晶体融合生长机制研究获进展
成核和生长是结晶的两个重要阶段，对晶体晶相、尺寸、形貌、性能等起关键控制作用。然而，经典理论难以解释晶体生长过程中观察到的诸多现象，如二次成核中存在的非晶过渡态、组分分离现象等。近期，中国科学院新疆理化技术研究所研究员李俊杰团队联合美国劳伦斯国家实验室、欧洲伊比利亚国际纳米实验室等的科研人员，利用球差矫正的透射电子显微术与分子动力学模拟，在原子尺度上揭示了晶体尺寸、缺陷密度及接触方式共同影响的晶体融合生长机制。原子尺度的动力学研究表明，当一个五重孪晶与更小的纳米晶体相遇，或两个五重孪晶以面对面接触方式相遇时，会快速融合生长形成一个新的五重孪晶；当两个晶体以顶角接触顶角的方式相遇，其融合动力学过程则明显滞后且缓慢，这种机制不利于形成五重孪晶，但利于形成复杂多重孪晶结构。这一结果凸显了面缺陷及纳米晶接触方式影响的融合生长过程。进一步，该研究揭示了由于缺陷的存在，原子柱逐个迁移导致弯曲晶界的形成机制。这一研究通过原位观察晶体结晶动力学......阅读全文
不规则晶体也能完美融合？科学家揭示五重孪晶融合生长机制
成核和生长是结晶的两个重要阶段，对晶体的晶相、尺寸、形貌、性能等起着关键的控制作用。中国科学院新疆理化技术研究所研究员李俊杰团队联合美国劳伦斯国家实验室、欧洲伊比利亚国际纳米实验室利用球差矫正的透射电子显微术及分子动力学模拟，揭示了缺陷密度及接触方式影响的晶体融合生长机制。近日，相关研究成果发表
蒋民华院士获得亚洲晶体生长与晶体技术奖
5月22日至24日，第四届亚洲晶体生长与晶体技术会议（CGCT—4）在日本仙台召开。我国晶体生长与晶体材料分会理事长、山东大学晶体材料国家重点实验室蒋民华院士在会议上获得亚洲晶体生长与技术协会所颁发的最高奖励——晶体生长与晶体技术奖（CGCT Award）。 在CGCT—4开幕式上，日本晶体学会前主
AFM晶体生长方面的应用
晶体生长方面的应用晶体生长理论在发展过程中形成了很多模型，可是这些模型大多是理论分析的间接研究，它们和实际情况究竟有无出入，这是人们最为关心的。因而人们希望用显微手段直接观察到晶面生长的过程。用光学显微镜、相衬干涉显微镜、激光全息干涉术等对晶体晶面的生长进行直接观测，也取得了一些成果。但是，由于这
使用石英晶体微天平研究薄膜生长
引言Gamry公司的eQCM 10M电化学石英晶体微天平的一个用途就是研究薄膜的生长。下面举一个关于薄膜生长影响电极电化学性能的例子。固体接触（SC）离子选择性电极（ISEs）是常用作测量医学及环境应用中离子浓度的一种传感器。SC ISEs的电化学特性取决于在电子传导基底（例如，金，铂）和离子传导膜
高嶷课题组在金纳米颗粒融合生长的理论机制研究获进展
金属、纳米颗粒在能量转换、催化、生物成像和传感器等领域具有广泛的应用价值。金属纳米颗粒的融合生长普遍存在于纳米颗粒的结晶和自组装过程中，对于操控纳米颗粒的结构具有独特的优势和应用潜质。近日，中国科学院上海高等研究院高嶷课题组在水溶液中金纳米颗粒的融合生长机制的理论研究方面取得新进展，相关结果发表
液相法氮化镓晶体生长研究
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电压、高的饱和电子漂移速度、优异的结构稳定性和机械性能，在高频、高功率和高温等应用领域具有独特的优势。在光电子和功率器件中具有广阔的应用前景。在液相生长技术中，助溶剂法和氨热法是生长高质量GaN的有效方法，该论文全面总结了这两种方法生长GaN的研究进展，详细分
金刚石晶体材料生长及应用（一）
当前，新型冠状病毒仍在持续，对产业及企业造成了一定程度的影响，也牵动着各行各业人们的心。在此形势下，中国半导体照明网、极智头条，在国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，开启疫情期间知识分享，帮助企业解答疑惑。助力我们LED照明企业和产业共克时艰。本期，极智课堂邀请
金刚石晶体材料生长及应用（三）
