半导体所常凯研究员来固体所进行学术交流

　　10月23日，中科院半导体研究所常凯研究员应邀访问合肥物质科学研究院固体所，并作了题为“自旋轨道耦合系统的奇妙物性”的学术报告。

　　报告首先介绍了拓扑边缘态的起源，纳米尺度结构中的边缘态和性质，他重点介绍了在量子点中体系会出现类似回音壁形式的边缘态,以及电子在石墨烯材料制成的P-N结上形成的透镜效应、全反射和Goos-Hänchen效应等；最后介绍了自旋-轨道耦合与RKKY效应的相互作用并指出利用这一相互作用可以研究不同的自旋模型。报告后常凯研究员还就石墨烯材料在氮化硼夹层中产生能隙的物理问题及相关问题与固体所科研人员进行了热烈的学术交流和讨论。

　　常凯现为中科院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室研究员。研究领域主要是半导体纳米结构的物理性质和半导体自旋电子学，近年来主要研究兴趣集中在拓扑绝缘体和石墨烯方面。目前在国际核心物理学期刊Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys上共发表论文86篇。