颗粒体系，各成分间具有相互接触的界面。由于复合材料在纳米体系中集成了性能差异明显的不同组分，并且在纳米尺度上各组分之间产生强相互耦合作用，因此复合结构纳米材料不仅具有明显增强的本征性能，而且还表现出许多新奇特
元素半导体的基本特性
典型的半导体材料居于Ⅳ-A族，它们都具有明显的共价键；都以金刚石型结构结晶；它们的带隙宽度随原子序数的增加而递减，其原因是其键合能随电子层数的增加而减小。V-A族都是某一种同素异形体具有半导体性质，其带隙宽度亦随原子序数的增加而减小。
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
元素半导体的结构特性
元素半导体（element semiconductor）是由同种元素组成的具有半导体特性的固体材料，即电阻率约为10-5～107Ω·cm，微量杂质和外界条件变化都会显著改变其导电性能的固体材料。周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)
标准物质特性
准确性、均匀性和稳定性是标准物质量值的特性和基本要求。 (1)准确性 通常标准物质证书中会同时给出标准物质的标准值和计量的不确定度，不确定度的来源包括称量、仪器、均匀性、稳定性、不同实验室之间以及不同方法所产生的不确定度均需计算在内。 (2)均匀性 均匀性是物质的某些特性具有相同组分或相
半导体有什么特性
半导体具有特性有：可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外，还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途；利用微电子的超微细加工技术，还可以制成MEMS（微机械电子系统），应用在电子、医疗领域。半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料