物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸（150毫米）产品，预计市场份额将逐年增大。 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组（A02组，功能晶体研究与应用中心）长期从事SiC单晶生长研究工作，团队人员通过自主创新和探索，获得了SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套自主知识产权。研发成功的2英寸SiC单晶衬底在国内率先实现了产业化，并相继研发成功3英寸、4英寸SiC单晶衬底，实现了批量制备和销售。2014年11月，团队人员与北京天......阅读全文
½英寸外径工业用荧光探头
我们为荧光应用开发了一种特制的反射探头，它由12根200微米芯径的激发光纤围绕着一根600微米芯径的探测光纤组成，探测光纤将荧光信号导入光谱仪。 在工业用反射探头前端加上一个特殊的反射附件FCR-FLTIP-IND，就可以变成一个45º角的荧光探头。该附件可以防止周围环境光进入探头，并屏蔽 激发光来
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺－1
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在 1mΩ·cm～1GΩ·cm 范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无
单晶半导体材料的制备方法
具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶
单晶半导体材料的制备方法
为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较
科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效
单晶X射线衍射的单晶衍射仪法
此法用射线计数仪直接记录射线的强度。单晶衍射仪有线性衍射仪、四圆衍射仪和韦森堡衍射仪等，其中以四圆衍射仪(图4)，(见彩图)最为通用。所谓四圆是指晶体和计数器藉以调节方位的四个圆，分别称为φ圆、圆、w圆和2θ圆。φ圆是安装晶体的测角头转动的圆；圆是支撑测角头的垂直圆，测角头可在此圆上运动；w圆是使圆
单晶X射线衍射的单晶衍射仪法
此法用射线计数仪直接记录射线的强度。单晶衍射仪有线性衍射仪、四圆衍射仪和韦森堡衍射仪等，其中以四圆衍射仪(图4)，(见彩图)最为通用。所谓四圆是指晶体和计数器藉以调节方位的四个圆，分别称为φ圆、圆、w圆和2θ圆。φ圆是安装晶体的测角头转动的圆；圆是支撑测角头的垂直圆，测角头可在此圆上运动；w圆是使圆
½英寸外径工业用荧光探头订购
订购信息FCR-UV200/600-2-IND 1/2英寸外径反射式探头，用于荧光测量FCR-FLTIP-IND 1/2英寸 FCR-UV200/600-2-IND 探头专用荧光反射附件选件 -HT 高温型 (可达200°C)-PK PEEK探头材料替换不锈钢-HY HastelloyÒ
100英寸纳米透明屏幕面世
统OLED屏的十分之一 纳米透明屏幕能清晰显示图像细节。图片来源：美国趣味科学网站科技日报北京7月18日电 （记者刘霞）据美国趣味科学网站17日报道，韩国机械与材料研究所（KIMM）科学家使用一种新型薄膜材料，成功研制出100英寸纳米透明屏幕（NTS）。该屏幕纤薄如人的头发丝，能够以丰富的色彩和清晰
红外测油仪的英寸重量
大致5公斤SR-300型溶剂回收器（备选）高效的SR-300型溶剂回收器可以使您每次测量的溶剂费用减少90%，这一备选设备是专门为JH1的S-316溶剂设计的，它有一个装有活性碳和活性铝的双柱，具有很强的过滤能力，操作简便，并不需要电源。 回收器尺寸：200（W）×200（D）×600（H）毫
½英寸外径工业用荧光探头参数
技术数据 照明光纤 12根200 µm芯径 UV/VIS光纤探测光纤 1根600 µm光纤波长范围 200-800 nm (UV/VIS) 或350-2500 nm (VIS/NIR)或250-2500 nm (UV/VIS/NIR)接头 2个SMA 905探头前端 316不锈钢圆柱, 128 m
科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效
35岁“从零开始”，他让外国再也“卡”不住我们
“要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些‘两不靠’的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。”这是中国科学院物理研究所研究员陈小龙一直以来坚守的信念。 陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。20多年来，他带领团队从零开始自主
陈小龙：20余年坚守创新－“开路”国产碳化硅
“要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些两不靠的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。”这是中国科学院物理研究所研究员陈小龙一直以来所坚守的信念。 陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究，20多年来，他带领团队从零开始自主创新，
陈小龙：20余年坚守创新－－“开路”国产碳化硅
