美首次在室温下演示电磁激子发出激光现象
据物理学家组织网6月21日报道，美国研究人员在最新一期《自然・光子学》杂志上发表报告称，他们首次在室温条件下成功演示了期盼已久的电磁激子发出激光现象。该研究或有助于研发可用于通讯和量子计算等领域的更加高效、灵活的激光器。 这是研究人员首次在室温条件下，在一个有机半导体材料上实现了让电磁激子(Polariton，又称为极化声子)发出激光。 电磁激子并不是真正意义上的粒子，但是，其行为如同粒子。它是一种介于受激分子和光子之间的“耦合量子力学态”。 负责该项研究的美国密歇根大学副校长、物理学教授斯蒂芬・福里斯特表示，“十多年来，人们一直希望能在室温条件下观察到电磁激子发出激光。现在，我的学生史蒂芬・凯纳-科恩在实验室中花了5年时间成功地做到了这一点。他找到了在高反射镜子间生长出晶体有机材料的新方法，然后使用比万亿分之一秒还短的光脉冲完成了复杂的测量工作”。 该研究团队正在着力研发有机激光器，这种激光器就像目前的很......阅读全文
美首次在室温下演示电磁激子发出激光现象
据物理学家组织网6月21日报道，美国研究人员在最新一期《自然・光子学》杂志上发表报告称，他们首次在室温条件下成功演示了期盼已久的电磁激子发出激光现象。该研究或有助于研发可用于通讯和量子计算等领域的更加高效、灵活的激光器。 这是研究人员首次在室温条件下，在一个有机半导体材料上实现了让电
激光粒度仪中半导体激光器与氦氖激光器
半导体激光器氦氖激光器外观激光功率稳定性对比 半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器模块生产厂家均是购买来LD然后进行装配的。半导体激光管（LD）的激光输出功率会随其壳体的温度变化而有较大变化。下图为一个典型的半导体激光管的功率－电流曲线，从
半导体激光器与氦氖激光器的比较
导体激光器与氦氖激光器的比较总体来讲，红光半导体激光器与氦氖激光器相比各有其优势和劣势。本文对氦氖激光器与半导体激光的优缺点进行一些简述，希望对不同应用的客户在选择激光器时产生些许帮助。激光功率稳定性对比半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器
半导体激光块为激光器系统增效
由俄罗斯、希腊和哈萨克斯坦科学家组成的国际研究团队开发出一种新方法，能大大提高医学应用等领域激光器系统的效率。有关研究刊登在近日出版的《自然·科学报告》杂志上。 据俄罗斯国家研究型工艺技术大学（NUST MISIS）消息，该校科研小组与希腊和哈萨克斯坦的同行们合作，制造出一种相连的半导体纳米激
半导体激光器发射激光的条件
我们的半导体激光器具有高稳定性、率、高可靠性、低噪声和的激光光束质量等特点。非常适合OEM设计,科学研究和工业使用。 半导体激光器与气体激光器、液体激光器等有一定的区别，半导体激光器中是以半导体材料来做工作物质的，那么大家知道半导体激光器发射激光的条件是什么吗？下面中国传感器交易网的专家来
半导体激光器发射激光的条件
我们的半导体激光器具有高稳定性、率、高可靠性、低噪声和的激光光束质量等特点。非常适合OEM设计,科学研究和工业使用。 半导体激光器与气体激光器、液体激光器等有一定的区别，半导体激光器中是以半导体材料来做工作物质的，那么大家知道半导体激光器发射激光的条件是什么吗？下面中国传感器交易网的专家来给大家
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用：半导体激光器因其使用寿命长、激光利用效率高、热能量比YAG激光器小、体积小、性价比高、用电省等一系列优势而成为2010年热卖产品，e网激光生产的国产半导体激光器的出现，加速了以半导体激光器为主要耗材的半导体激光机取代YAG激光打标机市场份额的步伐。
什么是半导体激光器？
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。
半导体激光器的特性
半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能出色的激光器产品，用于制造zui为的激光器系统。半导体激光器具有高效的光电转换效率，且通过光束整形可直接应用于激光加工等领域，而光纤激光器由于其的光束质量早已已成为国内外研究的热门。但半导体激光器将来有没有可能直接获得高光束质量的激光，从而“打败”光纤激
半导体激光器的应用
半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于)1Gh/。局域网，1300nm -1550
半导体激光器的特性
半导体激光器具有高速调制、功率稳定、线宽窄、体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。半导体激光器具有的光束质量和调制性能，广泛应用于：科学研究，工业仪器开发、OEM系统集成。此外，尾纤半导体激光器、外部光纤耦合模块、小型半导体泵浦固体激光器可供选择。 半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能
半导体激光器的发展
半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯
关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。 氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是首屈一指的，这已经是光学界的共识。 半导体激光器的线宽在各种激光器中是最宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是最差的。
