物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸（150毫米）产品，预计市场份额将逐年增大。 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组（A02组，功能晶体研究与应用中心）长期从事SiC单晶生长研究工作，团队人员通过自主创新和探索，获得了SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套自主知识产权。研发成功的2英寸SiC单晶衬底在国内率先实现了产业化，并相继研发成功3英寸、4英寸SiC单晶衬底，实现了批量制备和销售。2014年11月，团队人员与北京天......阅读全文
单晶射线衍射仪
单晶射线衍射仪是一种用于化学领域的分析仪器，于2004年1月1日启用。 技术指标 额定功率:50kv 40mA。CCD探测器：62mm 4K CCD芯片，Mo 光源增益>170电子/X光子； X-射线发生器：功率3kW，Mo靶陶瓷X射线光管； 三轴（ω,2θ,φ）测角仪:φ360º旋转≤0.
CCD单晶衍射仪
CCD单晶衍射仪是一种用于物理学领域的分析仪器，于2017年1月5日启用。 技术指标 1.EOSCCD探测器； 2.增强型Mo光源和增强型Cu光源； 3.4圆kappa测角仪。 主要功能 晶体结构或分子结构的常规测定（包括晶体的点阵常数，对称性，分子的三维立体结构，键长、键角、构型、
调控薄膜的磁学特性研究取得进展
近日，西安交通大学研究人员与国内外合作者利用湿法化学转移技术制备大尺度无支撑单晶CoFe2O4薄膜，并成功转移到柔性的聚酰亚胺和硅等衬底上。通过改变柔性的聚酰亚胺衬底的弯曲半径，实现对柔性衬底上单晶CoFe2O4薄膜应力连续调控，从而调控薄膜的磁学特性。相关成果发表在美国化学学会《纳米》上。
半导体材料的应用介绍
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，
半导体材料的制备方法
不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上 ，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
两家SiC材料厂完成新一轮融资
近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下简称东映碳材）分别完成数亿元新一轮融资。 超芯星完成数亿元C轮融资 12月14日，超芯星宣布完成数亿元C轮融资，本轮融资由知名国际投资机
晶能光电推进硅衬底LED产业化
在日前举行的广州国际照明展上，晶能光电公司展出的6英寸硅衬底LED芯片，以及联合晶和照明推出的采用硅衬底大功率LED芯片的硅衬底模组，引起了国内外众多行业人士的广泛关注。 据了解，晶能光电创新性地运用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作为衬底制造氮化镓基LED器件，在全球
物理所等在磁性超薄膜各向异性调控方法研究中获进展
磁各向异性不但是低维体系产生铁磁有序的主要来源，而且是磁性材料重要的参数之一，在永磁材料、软磁材料、高频磁性材料、超高密度磁存储材料和自旋电子材料中起着至关重要的作用，磁性纳米结构的磁各向异性调控是目前磁学研究的热点之一。单晶衬底的原子台阶可以作为模板来制备自组装的纳米结构，由于受限电子的量子效
为什么集成电路中多用P型衬底
因为P型衬底直接做出的管子是N型的，NMOS是电子导电，其迁移率高于空穴。即速度快点
确定石墨烯合适衬底的新标准问世啦
石墨烯具有优异的力学性能和电学性能，利用此新标准，可以有针对性的寻找衬底材料，使石墨烯更好的发挥其性能。 一般而言，石墨烯在和衬底材料接触后，往往会失去其原有的一些性能。来自利希研究中心的物理学家最近提出一种标准，根据此标准科学家们可以有针对性地寻找合适的石墨烯衬底材料。通过共同努力，他们能够
单晶硅展|2024年上海单晶硅展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
基于量子材料的新器件分米级单晶薄膜的制备新方法
为开辟硅基电子器件之外的新途径，基于量子材料的新器件研究成为前沿热点。作为量子材料的重要分支，二维量子材料厚度只有原子级且量子效应显著，大面积、高质量的二维单晶制备是实现二维器件规模化应用的核心关键，然而晶格的非中心反演对称性给二维单晶生长带来了极大挑战。 在量子调控与量子信息重点专项资助下，
合肥研究院有机单晶PTCDA纳米线制备及其物性研究获进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心科研人员在有机单晶纳米材料制备及光、电特性研究方面取得了新进展。9月21日英国皇家化学会出版期刊Nanoscale 以《苝四甲酸二酐（PTCDA）纳米结构的制备、光学以及电学特性》（Preparation, Optical and Electric
氮化镓半导体材料的反应方程式
GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，其可逆的反应方程式为：Ga+NH3=GaN+3/2H2生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分压。人们通常采用的方法有常规MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等离子体增强MOCVD（PE—MOCVD
