6英寸碳化硅单晶衬底研制成功
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在测量6英寸碳化硅单晶衬底的尺寸（12月9日摄）。 下图 中国科学院物理研究所陈小龙研究员在一幅演示碳化硅物理原理的图表前展示6英寸碳化硅单晶衬底（12月17日摄）。......阅读全文
金属/碳化硅光催化有机合成研究取得进展
中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室研究员郭向云带领的研究团队与美国伊利诺伊大学香槟分校教授杨宏合作，采用能够响应可见光的立方型高比表面积碳化硅（SiC）为载体，利用金（Au）纳米颗粒的表面等离子体共振效应，设计出新型Au/SiC光催化体系，在室温常压和可见光照的条件下，成功实现ɑ,
碳化硅杂化聚合物施工方案
杂化聚合物结合了两种已知的聚合物，即由强共价键作用而成的聚合物和非共价键作用而成的聚合物，即所谓的分子聚合物。它们结合能提供了两个截然不同的区室，化学家和材料科学家可以用其生成功能材料，比如能像肌肉一样收缩或扩张的聚合物材料。我们聚合物拥有纳米大小的区室，它们能够被移除并多次化合功能。他进一步解释说
陈小龙：20余年坚守创新－－“开路”国产碳化硅
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517179.shtm“要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些两不靠的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。”这是中国科学院物理研究所研究员陈小龙一直以来所坚守的信念
粒度分析在碳化硅微粉生产中的影响
光伏材料又称太阳电池材料，只有半导体材料具有这种功能。太阳能光伏发电产业链分为五个环节，即从硅材料到硅片、太阳电池片、太阳电池组件，zui后到光伏发电系统应用。光伏产业上游硅片多线切割技术主要采用以碳化硅微粉为切割刃料并辅以其他试剂进行切割，在此技术中绿碳化硅微粉的品质状况直接决定了切片的效率。因此
氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，
陆晓明：X射线荧光光谱分析含碳化硅铝质耐火材料中九组分
2014年10月20日，CCATM’2014国际冶金及材料分析测试学术报告会及展览会在京召开，在化学场上，来自国内外相关领域的专家、学者、技术人员及仪器设备厂商100余人参加。现将部分报告整理供大家参考学习。 来自宝山钢铁股份有限公司研究院的陆晓明工程师带来题为《X射线荧光光谱分析含
我国首个碳化硅新型充电桩示范工程正式启动
近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，北京华商三优新能源科技有限公司承办的“碳化硅新型充电桩示范工程启动暨技术与应用研讨会”在北京召开。原科技部副部长曹健林，中国工程院院士李仲平，原科技部高新司司长赵玉海，科技部高技术中心相关人员，北京市科委、中国可再生能源学会、第三代半导体产业技术创新
中国科大实现基于碳化硅的高压原位磁探测
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497241.shtm 我校郭光灿院士团队在碳化硅色心高压量子精密测量研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时、王俊峰等人与中科院合肥物质科学研究院固体所高压团队刘晓迪研究员等合作，在国际上首次实现了基
碳化硅提取液中阴阳离子的测定
碳化硅（SiC）又名金刚砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。碳化硅由化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点，主要有四大应用领域，即：功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料，高纯
兰州化物所碳化硅表面双层碳膜制备研究取得进展
双层碳膜形成机制图 近日，中国科学院兰州化学物理研究所先进润滑与防护材料研究发展中心在四氯化碳气氛下碳化硅表面双层碳膜制备方面取得了新进展。 研究人员以四氯化碳为氯气源和碳源，通过碳化物衍生碳（CDC）过程和化学气相沉积（CVD）法，成功地在碳化硅表面制备出了双层碳膜。该双层碳膜
碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术
随着电子产业的发展，电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大，从而增加了热能的散失，由此带来了一些了问题如温度漂移等
碳化硅控制器冷却系统冷凝效果分析说明
让碳化硅控制器冷却系统环保节能就需要避免和降低工业生产碳化硅控制器冷却系统的管路污垢，来提升冷却器和蒸发器的换热效。也有便是须调节工业生产碳化硅控制器冷却系统，有效的运作负荷。下一点便是减少工业生产碳化硅控制器冷却系统的冷疑温度。 隔热保温解决须挑选好原材料。要挑选质量较高的，不可以单看价钱，
碳化硅反应器有利于节能降耗
碳化硅反应器采用碳化硅材料为主件，结构简单紧凑、强度高、抗腐蚀强、耐高温、使用寿命长、便于检修等特点。目前有单管反应器、多管串联管式反应器和多管并联管式反应器，一般用于气相反应和气液相反应；多管并联管式反应器，一般用于气固相反应。 反应器是化学实验室常用小型反应器， 可用于小剂量的合成反
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器