半导体激光器与氦氖激光的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。 氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。 半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。 从激光原理看，激
激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看，激光发光与跃迁
激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看，激光发光与跃
半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位
半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位 半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器，以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。 半导体激
半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位
半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器，以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。 半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆
半导体激光器在激光器领域中的重要地位
半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器，以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。 半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光
半导体激光器的工作原理
工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体
半导体激光器的发展概况
半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够
半导体激光器的技术特点
(1) 体积小，重量轻；(2) 驱动功率和电流较低；(3) 效率高、工作寿命长；(4) 可直接电调制；(5) 易于与各种光电子器件实现光电子集成；(6) 与半导体制造技术兼容；可大批量生产。由于这些特点，半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。
半导体激光器的常用参数
半导体激光器的常用参数可分为：波长、阈值电流Ith 、工作电流Iop 、垂直发散角θ⊥、水平发散角θ∥、监控电流Im。（1）波长：即激光管工作波长，可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、激光二极管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。（2）阈值电流I
半导体激光器测试方法标准
本标准规定了半导体激光器主要光电参数的测试方法。本标准适用于半导体激光器主要光电参数的测试。半导体激光器组件可参考执行。下载链接：https://www.antpedia.com/standard/7060196.html
半导体激光器的特性测量
概述半导体激光器特性的测量可以被分成5大类，如表1所示：表1半导体激光器特性测量的五大类电性能测量光输出，压降以及PD的监测电流，还有对这些测量数据的衍生分析。空间性近场和远场的光强分布。光谱特性通过光谱数据计算光谱宽度和中心波长。光学性能测量光的发散以及波前畸变。动态性能测量噪声，互调失真，上升时
半导体激光器的产品分类
（1）异质结构激光器（2）条形结构激光器（3）GaAIAs/GaAs激光器（4）InGaAsP/InP激光器（5）可见光激光器（6）远红外激光器（7）动态单模激光器（8）分布反馈激光器（9）量子阱激光器（10）表面发射激光器（11）微腔激光器
长春应化所等在新型半导体激光器研究中取得进展
近期，中国科学院长春应用化学研究所秦川江课题组、日本九州大学安达千波矢研究室合作，开发出一种基于新型低成本半导体材料钙钛矿的激光器，突破了其以往仅能在低温下连续稳定工作的瓶颈，实现室温可连续激光输出的钙钛矿激光器。 激光器是将输入的光或电能量转换成光的器件，由于发光高度均匀，被广泛应用于工业、
钙钛矿激光器实现室温连续激光输出
来自中国科学院长春应用化学研究所和日本九州大学的国际合作团队开发了一款钙钛矿激光器，该激光器基于新型低成本半导体材料，突破了以往仅能在低温下连续稳定工作的瓶颈，率先实现了室温可连续激光输出。相关研究成果9月3日发表在《自然》上。 激光器是将输入的光或电能量转换成光的器件。由于其发光高度均匀，
常用的半导体激光器的应用
量子阱半导体大功率激光器在精密机械零件的激光加工方面有重要应用，同时也成为固体激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可*性和小型化的优点，导致了固体激光器的不断更新。在印刷业和医学领域，高功率半导体激光器也有应用.另外，如长波长激光器(1976年，人们用Ga[nAsP/InP实现了长波长
半导体激光器的发展过程
在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与