新兴半导体：一种透明柔性的单晶硅微框架结构
柔性、透明是光电子器件的发展趋势，柔性透明的器件能够不易察觉的与其他器件或物体进行集成，在电子皮肤、物联网、透明柔性显示器和人工视觉等领域有着巨大的应用潜力。然而，发展新型柔性、透明电子器件首先需要克服的就是材料问题。传统光电子器件主要是依靠半导体这一成熟的材料体系，但是目前常用的半导体材料都是
什么叫单晶XRD衍射
X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的原子或离子/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用，从而影响散射的X射线的强度增强或减弱。由于大量原子散射波的叠加，互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。
什么叫单晶XRD衍射
X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的原子或离子/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用，从而影响散射的X射线的强度增强或减弱。由于大量原子散射波的叠加，互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。
单晶硅是什么
单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
什么叫单晶XRD衍射
X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的原子或离子/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用，从而影响散射的X射线的强度增强或减弱。由于大量原子散射波的叠加，互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。
单晶衍射法的概述
单晶X 射线衍射分析的基本方法为劳埃法与周转晶体法。 劳埃法 劳埃法以光源发出连续X 射线照射置于 样品台上静止的单晶体样品，用平板底片记录产生的衍射线。根据底片位置的不同，劳埃法可以分为透射劳埃法和背射劳埃法。背射劳埃法不受样品厚度和吸收的限制，是常用的方法。劳埃法的衍射花样由若干劳埃斑组
石墨烯主要制备方法
1、微机械剥离法方法：用光刻胶将其粘到玻璃衬底上，再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用范德华力或毛细管力将单层石墨烯“捞出”。缺点：产物尺寸不易控制，无法可靠地制备出长度足够的石墨烯，不能满足工业化需求。
光电所在可拉伸衬底结构色研究方面获进展
对于彩色显示技术来说，传统技术采用色彩吸收材料如染料、色素等进行光谱滤波显色，但此类材料存在使用寿命相对较低、制备工艺较为复杂、色彩串扰等问题，因而在高分辨显示、成像等应用领域面临较大的挑战。随着纳米技术与纳光子学等学科的兴起，具有高自由度光谱调控能力的人工纳米结构如超材料、超表面为显色领域提供
研究揭示衬底台阶/截止层对薄膜物性的影响
复杂氧化物异质结构因丰富的物理现象而受到关注。然而，在氧化物异质结的设计中存在一个局限：当厚度减小到一定程度时，薄膜会表现出与其对应块体性质截然不同的“死层”现象。作为典型的例子，4d过渡金属氧化物SrRuO3（SRO）的块体具备铁磁金属基态，居里转变温度约160K。但在SrTiO3（STO）等
上海硅酸盐所600mm长BGO大单晶问世
600mm长BGO大单晶 中国科学院上海硅酸盐研究所中试生产一线成功制备出长度达600mmBGO大单晶。这是迄今为止国际上公开报道的最长BGO单晶。此前，俄罗斯无机化学所曾报道最长BGO单晶400mm。 600mmBGO大单晶是上海硅酸盐所正在承担的中国科学院空间科技先导
科学家开发新型异质外延半导体材料及器件
上海应用技术大学材料科学与工程学院教授房永征、刘玉峰团队与国科大杭州高等研究院及美国麻省理工学院等单位的科研人员合作，在二维半导体材料异质外延方面取得新进展。12月4日，相关研究发表于《先进材料》。随着我国高性能探测技术领域应用需求的持续增长，新型光探测材料的发展也有了更高要求。作为光电探测技术最核
氮化物材料外延研究最新进展
近日，中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则，同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。 近年来，二维材料辅助的氮化物外延取得了巨大进展，并在实现多种功能材料异质集成与物质组
晶体硅太阳能电池的分类和各电池简单介绍
太阳能光伏电池（简称光伏电池）用于把太阳的光能直接转化为电能。目前地面光伏系统大量使用的是以硅为基底的硅太阳能电池，可分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池。在能量转换效率和使用寿命等综合性能方面，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。多晶硅比单晶硅转换效率低，但价格更便宜。单晶硅太阳
国内首片15英寸单层石墨烯制备成功
中科院重庆绿色智能技术研究院日前宣布，该院已经成功制备出国内首片15英寸的单层石墨烯。石墨烯是由碳原子组成的单原子层平面薄膜,可以作为制备新型触摸屏的核心部分——透明电极的材料。 图为研究人员对单层石墨烯制成的触摸屏进行书写测试。