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517179.shtm“要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些两不靠的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。”这是中国科学院物理研究所研究员陈小龙一直以来所坚守的信念
SiCLED研究中取得进展－为我国SiC产业注入新活力
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下
氮化硼表面制备石墨烯单晶获突破
中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员，通过引入气态催化剂的方法，在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。3月11日，相关研究论文发表于《自然—通讯》。 该团队在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底的取向关系的基础上，以乙炔为碳源，创新性地引入硅烷作
我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料
作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。相关成果
单晶硅的单晶硅制备与仿真
主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；1）直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性
科学家在叠层低维单晶材料制造方面取得重要进展
记者从华南师范大学获悉，我国科学家在叠层低维单晶材料制造方面取得重要进展，实现镍衬底上菱方相氮化硼叠层单晶的可控生长。相关研究5月2日发表于《自然》。六方氮化硼是极具潜力的下一代低维介电绝缘材料。菱方（ABC）堆垛叠层在保有六方氮化硼优异物理化学性质的同时，具有本征的滑移铁电性和非线性光学性质。大尺
上海市科委半导体照明项目通过验收
“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收 10月27日，中科院上海光学精密机械研究所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
科研人员为光电探测器电学参数变化提供研究方案
西安交通大学电子科学与工程学院李强副教授等人通过剥离-自组装小尺寸单晶hBN纳米片制备2英寸晶圆级连续hBN薄膜，并进行了光电探测器的制备与器件工作机制的研究，近日该研究成果发表在《先进功能材料》上。该方法基于hBN特有的二维结构特性，通过液相剥离的方法从块体hBN上剥离出少层的hBN纳米片（BNN
今日Science：单晶外延膜，如今甩着做！
美东时间4月11日中午，Science杂志在线发表一篇研究论文，题目就四个字：Spin coating epitaxial film。单晶外延膜，如今甩着做！另附专家点评。 可以毫不夸张地说，甩涂法是现代微电子工业的根基。用于集成电路微加工的光刻胶，就是甩涂上去的，工艺简单、价格低廉、用途广泛
今日Science：单晶外延膜，如今甩着做！
美东时间4月11日中午，Science杂志在线发表一篇研究论文，题目就四个字：Spin coating epitaxial film。单晶外延膜，如今甩着做！另附专家点评。 可以毫不夸张地说，甩涂法是现代微电子工业的根基。用于集成电路微加工的光刻胶，就是甩涂上去的，工艺简单、价格低廉、用途广泛
中科院上海微系统所制备出六方氮化硼单晶畴
1月25日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所卢光远和吴天如等科研人员采用化学气相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出单层高质量六方氮化硼（h-BN）单晶畴，单晶面积较之前文献报道高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h-BN、h-BN/石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验
天岳先进董事长宗艳民：夯实技术实力－助力我国半导体产业振兴
1月5日，记者从天岳先进获悉，公司董事长宗艳民近日做客《沪市汇·硬科硬客》与华润微总裁李虹、芯联集成总经理赵奇一起探讨“换道超车第三代半导体”话题。 业界认为，全球第三代半导体行业正处于起步阶段，并在加速发展。与硅基半导体相比，中国企业在第三代半导体领域和国际处于同一起跑线，有望实现换
科研人员为光电探测器电学参数变化提供研究方案
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519214.shtm西安交通大学电子科学与工程学院李强副教授等人通过剥离-自组装小尺寸单晶hBN纳米片制备2英寸晶圆级连续hBN薄膜，并进行了光电探测器的制备与器件工作机制的研究，近日该研究成果发表在《先
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
CCD单晶衍射仪
CCD单晶衍射仪是一种用于物理学领域的分析仪器，于2017年1月5日启用。 技术指标 1.EOSCCD探测器； 2.增强型Mo光源和增强型Cu光源； 3.4圆kappa测角仪。 主要功能 晶体结构或分子结构的常规测定（包括晶体的点阵常数，对称性，分子的三维立体结构，键长、键角、构型、