发布时间:2015-08-10 00:00 原文链接: 日本电子JSM7200F扫描电子显微镜

日本电子JSM-7200F扫描电子显微镜
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  • JSM-7200F 热场发射扫描电子显微镜

  • JSM-7200F的电子光学系统应用了日本电子旗舰机-JSM-7800F Prime采用的浸没式肖特基电子枪技术,标配了TTLS系统(Through-The-Lens System),因此无论是在高/低加速电压下,空间分辨率都比传统机型有了很大的提升。

  • JSM-7200F的电子光学系统应用了日本电子旗舰机-JSM-7800F Prime采用的浸没式肖特基电子枪技术,标配TTLS系统(Through-The-Lens System),无论是在高/低加速电压下,空间分辨率都比传统机型有了很大的提升。此外,保证300nA的zei大束流,能兼顾高分辨率观察和高通量分析,具有充实的自动功能和易用性,是新一代的多功能场发射扫描电镜。

  • <特点>

  • JSM-7200F的主要特点有:应用了浸没式肖特基电子枪技术的电子光学系统;利用GB(Gentle Beam 模式)和各种检测器在低加速电压下能进行高分辨观察和选择信号的TTLS系统(Through-The-Lens System);电磁场叠加的混合式物镜。

  • 浸没式肖特基电子枪

  • 浸没式肖特基场发射电子枪为日本电子的专利技术,通过对电子枪和低像差聚光镜进行优化,能有效利用从电子枪中发射的电子,即使电子束流很大也能获得很细的束斑。因而可以实现高通量分析(EDS、WDS面分析、EBSD分析等)。

  • TTLS(through-the-lens系统)

  • TTLS(through-the-lens系统)是利用GB(Gentle Beam 模式)在低加速电压下能进行高分辨率观察和信号选择的系统。 利用GB(Gentle Beam 模式)通过给样品加以偏压,对入射电子有减速、对样品中发射出的电子有加速作用,即使在低加速电压(入射电压)下,也能获得信噪比良好的高分辨率图像。 
    此外,利用安装在TTLS的能量过滤器过滤电压,可以调节二次电子的检测量。这样在极低加速电压的条件下,用高位检测器(UED)就可以只获取来自样品浅表面的大角度背散射电子。因过滤电压用UED没有检测出的低能量电子,可以用高位二次电子检测器(USD,选配件)检测出来,因此JSM-7200F能同时获取二次电子像和背散射电子像。

  • 混合式物镜(电磁场叠加)

  • JSM-7200F的物镜采用了本公司新开发的混合式透镜。 
    这种混合式透镜是组合了磁透镜和静电透镜的电磁场叠加型物镜,比传统的out-lens像差小,能获得更高的空间分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性,所以可以观察和分析磁性材料样品。

  • 应用实例

  •  利用混合式物镜、GB(Gentle Beam 模式)进行观察的实例 

  • 利用低像差的混合式物镜和GB 模式,即使对不导电样品也能在极低的加速电压下进行高分辨率成像。

  • 002.jpg

  • 样品: 介孔二氧化硅 (中国上海交通大学车顺爱教授)

  • ◇ 使用高位检测器(UED)、能量过滤器进行观察的实例

  • 下图是利用UED在低加速电压条件下获得的背散射电子像。由于是大角度散射电子成像,成份信息非常丰富,但加速电压为0.8kV比在5kV时的测试,能获得更细微的浅表面信息。象这样在极低加速电压下要获取样品浅表面的背散射电子成份像,不仅需要高位检测器,还需要用来去除二次电子的能量过滤器。

  • 003.jpg

  • 样品:镀金表面,   能量过滤器: -250 V 

  2015年8月10日,日本电子株式会社(JEOL)全球同步推出新一代通用型场发射扫描电镜JSM-7200F。JSM-7200F采用日本电子浸没式肖特基场发射电子枪专利技术。该技术在保证分辨率(1.6nm @1kV)和电子枪寿命的同时,将束流提高到300nA,可以大大增加能谱,WDS,EBSD和阴极发光等附件的分析效率和空间分辨率。JSM-7200F是一款多功能的场发射扫描电镜,相比常规仪器,它具有更高的分辨率和更简单的操作,能够满足广泛的应用需求。

  主要特点

  1. 高分辨率

  1.6 nm ( 1 kV), 1.2nm(30kV)

  2. 高分析速度

  zei大电子束流为300nA,可以快速采集EDS、WDS、EBSD信号,同时保持高分辨率。

  3. 能量信号区分

  结合标准配置中的TTL系统(through-the-lens)能够实现利用能量过滤器来选择性区分电子能量。

  4. 广域分析

  利用LDF (long depth of field)模式,无需使用样品台扫描即可实现广域EBSD分析。








JSM-7200FJSM-7200FLV
分辨率1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV)1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV),1.8nm (30kV,  LV )
放大倍率×10~×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30~×3,000,000(1280 x 960pixels display);
加速电压0.01kV~30kV
束流1pA~300nA
自动光阑角zei佳控制透镜ACL内置
大景深模式内置
检测器高位检测器(UED)、低位检测器(LED)
样品台5轴马达驱动样品台
样品移动范围X:70mm  Y:50mm  Z:2mm~41mm 倾斜-5~+70°  旋转360°
低真空范围-10pa~300pa
  • 主要选配件

  • 可插拔式背散射电子探头(RBED)

  • 高位二次电子探头(USD)

  • 低真空二次电子探头(LV-SED)

  • 能谱仪(EDS)

  • 波谱仪(WDS)

  • 电子背散射衍射系统(EBSD)

  • 阴极荧光系统(CLD)

  • 样品台导航系统(SNS)

  • 电子束曝光系统


分辨率1.6 nm (加速电压1 kV),
1.2 nm (加速电压 30 kV)
3.0 nm (加速电压15 kV, WD 10 mm, 
             探针电流 5 nA /分析条件)
倍率×10 to ×1,000,000
成像模式二次电子图像,背散射电子图像
加速电压0.01 -  30 kV
探针电流/电子束流1 pA  -  300 nA
电子枪浸没式肖特基场发射电子枪In-lens Schottky field emission gun
马达控制5-轴马达驱动
样品台移动X – Y : 35 mm x 50 mm, Z: 2.0 - 41 mm
Tilt: – 5 - 70°, 旋转: 360° 无限制
样品交换室包括在标准配置中






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