显示屏中，cob光源和led光源的区别是什么？一般来说，led集成光源是用COFB封装技术将led晶粒直接封装在均温板或铜基板上，形成多晶阵，而COB光源是高功率的集成面光源，是直接将led发光芯片贴在高反光率的镜面金属基板上的集成面光源技术。cob光源将小功率芯片封装在PCB板上，和普通SMD小功
金刚石晶体材料生长及应用（二）
5．光学类应用－－大尺寸、顶级颜色独特的光学性能（从紫外到微波频段广域透光）和高的热导率以及低的热膨胀系数使其成为极好的光学窗口材料，在导弹头罩、雷达窗口等方面具有极大的优势；也可作为高能物理研究的探测材料以及高功率器件的热沉和窗口材料。6．功能性零件应用－－大尺寸、高质量金刚石机械零件：将
金刚石晶体材料生长及应用（四）
4． MPCVD法原理5． MPCVD法关键技术关键技术1：MPCVD生长腔室结构仿真关键技术2：高质量金刚石生长工艺优化关键技术3：自发成核、异常形核等抑制关键技术4：大尺寸单晶拼接生长技术关键技术5：大尺寸单晶剥离技术关键技术6：P型掺杂及记忆效应三、济南金刚石科技有限公司研究进展1．公
紫薇的生长机制
蒴果椭圆状球形或阔椭圆形，长1-1.3厘米，幼时绿色至黄色，成熟时或干燥时呈紫黑色，室背开裂；种子有翅，长约8毫米。花期6-9月，果期9-12月。
纳米晶体的角、边和面控制生长｜Science－Advances
精确控制纳米晶体(NC)形状和组成的能力在催化和等离子体等许多领域都是有用的。种子介导的策略已被证明对准备各种各样的结构是有效的，但对如何选择性地生长角、边和面的理解不足，限制了控制结构进化的一般策略的发展。在这里，美国西北大学Chad A. Mirkin教授等人报告了一种通用的合成策略，用于指
Science新研究解析细胞融合机制
来自约翰霍普金斯大学的研究人员成功建立了一个高效的细胞融合系统，为研究细胞融合机制提供了一种新模型。科学家们发现，两细胞融合并非如某些人所推测的那样，是相等及相互的，而是由融合伙伴其中一个启动及驱动。他们认为，这一研究发现有可能促成改善肌营养不良症的治疗，因为肌肉再生依赖于细胞融合，才能生成包含
“微下拉法纤维晶体生长设备研制”通过验收
5月27日，中国科学院新疆理化技术研究所承担的中国科学院科研装备研制项目“微下拉法纤维晶体生长设备研制”通过了中科院条件保障与财务局组织的专家验收。 项目负责人杨志华介绍了项目情况和系统所达到的性能指标的测试大纲，专家组审议了测试大纲并进行了各项性能指标的现场测试。张红松和姜言彬分别主持了项目
纳米粒子可在晶体生长中充当“人造原子”
在晶体的生长过程中，纳米粒子是否能够充当“人造原子”，成为构建复杂分子结构的积木？这一理论一直存在争议。美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的一项研究或能解决上述争论，并为未来的能量转换和储存设备发展指明方向。相关研究报告发表在近日出版的《科学》杂志上。 该实验室材料
上海光机所生长出高品质Ce:YAG闪烁晶体
近期，中科院上海光学精密机械研究所中科院强激光材料重点实验室采用提拉法成功生长出直径98mm、总长度360mm的高品质Ce:YAG闪烁晶体（如下图1所示），Ce离子掺杂浓度0.05at%，晶体重量达6945克，生长周期25天，是目前国内报道的尺寸最大的Ce:YAG闪烁晶体。 根据国内外晶体发
第十六届国际晶体生长会议在京举行
“第十六届国际晶体生长会议及第十四届国际气相生长与外延会议”（ICCG-16/ICVGE-14），于2010年8月9日至13日在北京国际会议中心举行。本次会议是由国际晶体生长协会主办、中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会承办，中国科学院、国家自然科学基金委员会、中国硅酸盐学会支持的专
PNAS：癌症生长转移新机制
来自俄亥俄州立大学综合癌症中心的研究人员发现了一种从前未知的促进癌症生长和扩散的新机制，这一机制揭示了microRNA小调控分子的新作用，研究结果为开发出治疗癌症以及可能的免疫系统疾病的新策略指明了方向。相关论文发表在《美国科学院院刊》(PNAS)杂志上。 在这篇文章中，研究人员发现肿瘤细
关于胎儿生长受限的发病机制