我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世
我新一代雷达核心部件材料实现国产化 科技日报济南7月6日电 （通讯员辛鹏波 记者王延斌）近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。 碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达
浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发
实验室“梦想材料”上生产线
日前，记者从中科院上海硅酸盐研究所获悉，该所历经10年，将有“梦想型”热交换材料之称的碳化硅陶瓷热交换管推向了产业化，到2016年产能可达300吨以上。或许，这将给冶金、化工、制药等离不开“热交换”的行业带来一场设备革命。艰苦研发，填补国内空白 一根根其貌不扬的黑色细管组合而成的碳化硅热交换设
国产碳化硅进击8英寸工艺节点－“掘金”窗口期步入倒计时
在新能源汽车、光伏、储能等市场持续推动下，国产碳化硅产业商业化持续推进，获得国际功率半导体巨头青睐和结盟，积极追赶更为先进的8英寸工艺节点，碳化硅产品价格有望步入“甜蜜点”。另一方面，碳化硅产业呈现跑马圈地的扩张态势，竞争日趋激烈，甚至有头部厂商已经喊话碳化硅创业窗口期已经接近关闭。获国际龙头青睐“
国内首套碳化硅材继电保护检查装置投入使用
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497460.shtm 科技日报石家庄3月30日电 （实习记者陈汝健 通讯员刘清泉 李泽）在河北保定市220千伏司仓变电站，随着技术人员将试验电源缓缓降低至零，该站中低压二次回路向量检查试验圆满完成，标
6英寸碳化硅单晶衬底研制成功
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（一）
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术，为电力切换领域立下全新的效能标准。本文将强调出无论就能源效率、
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（二）
3．静态与动态效能以下将比较两种技术的静态和动态特质，设定条件为一般运作，接面温度TJ ＝ 110 °C。图5为两种元件的输出静态电流电压特性曲线（V－I curves）。两相比较可看出无论何种状况下碳化硅MOSFET的优势都大幅领先，因为它的电压呈现线性向前下降。即使碳化硅MOSFET必须要有VG
LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素
1引言 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具有尺寸大、
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（三）
图8：100％扭力电流下每个开关的功率耗损图8则是在100％扭力电流下以同样方式进行比较。功率耗损分为开关（传导和切换）和反平行二极体，以找出主要差别。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解决方案很明显可大幅降低整体功率损耗。有这样的结果是因为无论静态和动态状况下，不分开关或二极体，功率耗损都会减
西湖大学技术团队发布极致轻薄AR眼镜，双目重量仅5.4克
全彩AR眼镜目前重量还比较重，不便于佩戴，经西湖大学技术孵化，AR眼镜轻便化、多功能的“中国方案”成为现实。AR是Augmented Reality（增强现实）的简称，AR眼镜可以让佩戴者在现实世界的基础上叠加虚拟景象，并通过传感和计算实现虚实融合与虚实互动。西湖大学团队研发的碳化硅AR眼镜
35岁“从零开始”，他让外国再也“卡”不住我们
“要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些‘两不靠’的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。”这是中国科学院物理研究所研究员陈小龙一直以来坚守的信念。 陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。20多年来，他带领团队从零开始自主
西湖大学技术团队发布极致轻薄AR眼镜，双目重量仅5.4克
全彩AR眼镜目前重量还比较重，不便于佩戴，经西湖大学技术孵化，AR眼镜轻便化、多功能的“中国方案”成为现实。AR是Augmented Reality（增强现实）的简称，AR眼镜可以让佩戴者在现实世界的基础上叠加虚拟景象，并通过传感和计算实现虚实融合与虚实互动。西湖大学团队研发的碳化硅AR眼镜。西湖大
中电科二所在碳化硅激光剥离技术方面取得进展
日前，中国电子科技集团公司第二研究所宣布碳化硅激光剥离设备研发项目通过专家评审论证，正式立项、启动。 碳化硅半导体材料具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点，对电动汽车、高压输变电、轨道交通、通讯基站、卫星通讯、国防军工等领域的发展有重要意义。然而，碳化硅材料
突破传统！这种材料如何实现纳秒级开关？
碳化硅单晶基光导开关因具有传统开关器件不可比拟的特性，已显现出在高技术领域中的广阔应用前景，近些年来得到国际科技界和工业界越来越多的关注。近期，中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部在开展碳化硅晶锭制备和晶圆片加工的同时，与相关应用单位紧密合作，持续开展碳化硅基光导开关原理研究和器件制备实验