JSM-7200F 热场发射扫描电子显微镜
JSM-7200F的电子光学系统应用了日本电子旗舰机-JSM-7800F Prime采用的浸没式肖特基电子枪技术,标配了TTLS系统(Through-The-Lens System),因此无论是在高/低加速电压下,空间分辨率都比传统机型有了很大的提升。
JSM-7200F的电子光学系统应用了日本电子旗舰机-JSM-7800F Prime采用的浸没式肖特基电子枪技术,标配TTLS系统(Through-The-Lens System),无论是在高/低加速电压下,空间分辨率都比传统机型有了很大的提升。此外,保证300nA的zei大束流,能兼顾高分辨率观察和高通量分析,具有充实的自动功能和易用性,是新一代的多功能场发射扫描电镜。
<特点>
JSM-7200F的主要特点有:应用了浸没式肖特基电子枪技术的电子光学系统;利用GB(Gentle Beam 模式)和各种检测器在低加速电压下能进行高分辨观察和选择信号的TTLS系统(Through-The-Lens System);电磁场叠加的混合式物镜。
浸没式肖特基电子枪
浸没式肖特基场发射电子枪为日本电子的专利技术,通过对电子枪和低像差聚光镜进行优化,能有效利用从电子枪中发射的电子,即使电子束流很大也能获得很细的束斑。因而可以实现高通量分析(EDS、WDS面分析、EBSD分析等)。
TTLS(through-the-lens系统)
TTLS(through-the-lens系统)是利用GB(Gentle Beam 模式)在低加速电压下能进行高分辨率观察和信号选择的系统。 利用GB(Gentle Beam 模式)通过给样品加以偏压,对入射电子有减速、对样品中发射出的电子有加速作用,即使在低加速电压(入射电压)下,也能获得信噪比良好的高分辨率图像。
此外,利用安装在TTLS的能量过滤器过滤电压,可以调节二次电子的检测量。这样在极低加速电压的条件下,用高位检测器(UED)就可以只获取来自样品浅表面的大角度背散射电子。因过滤电压用UED没有检测出的低能量电子,可以用高位二次电子检测器(USD,选配件)检测出来,因此JSM-7200F能同时获取二次电子像和背散射电子像。
混合式物镜(电磁场叠加)
JSM-7200F的物镜采用了本公司新开发的混合式透镜。
这种混合式透镜是组合了磁透镜和静电透镜的电磁场叠加型物镜,比传统的out-lens像差小,能获得更高的空间分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性,所以可以观察和分析磁性材料样品。
应用实例
◇ 利用混合式物镜、GB(Gentle Beam 模式)进行观察的实例
利用低像差的混合式物镜和GB 模式,即使对不导电样品也能在极低的加速电压下进行高分辨率成像。
样品: 介孔二氧化硅 (中国上海交通大学车顺爱教授)
◇ 使用高位检测器(UED)、能量过滤器进行观察的实例
下图是利用UED在低加速电压条件下获得的背散射电子像。由于是大角度散射电子成像,成份信息非常丰富,但加速电压为0.8kV比在5kV时的测试,能获得更细微的浅表面信息。象这样在极低加速电压下要获取样品浅表面的背散射电子成份像,不仅需要高位检测器,还需要用来去除二次电子的能量过滤器。
样品:镀金表面, 能量过滤器: -250 V
2015年8月10日,日本电子株式会社(JEOL)全球同步推出新一代通用型场发射扫描电镜JSM-7200F。JSM-7200F采用日本电子浸没式肖特基场发射电子枪专利技术。该技术在保证分辨率(1.6nm @1kV)和电子枪寿命的同时,将束流提高到300nA,可以大大增加能谱,WDS,EBSD和阴极发光等附件的分析效率和空间分辨率。JSM-7200F是一款多功能的场发射扫描电镜,相比常规仪器,它具有更高的分辨率和更简单的操作,能够满足广泛的应用需求。
主要特点
1. 高分辨率
1.6 nm ( 1 kV), 1.2nm(30kV)
2. 高分析速度
zei大电子束流为300nA,可以快速采集EDS、WDS、EBSD信号,同时保持高分辨率。
3. 能量信号区分
结合标准配置中的TTL系统(through-the-lens)能够实现利用能量过滤器来选择性区分电子能量。
4. 广域分析
利用LDF (long depth of field)模式,无需使用样品台扫描即可实现广域EBSD分析。
JSM-7200F | JSM-7200FLV | |
分辨率 | 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV),1.8nm (30kV, LV ) |
放大倍率 | ×10~×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30~×3,000,000(1280 x 960pixels display); | |
加速电压 | 0.01kV~30kV | |
束流 | 1pA~300nA | |
自动光阑角zei佳控制透镜ACL | 内置 | |
大景深模式 | 内置 | |
检测器 | 高位检测器(UED)、低位检测器(LED) | |
样品台 | 5轴马达驱动样品台 | |
样品移动范围 | X:70mm Y:50mm Z:2mm~41mm 倾斜-5~+70° 旋转360° | |
低真空范围 | - | 10pa~300pa |
主要选配件
可插拔式背散射电子探头(RBED)
高位二次电子探头(USD)
低真空二次电子探头(LV-SED)
能谱仪(EDS)
波谱仪(WDS)
电子背散射衍射系统(EBSD)
阴极荧光系统(CLD)
样品台导航系统(SNS)
电子束曝光系统
分辨率 | 1.6 nm (加速电压1 kV), 1.2 nm (加速电压 30 kV) 3.0 nm (加速电压15 kV, WD 10 mm, 探针电流 5 nA /分析条件) |
---|---|
倍率 | ×10 to ×1,000,000 |
成像模式 | 二次电子图像,背散射电子图像 |
加速电压 | 0.01 - 30 kV |
探针电流/电子束流 | 1 pA - 300 nA |
电子枪 | 浸没式肖特基场发射电子枪In-lens Schottky field emission gun |
马达控制 | 5-轴马达驱动 |
样品台移动 | X – Y : 35 mm x 50 mm, Z: 2.0 - 41 mm Tilt: – 5 - 70°, 旋转: 360° 无限制 |
样品交换室 | 包括在标准配置中 |
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