1.遗传因素所致的FGR的畸形范围广 包括中枢神经系统，心血管系统，胃肠道，泌尿生殖系统，肌肉骨骼系统和颅面畸形，虽然已肯定了先天性畸形伴有FGR，但其伴发的发病机制还不清楚，是FGR导致先天性畸形的发生呢?或是先天性畸形的存在倾向于FGR?在核型异常中，显然是先有内在的染色体病，最后引起了FG
elife：膝盖促进骨骼生长的机制
最近，来自纪念斯隆-凯瑟琳癌症中心的研究者们揭示了膝关节信号调控发育早期或受损伤之后骨骼生长的机制，相关结果发表在《elife》杂志上。 作者称骨骼的生长不仅仅受到骨骼本身的调控，其两端的关节中的细胞也会对其产生一定的影响，这些细胞提供的信号能够促进骨骼的生长以及成熟。对这些信号交流的深入了解
两种基因融合致癌病理机制揭开
科技日报华盛顿1月13日电 美国哥伦比亚大学医学中心（CUMC）研究人员发现，两个相邻基因——FGFR3和TACC3的融合会导致线粒体过度运动，为细胞快速生长提供能量，从而致癌。他们在近日《自然》杂志线上版发表论文称，实验显示，靶向这一致癌因素的针对性药物可以阻止肿瘤生长。该研究为治疗基因融合所
两种基因融合致癌病理机制揭开
美国哥伦比亚大学医学中心（CUMC）研究人员发现，两个相邻基因——FGFR3和TACC3的融合会导致线粒体过度运动，为细胞快速生长提供能量，从而致癌。他们在近日《自然》杂志线上版发表论文称，实验显示，靶向这一致癌因素的针对性药物可以阻止肿瘤生长。该研究为治疗基因融合所致癌症提供了新思路。 早在
速度提高4倍！华理团队研发通用晶体生长技术
近日，华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用金属卤化物钙钛矿是一
速度提高4倍－华理团队研发通用晶体生长技术
近日，华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用金属卤化物钙钛矿是一
研究人员发现晶体生长习性调控新进展
晶体生长习性对晶体的物理化学特性和药物活性有重大影响，因此对化学工业及药物生产研发具有重要意义。目前使用添加剂调控晶体生长习性已经取得了较好的发展，但多数研究对调控机理的解释缺少理论计算支撑，仅有少数研究涉及NaCl、KCl等立方结构晶体习性调控的理论计算。 中国科学院福建物质结构研究所光电材
院科研项目“KDP晶体快速生长装备的研制”通过验收
验收会现场 6月19日，中科院计划财务局组织专家在福州对福建物质结构研究所郑国宗副研究员承担的院科研装备研制项目“KDP晶体快速生长装备的研制”进行验收。验收专家组分别听取了项目负责人的工作报告、测试专家组的测试报告，认为项目达到了实施方案规定的技术指标，完成了预定的研制任务，一致
新突破－我国科学家研发新型通用晶体生长技术
记者日前从华东理工大学了解到，该校清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶晶片通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代高性能光电子器件提供了丰富材料库。相关成果发表于国际学术期刊《自然·通讯》。金属卤化物钙钛矿是一类
科学家联合研究提出用剪切促进晶体生长新法
近日，北京理工大学化学与化工学院教授孙建科与韩国基础科学研究院合作，以《聚电解质溶液剪切流场促进晶体生长》为题，将其“剪切促进晶体生长”研究成果发表于《自然》杂志上。该研究提出了利用剪切驱动的封闭系统恒温结晶方法，为简单、高效合成高质量的单晶提供了新思路。在聚离子液体存在下，剪切应力促进均苯三甲
速度提高4倍！华理团队研发通用晶体生长技术
近日，华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用 金属卤化物
PNAS新文章：解析细胞生长刹车机制
来自鲁尔大学的Klaus Gerwert教授领导生物物理学家描述了Ras蛋白加速GTP分子裂解，由此减慢细胞生长速度的分子机制。相关论文发布在《美国科学院院刊》(PNAS)上。 采用红外光谱法和计算机模拟，他们发现Ras将一条磷酸链置于拉力下以致一个磷酸基团 可以轻易地